公开(公告)号：KR1020050048895A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030082637

申请日：2003-11-20

Applicant: 학교법인 포항공과대학교

Inventor： 정윤하 ,  이희덕 ,  김대만 ,  김지활 ,  김영욱 ,  강희성 ,  이순도

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100554160B1

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：KR1020030082637

申请日：2003-11-20

Applicant: 학교법인 포항공과대학교

Inventor： 정윤하 ,  이희덕 ,  김대만 ,  김지활 ,  김영욱 ,  강희성 ,  이순도

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100509940B1

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：KR1020030082636

申请日：2003-11-20

Applicant: 학교법인 포항공과대학교

Inventor： 정윤하 ,  이희덕 ,  김대만 ,  김지활 ,  김영욱 ,  강희성 ,  이순도

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드 게이트(Field Gate) 또는 금속(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020050048894A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030082636

申请日：2003-11-20

Applicant: 학교법인 포항공과대학교

Inventor： 정윤하 ,  이희덕 ,  김대만 ,  김지활 ,  김영욱 ,  강희성 ,  이순도

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드 게이트(Field Gate) 또는 금속(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.