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公开(公告)号：KR1020050048895A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：KR1020030082637
申请日：2003-11-20
Applicant: 학교법인 포항공과대학교
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100238199B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960031531
申请日：1996-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 학교법인 포항공과대학교
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/66825 , G11C16/0416 , H01L29/7885
Abstract: 플래쉬 이이피롬 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 제1 도전형의 반도체 기판 표면 근방의 채널 영역을 사이에 두고 그 양 옆에 형성되고, 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형의 불순물이 도핑된 소오스 영역 및 드레인 영역과, 상기 소오스 영역과 인접한 상기 채널 영역에 형성되고, 상기 제1 도전형의 불순물이 상기 반도체 기판보다 높은 농도로 도핑된 제1 불순물 영역과, 상기 드레인 영역과 인접한 상기 채널 영역에 형성되고, 상기 제2 도전형의 불순물이 상기 소오스 및 드레인 영역보다 낮은 농도로 도핑된 제2 불순물 영역과, 상기 채널 영역 상의 전면에 걸쳐 균일한 두께로 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상의 전면에 걸쳐 형성된 플로팅 게이트와, 상기 플로팅 게이트 상에 순차적으로 형성된 층간절연막 및 조절 게이트를 포함한다. 이에 따라, 본 발명의 플래쉬 EEPROM 장치의 셀은 집적도를 향상시킬 수 있고, 프로그램 효율을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100554160B1
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：KR1020030082637
申请日：2003-11-20
Applicant: 학교법인 포항공과대학교
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100509940B1
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：KR1020030082636
申请日：2003-11-20
Applicant: 학교법인 포항공과대학교
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드 게이트(Field Gate) 또는 금속(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980013095A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960031531
申请日：1996-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 학교법인 포항공과대학교
IPC: H01L27/115
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公开(公告)号：KR1020050048894A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：KR1020030082636
申请日：2003-11-20
Applicant: 학교법인 포항공과대학교
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드 게이트(Field Gate) 또는 금속(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
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