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公开(公告)号：KR20210032064A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113303A
申请日：2019-09-16
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 펄스 횟수를 입력 신호에 대응시키고 전압으로 가중치를 조절하는 커패시턴스 기반 행렬 곱셈 뉴럴 네트워크는, 워드 라인, 비트 라인, 및 커패시터와 연결되는 트랜지스터와, 트랜지스터와 연결되는 커패시터를 포함하되, 비트 라인의 입력은 펄스 발진기(pulse generator)와 연결되고, 출력은 센스 앰프(Sense Amplifier)와 연결되며, 커패시터에 인가되는 전압으로 가중치를 조절한다.
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公开(公告)号：KR20210032074A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113317A
申请日：2019-09-16
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 트랜지스터-커패시터 쌍으로 가중치를 조절할 수 있는 커패시턴스 기반 순차 행렬 곱셈 뉴럴 네트워크는 워드 라인, 비트 라인, 및 커패시터와 연결되는 트랜지스터와, 트랜지스터와 연결되는 커패시터를 포함하되, 비트 라인의 입력은 펄스 발진기(pulse generator)와 연결되고 출력은 센스 앰프(Sense Amplifier)와 연결된다.
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公开(公告)号：KR20210032036A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113236A
申请日：2019-09-16
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G06N3/063 , G06N3/08 , G11C11/402 , G11C11/4094
CPC classification number: G06N3/063 , G06N3/082 , G11C11/4023 , G11C11/4094
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 가중치 비트폭을 탄력적으로 적용할 수 있는 커패시턴스 기반 뉴럴 네트워크는, 워드 라인, 비트 라인, 및 커패시터와 연결되는 트랜지스터와, 트랜지스터와 연결되는 커패시터와, 커패시터와 연결되는 플레이트를 포함하되, 비트 라인은 펄스 발진기와 연결되고, 워드 라인은 비트 라인과 직교하여 배치된다.
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公开(公告)号：KR101974777B1
公开(公告)日：2019-09-05
申请号：KR1020180028602
申请日：2018-03-12
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/788 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L29/43
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公开(公告)号：KR101850212B1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：KR1020160124492
申请日：2016-09-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/51
Abstract: 게이트전극과기판사이에강유전체층및 삽입층을도입한불휘발성강유전체인버터및 이의작동방법이개시된다. 불휘발성강유전체인버터의반복동작시, 강유전체층의피로도가증가하게된다. 이를억제하여소자의신뢰도및 수명향상을위해강유전체층의양측으로삽입층을배치한불휘발성강유전체인버터를제작한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101901060B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020170049709
申请日：2017-04-18
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L29/739
CPC classification number: H01L27/10805 , H01L27/10829 , H01L27/10852 , H01L29/7391
Abstract: 멀티비트의데이터를아날로그방식으로저장하고, 읽기동작을수행할수 있는반도체소자가개시된다. 충전전압에따라충전되는전자는유도전계에따라채널또는반전층에전하를유도하고, 유도된전하는전하저장부의저항을결정한다. 이를통해선형적인값을가지는데이터신호의저장과읽기동작이수행될수 있다.
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公开(公告)号：KR102072090B1
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：KR1020170155424
申请日：2017-11-21
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
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公开(公告)号：KR102005631B1
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：KR1020170124869
申请日：2017-09-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/11556 , G06F9/30 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11507 , H01L27/11509
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公开(公告)号：KR101924733B1
公开(公告)日：2018-12-03
申请号：KR1020170109337
申请日：2017-08-29
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00
Abstract: 본 발명은, 기판, 기판 상에 수직으로 신장한 복수 개의 도전 라인들, 상기 도전 라인들에 인접하여 교대로 적층된 복수 개의 수평 도전층들 및 복수 개의 층간 절연층들 및 상기 도전 라인들과 상기 복수 개의 수평 도전층들 및 복수 개의 층간 절연층들 사이의 면에 형성되는 강유전체 터널링 접합물질층을 포함하고, 상기 강유전체 터널링 접합물질층은 상기 도전 라인들과 상기 수평 도전층들이 교차하는 지점에서 각각의 도전라인과 각각의 수평 도전층의 사이에 개재되는 영역으로 정의되는 가중치 노드들을 포함하고, 상기 수평 도전층들 및 상기 수직 도전 라인들에 인가되는 전압의 세기에 따라 상기 가중치 노드들에 멀티-레벨의 가중치 값을 저장하는 수직 크로스-포인트 가중치 소자 및 이의 동작방법을 제공한다. 상기 수직 크로스-포인트 가중치 소자는 집적도가 높은 구조를 가지면서도 행렬 벡터 곱셈 (matrix vector multiplication)기록 동작이 가능하다.
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公开(公告)号：KR101989678B1
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：KR1020170095818
申请日：2017-07-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G11C11/22 , H01L27/11502
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