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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019930003137B1
公开(公告)日：1993-04-22
申请号：KR1019890008147
申请日：1989-06-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/26
Abstract: The impurity expansion method is used for bonding Mtransistor source, less than 1 micron width, and doping bipolar transistor emitter or base. The impurity expansion apparatus comprises a surrounding gas inlet (22) formed at one side of a quartz tube (12); a quartz tray (14) insertable into the quartz tube (12); a tungsten-halogen lamp (13) heating the inner part of the quartz tube (12); a reflection plate (11) for enhancing the heat efficiency of the tungsten-halgen lamp (13); non-reflective membrane (24) covered on a reflection plate face; a pyrometer window (25) formed on the reflection plate (11); a pyrometer (27) supported by a support (26) equipped in the upper part of the window (25).
Abstract translation: 杂质扩散方法用于粘结M晶体管源，小于1微米宽，掺杂双极晶体管发射极或基极。 杂质膨胀装置包括形成在石英管（12）一侧的周围气体入口（22）。 可插入石英管（12）中的石英盘（14）; 一个加热石英管（12）内部的钨卤灯（13）; 用于提高钨卤灯（13）的热效率的反射板（11）; 覆盖在反射板面上的非反射膜（24） 形成在反射板（11）上的高温计窗（25）; 高度计（27）由装在窗（25）的上部的支撑件（26）支撑。
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公开(公告)号：KR100709290B1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：KR1020050109015
申请日：2005-11-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C25D9/04
Abstract: 본 발명은 금속 및 무기분말을 포함하는 복합체막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합체막의 제조 방법은, 50.0g/L 내지 300.0g/L의 썰파믹산 니켈, 10.0g/L 내지 20.0g/L의 붕산, 1.0g/L 내지 10.0g/L의 염화니켈, 0.02g/L 내지 0.5g/L의 쿠마린, 4.0g/L 내지 60.0g/L의 황산라우린산나트륨, 0mL/L 보다 크고 150.0mL/L 이하의 황산, 그리고 알루미나 및 탄화규소를 포함하는 군에서 선택된 하나 이상의 무기 분말을 20.0g/L 내지 70.0g/L 포함하고 나머지는 증류수인 전해질액을 준비하는 단계, 모재 금속을 전해질액에 침지하는 단계, 모재 금속에 전력을 공급하여 모재 금속을 전기 도금하는 단계, 및 모재 금속 상에 복합체막을 형성하는 단계를 포함한다.
복합체막, 황산, 탄화규소, 알루미나, 전기도금Abstract translation: 本发明涉及包含金属和无机粉末的复合膜及其制造方法。 根据本发明的复合膜的制造方法，50.0克/ L至约300.0克/ L的镍sseolpa酸，10.0克/ L至20.0克/ L硼酸，1.0克/ L氯化物10.0克/镍，0.02升 l至60g / l的月桂酸钠，大于0mL / L且小于150.0mL / L的硫酸，并且在包含氧化铝和碳化硅的组中 包含至少一种无机粉末选定20.0克/ L至70.0克/ L，其余的在电解液中的去离子水以制备溶液，并且在电解液中浸渍碱金属，电动碱金属将电力供应给基底金属电镀 并在基体金属上形成复合膜。
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