公开(公告)号：WO2023022335A1

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/KR2022/006837

申请日：2022-05-12

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백록현 ,  정진수 ,  윤준식

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66

Abstract: 본 발명은 트랜치 내부 스페이서(TIS)를 형성하여 소스/드레인 불순물이 기판으로 확산되는 것을 방지하여, 기판 하단의 펀치스루 발생과 채널 하단의 소스/드레인의 직접 누설 발생을 억제할뿐만 아니라 기판의 열 방출을 용이하게 할 수 있는 게이트-올-어라운드 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법을 개시한다.

公开(公告)号：KR102133208B1

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：KR1020190011571

申请日：2019-01-30

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백록현 ,  윤준식 ,  정진수 ,  이승환

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

公开(公告)号：KR1020130120969A

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：KR1020120084943

申请日：2012-08-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김동원 ,  정윤하 ,  김대만 ,  박수영 ,  백록현 ,  박찬훈 ,  이상현

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L29/1033

Abstract: Provided is a field effect transistor which includes a drain region, a source region, and a channel region. Provided are a gate electrode which surrounds a part of the channel region and a gate insulation layer which is located between the channel region and the gate electrode. The cross section of the channel region in contact with the source region is smaller than the cross section of the channel region in contact with the drain region.

Abstract translation: 提供了包括漏极区域，源极区域和沟道区域的场效应晶体管。 提供围绕沟道区的一部分的栅电极和位于沟道区和栅电极之间的栅极绝缘层。 与源极区域接触的沟道区域的截面小于与漏极区域接触的沟道区域的截面。

公开(公告)号：KR102088706B1

公开(公告)日：2020-03-16

申请号：KR1020180114050

申请日：2018-09-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백록현 ,  윤준식 ,  정진수 ,  이승환

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/027