公开(公告)号：KR1020060064170A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020040102875

申请日：2004-12-08

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  이지열 ,  황도경 ,  최정민

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0525

Abstract: 본 발명은 NiO
x , AlO
x , 및 인듐-주석 산화물(ITO)을 각각 소오스 드레인(S/D) 전극, 게이트 절연체 및 게이트 전극으로 사용하고 펜타센을 활성층으로 하는 투명 박막 트랜지스터(TTFT)에 관한 것이다. 본 투명박막트랜지스터에서 게이트 절연체로 사용된 비정질 알루미늄 산화물은 2.3 nm의 표면제곱평균 거칠기와, 3MV/cm의 매우 우수한 절연강도 및 우수한 유전상수 k(약 6)을 가지며, 소오스 드레인 전극으로 사용된 산화니켈은 약 60Ω/sq.의 면저항을 갖고 있다. 이와 같은 투명박막트랜지스터는 가시영역에서 약 25%의 투과도를 가지고, -40V의 게이트 바이어스에서 약 15μA의 최고 포화 전류를 가지며 전계 이동도 또한 0.9cm
2 /Vs로 매우 높다. 상기 TTFT의 온/오프 전류비는 약 5x10
5 이다. 따라서, 본 발명은 투명 박막트랜지스터를 구현함과 동시에 매우 향상된 TFT 이동도를 얻을 수 있다.
투명박막트랜지스터, NiOx, AlOx, 펜타센

公开(公告)号：KR1020050031858A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1020040026076

申请日：2004-04-16

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  이지열

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0525 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0558

Abstract: An organic TFT(Thin Film Transistor) and a manufacturing method thereof are provided to economize fabrication costs and to increase the size by using an aluminium oxide layer formed in a predetermined temperature range as a gate insulating layer. A conductive gate electrode(120) is formed on a substrate(110). An aluminium oxide layer(130) is formed on the gate electrode. An organic semiconductor layer(140) is formed on the aluminium oxide layer and overlapped with the gate electrode. A source and drain region(150,160) spaced apart from each other are formed on the organic semiconductor layer. The aluminum oxide layer and the organic semiconductor layer are formed at room temperature or in a temperature range of 100 or less.

Abstract translation: 提供有机TFT（薄膜晶体管）及其制造方法，以便通过使用在预定温度范围内形成的氧化铝层作为栅极绝缘层来节约制造成本并增加尺寸。 在基板（110）上形成导电栅电极（120）。 在栅电极上形成氧化铝层（130）。 在氧化铝层上形成有机半导体层（140），与栅电极重叠。 在有机半导体层上形成彼此间隔开的源区和漏区（150,160）。 氧化铝层和有机半导体层在室温或100以下的温度范围内形成。

公开(公告)号：KR100515214B1

公开(公告)日：2005-09-16

申请号：KR1020030006771

申请日：2003-02-04

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  김재훈

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 종래 펜타센 박막 트랜지스터 제조방법은 결정성 펜타센 박막을 사용하여, 제조공정시간이 지연되고, 정공의 이동도가 낮은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 다결정 또는 단결정 실리콘 기판 상에 실리콘 질화막 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막의 중앙 상부에 비정질-결정질 혼합상의 결정구조를 가지는 펜타센 박막을 형성하는 단계와; 상기 펜타센 박막의 상부일부와 게이트 절연막의 상부일부에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 다결정 또는 단결정 실리콘 기판의 저면에 게이트 전극을 형성하는 단계로 이루어져, 펜타센 박막의 제조공정 시간을 단축함과 아울러 이동도 등 그 특성을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040070598A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：KR1020030006771

申请日：2003-02-04

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  김재훈

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a pentacene TFT is provided to shorten a period of a fabrication process by forming a pentacene thin film within a short period of time. CONSTITUTION: A gate insulating layer is formed on a polycrystalline silicon substrate or a single crystal silicon substrate(1). A pentacene thin film(3) having an amorphous-crystalline mixing crystal structure is formed on a center part of the gate insulating layer. A source electrode(4) and a drain electrode(5) are partially formed on an upper part of the pentacene thin film and an upper part of the gate insulating layer. A gate electrode(6) is formed on the bottom of the polycrystalline silicon substrate or the single crystal silicon substrate.

Abstract translation: 目的：制备并五苯TFT的方法是通过在短时间内形成并五苯薄膜来缩短制造工艺的周期。 构成：在多晶硅基板或单晶硅基板（1）上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层的中心部分形成具有非晶态混合晶体结构的并五苯薄膜（3）。 源极电极（4）和漏电极（5）部分地形成在并五苯薄膜的上部和栅极绝缘层的上部。 在多晶硅衬底或单晶硅衬底的底部上形成栅电极（6）。

公开(公告)号：KR100678771B1

公开(公告)日：2007-02-02

申请号：KR1020040026076

申请日：2004-04-16

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  이지열

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 실온에서 제작가능하고, 발광 소자의 스위칭 소자로 사용되는 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로 본 발명은 스퍼터링에 의하여 상온 내지 100℃이하에서 형성된 알루미늄 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법을 제공함으로써 저비용 및 대면적으로 유기 박막 트랜지스터를 제조 할 수 있으며 또한 낮은 온도의 공정으로도 유기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있어 플라스틱, 유리와 같은 고온 공정에 취약한 기판을 사용할 수 있다. 본 발명의 유기 박막 트랜지스터의 점멸 전류비는 약 10
6 으로 일반적인 디스플레이 장치를 구동할 수 있다.
유기 박막 트랜지스터, 펜타센, 게이트 절연막, 알루미늄 산화막

公开(公告)号：KR1020040070597A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：KR1020030006770

申请日：2003-02-04

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  황정남 ,  최진문

IPC: H05B33/26

CPC classification number: H01L51/5092

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting device is provided to achieve improved efficiency of light emission by using NaCl as an electron injection medium. CONSTITUTION: An organic light emitting device comprises a cathode, an electron injection medium, an electron transport layer, a hole transport layer, and an anode. The electron injection medium is NaCl having a thickness of 1.0±0.4nm. Improved efficiency of light emission is accomplished and manufacturing cost is reduced by using NaCl rather than LiF as an electron injection medium.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光装置，通过使用NaCl作为电子注入介质来实现发光效率的提高。 构成：有机发光器件包括阴极，电子注入介质，电子传输层，空穴传输层和阳极。 电子注入介质是厚度为1.0±0.4nm的NaCl。 通过使用NaCl而不是LiF作为电子注入介质，实现了提高的发光效率并降低了制造成本。