Abstract:
본 발명은 산화물 반도체에 전기적 특성이 우수한 그래핀을 화학적 방법으로 결합시켜서 산화물 반도체-그래핀 핵-껍질 양자점을 제조하고, 이를 이용하여 발광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이러한 새로운 양자점을 이용한 발광소자는 광전효율이 우수하고 재료 및 부대 공정 시설 비용이 저렴하며, 공정이 간단하고, 대량생산 및 대면적화가 가능한 효과가 있다. 또한 다양한 다성분계 금속 산화물 반도체를 이용하여 다양한 파장의 발광소자를 제조할 수 있는 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A graphene preparing method using chemical exfoliation is provided to improve the optical property of the graphene and to accelerate the responding speed of the graphene on the basis of the high transferring speed of electrons. CONSTITUTION: A graphene preparing method using chemical exfoliation includes the following steps: the surface of graphite is treated with acid to prepare graphite oxide; the graphite oxide is mixed with metal oxide nanoparticles to prepare particles in which carbon and metal oxide are combined; the particles are treated with acid to separate graphene; and the particles of the carbon and the metal oxides are in quasi metal oxide-graphene core-shell structures in which graphene surrounds the outer sides of metal oxide nano particles.
Abstract:
PURPOSE: Graphene-conjugated metal oxide semiconductor-graphene core-shell quantum dots are provided to have excellent photoelectric efficiency, to have a low material cost, to have a simple manufacturing process, thereby providing a light-emitting diode. CONSTITUTION: Graphene-conjugated metal oxide semiconductor-graphene core-shell quantum dots contain oxide semiconductor nanoparticle as a nuclei and have a structure which surrounds the nuclei, as a shell. The oxide semiconductor is a zinc oxide. The graphene consists of a graphene sheet consisting of a single layer or a plurality of layers. The graphene is a graphene with a band gap of a bowing shape. The graphene has a chemically bonded shape through a coupling with oxygen atoms.
Abstract:
본 발명은 산화물 반도체에 전기적 특성이 우수한 나노카본을 화학적 방법으로 결합시켜서 산화물 반도체-나노카본 핵-껍질 일체형 양자점을 제조하고, 이를 이용하여 자외선 태양전지 소자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이러한 새로운 양자점을 태양전지의 광흡수층으로 적용하는 경우 전자의 흐름을 빠르게 하고 정공의 흐름은 억제하여 광전환 효율이 우수한 특성을 나타낼 수 있는 핵-껍질 일체형 양자점과 이를 이용한 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 산화 흑연과 금속 산화물 나노 입자 사이의 화학적 결합을 이용하여 순수한 그라핀을 제조하는 방법 및 그에 따라 제조되는 그라핀과 유사 금속 산화물-그라핀 핵-껍질 구조의 나노 입자를 그 특징으로 한다. 본 발명의 그라핀의 제조방법은 사용되는 재료의 가격이 저렴하고, 산처리와 같은 간단한 공정을 통하여 화학적 결합을 유도 및 분리할 수 있으며, 저온에서 반응이 이루어질 수 있어 부대 공정 시설에 비용이 많이 들지 않는다. 또한, 공정의 처리 기간이 길지 않아 빠르면서도 대량으로 제조할 수 있으며, 순수하면서도 결함이 적은 그라핀을 제조할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: An oxide semiconductor - nano carbon nucleus - shell integrated quantum dot is provided to maximize the chemical combinding number of metal-oxide-carbon(nano carbon) within oxide semiconductor by binding nano carbon with an excellent electrical characteristic to an oxide semiconductor with a chemical method. CONSTITUTION: An oxide semiconductor - nano carbon nucleus - shell integrated quantum dot has oxide semiconductor which comprises light absorption layer as a nucleus and cover the core with nano carbon in a form of shell. The oxide semiconductor is zinc oxide. The nano carbon is graphene or fullerene. Connect a oxide semiconductor which comprised nucleus and a nano carbon which comprises the shell through a chemical bond of oxygen atom. A size of the quantum dot is 8-15nm. An ultraviolet ray solar cell has oxide semiconductor - nano carbon integrated nucleus - shell quantum dot as a single active layer.