公开(公告)号：KR1020050031858A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1020040026076

申请日：2004-04-16

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  이지열

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0525 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0558

Abstract: An organic TFT(Thin Film Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to economize fabrication costs and to increase the size by using an aluminium oxide layer formed in a predetermined temperature range as a gate insulating layer. A conductive gate electrode(120) is formed on a substrate(110). An aluminium oxide layer(130) is formed on the gate electrode. An organic semiconductor layer(140) is formed on the aluminium oxide layer and overlapped with the gate electrode. A source and drain region(150,160) spaced apart from each other are formed on the organic semiconductor layer. The aluminum oxide layer and the organic semiconductor layer are formed at room temperature or in a temperature range of 100 or less.

Abstract translation: 提供有机TFT（薄膜晶体管）及其制造方法，以便通过使用在预定温度范围内形成的氧化铝层作为栅极绝缘层来节约制造成本并增加尺寸。 在基板（110）上形成导电栅电极（120）。 在栅电极上形成氧化铝层（130）。 在氧化铝层上形成有机半导体层（140），与栅电极重叠。 在有机半导体层上形成彼此间隔开的源区和漏区（150,160）。 氧化铝层和有机半导体层在室温或100以下的温度范围内形成。

公开(公告)号：KR1020060064170A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020040102875

申请日：2004-12-08

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  이지열 ,  황도경 ,  최정민

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0525

Abstract: 본 발명은 NiO
x , AlO
x , 및 인듐-주석 산화물(ITO)을 각각 소오스 드레인(S/D) 전극, 게이트 절연체 및 게이트 전극으로 사용하고 펜타센을 활성층으로 하는 투명 박막 트랜지스터(TTFT)에 관한 것이다. 본 투명박막트랜지스터에서 게이트 절연체로 사용된 비정질 알루미늄 산화물은 2.3 nm의 표면제곱평균 거칠기와, 3MV/cm의 매우 우수한 절연강도 및 우수한 유전상수 k(약 6)을 가지며, 소오스 드레인 전극으로 사용된 산화니켈은 약 60Ω/sq.의 면저항을 갖고 있다. 이와 같은 투명박막트랜지스터는 가시영역에서 약 25%의 투과도를 가지고, -40V의 게이트 바이어스에서 약 15μA의 최고 포화 전류를 가지며 전계 이동도 또한 0.9cm
2 /Vs로 매우 높다. 상기 TTFT의 온/오프 전류비는 약 5x10
5 이다. 따라서, 본 발명은 투명 박막트랜지스터를 구현함과 동시에 매우 향상된 TFT 이동도를 얻을 수 있다.
투명박막트랜지스터, NiOx, AlOx, 펜타센

公开(公告)号：KR100678771B1

公开(公告)日：2007-02-02

申请号：KR1020040026076

申请日：2004-04-16

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  이지열

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 실온에서 제작가능하고, 발광 소자의 스위칭 소자로 사용되는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로 본 발명은 스퍼터링에 의하여 상온 내지 100℃이하에서 형성된 알루미늄 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법을 제공함으로써 저비용 및 대면적으로 유기 박막 트랜지스터를 제조 할 수 있으며 또한 낮은 온도의 공정으로도 유기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있어 플라스틱, 유리와 같은 고온 공정에 취약한 기판을 사용할 수 있다. 본 발명의 유기 박막 트랜지스터의 점멸 전류비는 약 10
6 으로 일반적인 디스플레이 장치를 구동할 수 있다.
유기 박막 트랜지스터, 펜타센, 게이트 절연막, 알루미늄 산화막