公开(公告)号：KR1020060064170A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020040102875

申请日：2004-12-08

Applicant: 학교법인연세대학교

Inventor： 임성일 ,  이지열 ,  황도경 ,  최정민

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L51/0525

Abstract: 본 발명은 NiO
x , AlO
x , 및 인듐-주석 산화물(ITO)을 각각 소오스 드레인(S/D) 전극, 게이트 절연체 및 게이트 전극으로 사용하고 펜타센을 활성층으로 하는 투명 박막 트랜지스터(TTFT)에 관한 것이다. 본 투명박막트랜지스터에서 게이트 절연체로 사용된 비정질 알루미늄 산화물은 2.3 nm의 표면제곱평균 거칠기와, 3MV/cm의 매우 우수한 절연강도 및 우수한 유전상수 k(약 6)을 가지며, 소오스 드레인 전극으로 사용된 산화니켈은 약 60Ω/sq.의 면저항을 갖고 있다. 이와 같은 투명박막트랜지스터는 가시영역에서 약 25%의 투과도를 가지고, -40V의 게이트 바이어스에서 약 15μA의 최고 포화 전류를 가지며 전계 이동도 또한 0.9cm
2 /Vs로 매우 높다. 상기 TTFT의 온/오프 전류비는 약 5x10
5 이다. 따라서, 본 발명은 투명 박막트랜지스터를 구현함과 동시에 매우 향상된 TFT 이동도를 얻을 수 있다.
투명박막트랜지스터, NiOx, AlOx, 펜타센