公开(公告)号：KR1020050048895A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030082637

申请日：2003-11-20

Applicant: 학교법인 포항공과대학교

Inventor： 정윤하 ,  이희덕 ,  김대만 ,  김지활 ,  김영욱 ,  강희성 ,  이순도

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020070049825A

公开(公告)日：2007-05-14

申请号：KR1020050107022

申请日：2005-11-09

Applicant: 학교법인 포항공과대학교 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 정윤하 ,  이승엽 ,  이용섭

IPC: H03F3/20

CPC classification number: G01R23/20 ,  H03F1/3229 ,  H03F1/3247 ,  H03F2200/192 ,  H03F2200/204 ,  H03F2201/3212

Abstract: 본 발명은 알에프 전력 증폭기에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 알에프 전력 증폭기에서 원천 주파수 성분만의 위상 변화를 측정하거나 혹은 알에프 전력 증폭기에서 기준 신호가 상쇄될 때의 상대적인 위상 정보만을 획득하는 방식으로 위상 변화를 측정하는 종래 방법과는 달리, 알에프 전력 증폭기에서, 임의의 톤 간격을 갖는 투 톤 신호를 전력 증폭기에 인가하고, 원천 주파수의 3차 혼변조 왜곡 신호를 특정 주파수 위에 위치시킨 후에, 전력 증폭기의 전, 후에서의 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값을 검출하고, 검출된 위상 차이값 중 실제 값을 판별하며, 판별된 실제 값을 상기 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값으로 저장한 후에, 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 신호를 특정 주파수로 위치시키고, 전력 증폭기의 전, 후에서의 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값을 검출하며, 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분 및 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값에 따라 위상 변화를 측정함으로써, 알에프 전력 증폭기에서 주전력 증폭기의 전, 후에서의 원천 주파수 성분뿐만 아니라 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 변화도 측정할 수 있는 것이다.
알에프 증폭기, 원천 주파수(fundamental frequency), 3차 혼변조 왜곡 성분 (3rd order intermodulation distortion), 위상 검출기

Abstract translation: 以这样的方式，本发明以获得涉及RF功率放大器，本发明为此，唯一的相对相位的信息，仅在原始频率分量的相位变化来测量，或所述参考信号是从在RF功率放大器的RF功率放大器的偏移 不同于测量的相位变化，在RF功率放大器的传统方法，它适用于具有任意色调的时间间隔向功率放大器的双音信号，和源频率的三阶互调失真信号的位置后在特定的频率，功率 上第三检测互调失真分量，并且检测到的相位差的相位差值以确定实际值，成本之间的相位差在之前和之后的放大器的确定的实际值向上叔互调失真分量， 值，较低的三阶互调失真信号位于特定频率处， 检测三阶互调失真分量的相位差值，通过根据上三阶互调失真分量和下三阶互调失真分量的相位差值测量相位变化， 可以测量三阶互调失真分量的相移以及末端的源频率分量。

公开(公告)号：KR100766201B1

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：KR1020050107022

申请日：2005-11-09

Applicant: 학교법인 포항공과대학교 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 정윤하 ,  이승엽 ,  이용섭

IPC: H03F3/20

Abstract: 본 발명은 알에프 전력 증폭기에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 알에프 전력 증폭기에서 원천 주파수 성분만의 위상 변화를 측정하거나 혹은 알에프 전력 증폭기에서 기준 신호가 상쇄될 때의 상대적인 위상 정보만을 획득하는 방식으로 위상 변화를 측정하는 종래 방법과는 달리, 알에프 전력 증폭기에서, 임의의 톤 간격을 갖는 투 톤 신호를 전력 증폭기에 인가하고, 원천 주파수의 3차 혼변조 왜곡 신호를 특정 주파수 위에 위치시킨 후에, 전력 증폭기의 전, 후에서의 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값을 검출하고, 검출된 위상 차이값 중 실제 값을 판별하며, 판별된 실제 값을 상기 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값으로 저장한 후에, 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 신호를 특정 주파수로 위치시키고, 전력 증폭기의 전, 후에서의 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값을 검출하며, 위쪽 3차 혼변조 왜곡 성분 및 아래쪽 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 차이값에 따라 위상 변화를 측정함으로써, 알에프 전력 증폭기에서 주전력 증폭기의 전, 후에서의 원천 주파수 성분뿐만 아니라 3차 혼변조 왜곡 성분의 위상 변화도 측정할 수 있는 것이다.
알에프 증폭기, 원천 주파수(fundamental frequency), 3차 혼변조 왜곡 성분 (3rd order intermodulation distortion), 위상 검출기

公开(公告)号：KR100554160B1

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：KR1020030082637

申请日：2003-11-20

Applicant: 학교법인 포항공과대학교

Inventor： 정윤하 ,  이희덕 ,  김대만 ,  김지활 ,  김영욱 ,  강희성 ,  이순도

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 (Gate), 웰(Well) 등의 4단자를 갖는 MOSFET 구조에서 상기 게이트 위에 수직으로 오버레이 게이트(Overlay Gate)를 형성하여 게이트의 저항을 변화시켜서 반도체 소자의 특성, 특히 초고주파 특성의 조절을 쉽게 할 수 있으며, 게이트 저항을 감소시켜서 초고주파 특성을 개선시킬 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100509940B1

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：KR1020030082636

申请日：2003-11-20

Applicant: 학교법인 포항공과대학교

Inventor： 정윤하 ,  이희덕 ,  김대만 ,  김지활 ,  김영욱 ,  강희성 ,  이순도

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드 게이트(Field Gate) 또는 금속(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100795242B1

公开(公告)日：2008-01-15

申请号：KR1020060108497

申请日：2006-11-03

Applicant: 학교법인 포항공과대학교 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 정윤하 ,  이강승 ,  김영수 ,  홍윤기 ,  정성우

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L21/28114 ,  G03F7/2059 ,  H01J37/3174

Abstract: A method for forming a gate of a semiconductor device and the gate structure are provided to generate a stable schottky junction on a T-gate by stably supporting a wide gate head using a curved gate support. A gate of a semiconductor device includes a wide gate head(402) and a narrow gate support(404). First to third resists with different electron beam intensities are applied on a semiconductor substrate. A first exposure process is performed on the semiconductor substrate using the electron beam, and the third resist is selectively developed. The second resist is selectively developed on a region wider than the third resist, such that a gate head region is defined. A second exposure process is performed on the semiconductor substrate, on which the third and second resists are selectively developed, and the first resist is selectively developed at a low temperature. A metal is deposited on the first to third resists, and the first to third resists are removed.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体器件的栅极和栅极结构的方法，以通过使用弯曲栅极支撑件稳定地支撑宽栅极头，在T栅极上产生稳定的肖特基结。 半导体器件的栅极包括宽栅极头（402）和窄栅极支撑（404）。 在半导体衬底上施加具有不同电子束强度的第一至第三抗蚀剂。 使用电子束在半导体基板上进行第一曝光处理，并且选择性地显影第三抗蚀剂。 第二抗蚀剂在比第三抗蚀剂宽的区域选择性地显影，从而限定了栅极头区域。 在其上选择性地显影第三和第二抗蚀剂的半导体衬底上进行第二曝光处理，并且在低温下选择性地显影第一抗蚀剂。 金属沉积在第一至第三抗蚀剂上，并且第一至第三抗蚀剂被去除。

公开(公告)号：KR1020050048894A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：KR1020030082636

申请日：2003-11-20

Applicant: 학교법인 포항공과대학교

Inventor： 정윤하 ,  이희덕 ,  김대만 ,  김지활 ,  김영욱 ,  강희성 ,  이순도

IPC: H01L29/78

Abstract: 본 발명은 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트(Gate), 웰(Well)로 형성된 모스펫(MOSFET) 반도체 소자의 주위에 필드 게이트(Field Gate) 또는 금속(Metal) 배선으로 이루어진 필드전극을 형성하고, 이 필드전극에 전압을 인가하여 필드전극 밑 부분의 웰 또는 기판의 일부분 영역을 공핍(Depletion) 또는 축적(Accumulation)하여 웰 또는 기판 저항을 변화시킴으로써 반도체 소자의 초고주파 특성을 개선하고 그 특성의 조절을 쉽게 할 수 있도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.