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公开(公告)号：KR101078309B1
公开(公告)日：2011-10-31
申请号：KR1020090025405
申请日：2009-03-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/24
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28562
Abstract: 본발명은전이금속의원자층증착공정과자기조립단분자막을이용하여원하는부분에박막을증착할수 있어실리콘소자의콘택트형성에적용할수 있는방법에관한것으로서, 자기조립단분자막을원하는부분에코팅하여표면개질을행한뒤 원자층증착공정을실행하여개질된표면, 혹은개질되지않은표면위에만선택적으로증착이일어나도록한다. 이를사용하여실리콘전자소자의콘택트형성시에간편화된방법으로기존의방법을대체할 수있다.
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公开(公告)号：KR1020100107228A
公开(公告)日：2010-10-05
申请号：KR1020090025405
申请日：2009-03-25
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/3205 , H01L21/24
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/324 , H01L29/66575
Abstract: PURPOSE: A method for forming the contacts of semiconductor devices using a selective deposition method is provided to selectively deposit metal thin films by utilizing an atomic layer deposition method and a self-assembled monomolecular film. CONSTITUTION: The surface of a spacer is modified by applying a self-assembled monomolecular film on a semiconductor device. The self-assembled monomolecular film is based on octadecyltrichlorosilane. A metal thin film is formed around the modified surface of the spacer through an atomic layer deposition method. The metal thin film is thermally treated in order to form silicide. The self-assembled monomolecular film is then eliminated.
Abstract translation: 目的：提供使用选择性沉积方法形成半导体器件的触点的方法，通过利用原子层沉积法和自组装单分子膜来选择性地沉积金属薄膜。 构成：通过在半导体器件上施加自组装单分子膜来改变间隔物的表面。 自组装单分子膜基于十八烷基三氯硅烷。 通过原子层沉积法在间隔物的改性表面周围形成金属薄膜。 对金属薄膜进行热处理以形成硅化物。 然后消除自组装单分子膜。
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公开(公告)号：KR1020090014469A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070078440
申请日：2007-08-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B22F2301/25 , B22F2304/054 , H01L21/02601 , H01L29/0665
Abstract: A manufacturing method of nanostructures using anodized aluminum and atomic layer deposition process is provided to form nanostructures using various materials and to obtain easily the nanostructures of the various shapes and structures. A manufacturing method of nanostructures comprises steps of: (a) injecting a substrate in an acid solution, anodizing aluminium on the substrate and forming an aluminium oxide nano template having a hole of a nano-size in the substrate; (b) filling up the hole formed in the nano template using an atomic layer deposition method; (c) removing a resistant layer formed in the nano template through an etching process; and (d) removing aluminium oxide.
Abstract translation: 提供使用阳极氧化铝和原子层沉积工艺的纳米结构的制造方法，以使用各种材料形成纳米结构，并容易地获得各种形状和结构的纳米结构。 纳米结构的制造方法包括以下步骤：（a）在酸性溶液中注入基材，在基材上阳极氧化铝，并在基材中形成具有纳米尺寸的孔的氧化铝纳米模板; （b）使用原子层沉积法填充纳米模板中形成的孔; （c）通过蚀刻工艺去除在纳米模板中形成的电阻层; 和（d）除去氧化铝。
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公开(公告)号：KR100973522B1
公开(公告)日：2010-08-02
申请号：KR1020070078440
申请日：2007-08-06
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 균일하며 높은 정렬도를 갖고 다양한 형상으로 구현될 수 있는 나노 구조물의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 (a) 산 용액에 기판을 투입하고 상기 기판상에 알루미늄을 양극산화시킴으로써, 상기 기판의 표면으로부터 수직하게 나노 크기의 구멍이 형성된 산화 알루미늄 나노 템플릿을 형성하는 단계와; (b) 원자층 증착법을 이용하여, 상기 나노 구조물을 이루는 물질로 상기 나노 템플릿에 형성된 구멍을 채우는 단계와; (c) 상기 산화 알루미늄을 제거하는 단계를 포함하는 나노 구조물의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 나노 구조물의 제조방법은 대면적으로 제조가능하며, 환경 센서나 바이오 센서로의 응용이 직접적으로 가능할 뿐 아니라, 메모리 축전기의 제작이나 연료 전지용 전극 분야 등 다양한 분야에 응용이 가능하다.
자기 조립 나노 템플릿, 양극 산화 알루미늄, 원자층 증착, 나노 구조물, 환경 센서, 바이오 센서, 대면적 공정
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