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    가역적 변환이 가능한 초소수성 표면의 형성 방법
    1.
    发明公开
    가역적 변환이 가능한 초소수성 표면의 형성 방법 有权
    制备可逆开关的超级表面的方法

    公开(公告)号：KR1020110085591A

    公开(公告)日：2011-07-27

    申请号：KR1020100005458

    申请日：2010-01-21

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 용기중 ,  곽근재

    IPC: B05D5/08 ,  B05D7/24 ,  C09K3/18 ,  B82B3/00

    CPC classification number: B05D5/08 ,  B05D3/065 ,  B05D2518/10 ,  B82Y40/00 ,  C09K3/18

    Abstract: PURPOSE: A formation method of ultra-hydrophobic surface capable of reversible conversion is provided to form the ultra-hydrophobic surface easily by processing alkyltrichlorosilane in the in the object having the nano structure in the surface. CONSTITUTION: The formation method of ultra-hydrophobic surface capable of reversible conversion includes the step of processing C18-24 alkyltrichlorosilane in the surface of object having nano structure. Alkyltrichlorosilane is octadecyl chlorosilane. Nanofiber is selected from nanowire, and nanotube or nanorod. Nanofiber is group consisting of C, si, ge, gaN, gaAs, gaP, inP, inAs, znS, anSe, cdS, cdSe, WO3, tiO2, znO, mgO, siO2, cdO, V2O5, siC, B4C and si3N4.

    Abstract translation: 目的：提供能够进行可逆转化的超疏水性表面的形成方法，通过在表面具有纳米结构的物体中加工烷基三氯硅烷，容易地形成超疏水性表面。 构成：能够进行可逆转化的超疏水性表面的形成方法包括在具有纳米结构的物体表面处理C18-24烷基三氯硅烷的步骤。 烷基三氯硅烷是十八烷基氯硅烷。 纳米纤维选自纳米线，纳米管或纳米棒。 纳米纤维是由C，si，ge，gaN，gaAs，gaP，inP，inAs，znS，anSe，cdS，cdSe，WO3，tiO2，znO，mgO，siO2，cdO，V2O5，siC，B4C和si3N4组成的组。

    가역적 변환이 가능한 초소수성 표면의 형성 방법
    3.
    发明授权
    가역적 변환이 가능한 초소수성 표면의 형성 방법 有权
    制备能够进行可逆切换的超疏水表面的方法

    公开(公告)号：KR101175633B1

    公开(公告)日：2012-08-21

    申请号：KR1020100005458

    申请日：2010-01-21

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 용기중 ,  곽근재

    IPC: B05D5/08 ,  B05D7/24 ,  C09K3/18 ,  B82B3/00

    Abstract: 본발명은가역적변환이가능한초소수성표면의형성방법및 초소수성표면의가역적변환을통해표면상에초소수성과초친수성의패턴을형성하는방법을제공한다. 본발명에따르면표면에나노구조를갖는물체에알킬트리클로로실란을처리함으로써손쉽게초소수성표면을형성할수 있다. 또한, 이러한표면에 UV를조사함으로써다시초친수성으로변환시킬수 있게되므로초소수성과초친수성이혼재된패터닝을형성할수 있게된다.

    ＺｎＯ 나노막대의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된ＺｎＯ 나노막대
    4.
    发明授权
    ＺｎＯ 나노막대의 제조방법 및 그를 이용하여 제조된ＺｎＯ 나노막대 失效
    制备ZnO纳米棒和纳米棒的制备方法

    公开(公告)号：KR100790524B1

    公开(公告)日：2008-01-02

    申请号：KR1020060024789

    申请日：2006-03-17

    Applicant: 학교법인 포항공과대학교 ,  포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 용기중 ,  탁영조

    IPC: B82B3/00 ,  C01G9/02 ,  B82Y40/00

    Abstract: 본 발명은 버퍼층이 코팅된 기판 상에 아연염 및 암모니아수를 포함하는 수용액을 이용하여 ZnO 나노막대를 성장시키는 방법, 리쏘그라피법(lithography)을 사용하여 ZnO 나노막대를 선택적으로 성장시키는 방법 및 상기 방법에 의하여 제조된 ZnO 나노막대를 제공한다.
    본 발명의 방법에 따르면, 아연염 및 암모니아수의 수용액을 사용한 수열합성방법에 의하여 ZnO 나노막대를 성장시킴으로써 저온에서 대면적으로 ZnO 나노막대를 제조할 수 있으며, 아연이온과 암모니아수의 비율에 따라 착화합물의 안정성을 조절함으로써 반응속도를 조절하여 ZnO 나노막대의 성장을 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 액상침전에 의한 아연 소스의 손실을 줄일 수 있으므로 매우 안정적이고 경제적으로 ZnO 나노막대를 성장시킬 수 있다. 또한 리쏘그라피법을 이용할 경우에는 기판상의 원하는 위치에 나노막대를 배열할 수 있어 태양전지, 투명전극, LED, 광촉매 등 더욱 다양한 응용이 가능하다.
    ZnO 나노막대, 버퍼층, 아연염, 암모니아수, 수열합성, 선택적 성장, 리쏘그라피

    광 입사 각도 선택성을 가지는 전자 소자 및 그 제조 방법
    7.
    发明授权
    광 입사 각도 선택성을 가지는 전자 소자 및 그 제조 방법 有权
    用于制造光发射角控制电子器件的方法

    公开(公告)号：KR101453688B1

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：KR1020130133400

    申请日：2013-11-05

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 용기중 ,  박진주

    IPC: H01L31/00

    CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11B11/005 ,  G11C13/047

    Abstract: 본 발명은 광 입사 각도 선택성을 가지는 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자소자에 입사되는 광의 입사각에 의해서 상이한 전기적 특성을 나타내는 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 방법은 입사되는 광량에 따라 전기적 특성이 변하는 전자소자에 굴절률이 상이한 다수의 매질을 통해 광을 조사시키고, 상기 전자소자에 입사되는 광의 입사각을 변화시켜 입사되는 광량을 조절하여 상기 전자 소자의 특성을 변화시키는 것을 특징으로 한다.
    본 발명에 따라서, 다양한 전자소자에 간단하게 추가적인 매질을 누적하는 간단한 과정으로 광 입사각 의존성을 부여하는 방법이 제공되었다. 또한 상기 소자의 광 입사각 선택성은 광 입사 방향이 고정된 상황에 적용되더라도 소자가 광 입사 방향에 평행한 축을 중심으로 경사각을 바꾸는 움직임이 있을 때에도 동일한 효과를 얻을 수 있다. 이는 굳이 소자의 동적 상태를 크게 변화시키지 않고도 소자의 경사각도에 변화를 주는 것만으로 소자의 성능을 제어할 수 있음을 의미한다. 또한 광자는 전자보다 이동 속도가 빠르고, 신호 간섭성이 작다는 장점이 있기 때문에 소자의 작동 속도를 높이거나 크기를 줄이는 부가적인 효과를 기대할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及具有入射光的角度选择性的电子设备及其制造方法，更具体地，涉及根据电子设备上入射光的角度显示不同的电特性的电子设备，以及一种方法 制造相同。 根据本发明，该方法通过具有不同折射率的多种介质，将电子特性根据入射光量变化的电子装置投光; 并通过改变入射光在电子设备上的角度来调节入射光的量; 从而改变电子设备的特性。 结果，该方法可以通过简单地在电子设备上积累附加介质的简单过程来将入射光的角度附加到各种电子设备上。 此外，即使在光入射方向固定的情况下电子装置的入射光的角度选择性也可以具有相同的效果，并且电子装置相对于平行于 光发生率。 这表示通过仅改变电子设备的倾斜角度而不会显着改变电子设备的动态，可以控制电子设备的性能。 此外，光子比电子移动得更快并且引起较少的信号干扰，因此本发明还可以增加电子设备的操作速度或减小电子设备的尺寸。

    초소수성 표면 형성을 통한 물에 젖지 않는 전자소자의 제작 방법
    8.
    发明授权
    초소수성 표면 형성을 통한 물에 젖지 않는 전자소자의 제작 방법 有权
    通过形成超级表面的方法制造电子设备

    公开(公告)号：KR101309142B1

    公开(公告)日：2013-09-17

    申请号：KR1020110111781

    申请日：2011-10-31

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 용기중 ,  이승협

    IPC: H01L21/31 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

    Abstract: 본 발명은 초소수성 표면의 형성을 통해 물에 젖지 않는 전자소자를 제작함으로써 수분에 취약한 다양한 전자소자의 문제점을 해결하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 전자소자 표면에 산화아연 나노구조를 성장시키고 나노 구조표면에 스테아르산을 처리함으로써 전자소자에 초소수성 표면을 형성할 수 있다. 형성된 초소수성 표면으로 인해 전자소자가 물에 젖지 않는 특성을 갖게 되고, 이에 의해 물방울이 표면에 있어도 전자소자가 오작동하지 않는 방수 특성을 나타낼 수 있게 된다.

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