公开(公告)号：WO2023022335A1

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/KR2022/006837

申请日：2022-05-12

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백록현 ,  정진수 ,  윤준식

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66

Abstract: 본 발명은 트랜치 내부 스페이서(TIS)를 형성하여 소스/드레인 불순물이 기판으로 확산되는 것을 방지하여, 기판 하단의 펀치스루 발생과 채널 하단의 소스/드레인의 직접 누설 발생을 억제할뿐만 아니라 기판의 열 방출을 용이하게 할 수 있는 게이트-올-어라운드 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법을 개시한다.

公开(公告)号：KR102088706B1

公开(公告)日：2020-03-16

申请号：KR1020180114050

申请日：2018-09-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백록현 ,  윤준식 ,  정진수 ,  이승환

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR102133208B1

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：KR1020190011571

申请日：2019-01-30

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백록현 ,  윤준식 ,  정진수 ,  이승환

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

公开(公告)号：KR1020170029972A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：KR1020150127219

申请日：2015-09-08

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 백창기 ,  김기현 ,  윤준식 ,  이승호

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/30 ,  H01L35/02 ,  H01L35/12 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 비대칭수직나노선어레이를이용한열전소자및 이의제조방법을제공한다. 비대칭수직나노선어레이를이용한열전소자는벌크기판, 벌크기판은서로이격배치된, 도핑된기판영역들을포함하고, 상기도핑된기판영역들상에각각수직으로형성된 n형및 p형비대칭수직나노선어레이, 비대칭수직나노선어레이의나노선들사이를채우고있는열보호막, 상기비대칭수직나노선어레이의각 상단에따로분리되어접하는열방출부및 비대칭수직나노선어레이의하단과연결된도핑된기판영역들이모두동시에접하는열흡수부를포함하고, 비대칭수직나노선어레이는나노선상단의직경과하단의직경이서로다른것을특징으로하는비대칭수직나노선열전소자를포함한다. 이에따라, 열전변환효율과출력량을향상시킬수 있다. 또한, 비대칭수직실리콘나노선, 실리콘열흡수부및 실리콘열방출부를일체형으로제작함으로써, 소자의대량생산이가능하게하고, 나아가, 소자의단가를감소시킴으로써, 상용화에유리한열전소자및 그제조방법을제공할수 있다.

Abstract translation: 提供了一种使用不对称垂直纳米线阵列的热电装置及其制造方法。 使用非对称的垂直纳米线阵列的热电器件是体衬底，体衬底被彼此设置的间隔开的，它包括掺杂的基底区域中，并且形成在每个直立到掺杂衬底区域的n型和p型非对称垂直纳米线 阵列，非对称垂直和底部，并连接到热发射部分和不对称的垂直纳米线阵列触点的所述掺杂衬底区域分别是在每个导线之间填充所述纳米柱保护层的顶部的，线阵列的不对称垂直纳米线阵列都 并且不对称垂直纳米线阵列包括不对称垂直纳米线热电元件，所述不对称垂直纳米线热电元件在纳米线的上端处具有直径并且下端处的直径彼此不同。 结果，可以提高热电转换效率和输出量。 此外，通过使所述非对称垂直硅纳米线，单件硅热吸收元件和所述从而能够大量生产该装置的的硅热释放部件，进一步地，减少了装置的成本，良好的热电装置和制造的商品化的方法 可以提供。