公开(公告)号：KR101874225B1

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：KR1020170001327

申请日：2017-01-04

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김종규 ,  김동영 ,  한남 ,  김재원 ,  정호경

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/18

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C16/18 ,  C23C16/342 ,  H01L33/02 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

Abstract: 본발명은질화물반도체물질의제조방법에관한것이다. 본발명은챔버내에기판을배치하는단계, 및챔버내에붕소및 질소를각각포함하는기상물질들을주입하고, 질소공극형성을위해설정된공정조건에따라화학반응을이용하여기판상에이차원층상구조의육방정질화붕소를형성하는단계를포함하는질화물반도체물질의제조방법을제공한다.