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公开(公告)号:KR100709290B1
公开(公告)日:2007-04-19
申请号:KR1020050109015
申请日:2005-11-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C25D9/04
Abstract: 본 발명은 금속 및 무기분말을 포함하는 복합체막 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합체막의 제조 방법은, 50.0g/L 내지 300.0g/L의 썰파믹산 니켈, 10.0g/L 내지 20.0g/L의 붕산, 1.0g/L 내지 10.0g/L의 염화니켈, 0.02g/L 내지 0.5g/L의 쿠마린, 4.0g/L 내지 60.0g/L의 황산라우린산나트륨, 0mL/L 보다 크고 150.0mL/L 이하의 황산, 그리고 알루미나 및 탄화규소를 포함하는 군에서 선택된 하나 이상의 무기 분말을 20.0g/L 내지 70.0g/L 포함하고 나머지는 증류수인 전해질액을 준비하는 단계, 모재 금속을 전해질액에 침지하는 단계, 모재 금속에 전력을 공급하여 모재 금속을 전기 도금하는 단계, 및 모재 금속 상에 복합체막을 형성하는 단계를 포함한다.
복합체막, 황산, 탄화규소, 알루미나, 전기도금Abstract translation: 本发明涉及包含金属和无机粉末的复合膜及其制造方法。 根据本发明的复合膜的制造方法,50.0克/ L至约300.0克/ L的镍sseolpa酸,10.0克/ L至20.0克/ L硼酸,1.0克/ L氯化物10.0克/镍,0.02升 l至60g / l的月桂酸钠,大于0mL / L且小于150.0mL / L的硫酸,并且在包含氧化铝和碳化硅的组中 包含至少一种无机粉末选定20.0克/ L至70.0克/ L,其余的在电解液中的去离子水以制备溶液,并且在电解液中浸渍碱金属,电动碱金属将电力供应给基底金属电镀 并在基体金属上形成复合膜。
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公开(公告)号:KR100677956B1
公开(公告)日:2007-02-05
申请号:KR1020050024689
申请日:2005-03-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C09D5/46
Abstract: 본 발명은 모재 표면에 열용사에 의하여 형성된 비정질상이 포함된 금속층 및 세라믹층을 포함하는 열용사 코팅막을 제공한다. 플라즈마 건에 비정질 금속 소재 및 세라믹 분말을 주입하여 모재 표면에 열용사에 의하여 비정질 금속층과 세라믹층의 복합 코팅막이 형성된다. 상기 코팅막은 특히 반도체, LCD, PDP 및 유기 EL 디스플레이 등 각종 전자제품 제조 장비에 사용되는 챔버 및 그 내부에 장착되는 각종 금속 부품의 코팅막으로서 적합하다. 이러한 코팅막은 챔버 및 부품 표면으로부터의 오염물의 발생률이 현저히 감소하며, 고접착력/내부식성을 갖는다.
열용사, 비정질 금속층, 세라믹층-
公开(公告)号:KR100400354B1
公开(公告)日:2003-10-04
申请号:KR1020000074135
申请日:2000-12-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01H1/02
Abstract: PURPOSE: A copper-chromium contact material for a vacuum switch and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a wholesome Cu-Cr contact material by including a uniform and dispersed sintering structure of Cr particle in Cu matrix. CONSTITUTION: A mixing powder of a copper(Cu) powder and a chromium(Cr) powder is put and pressurized in a mold to manufacture a molding material. A content of the chromium(Cr) ranges 25-75 weight %. The molding material is sintered to a solid status at a temperature lower than a melting point of the copper to obtain a solid-phase sintered body. The temperature lower than a melting point of the copper ranges 900-1075°C. The solid-phase sintered body is heated to a temperature higher than the melting point of the copper to perform a liquid-phase sintering operation. The temperature higher than a melting point of the copper ranges 1100-1250°C.
Abstract translation: 目的:提供用于真空开关的铜 - 铬触点材料及其制造方法,以通过在Cu基体中包括均匀和分散的Cr颗粒烧结结构来制造有益的Cu-Cr触点材料。 构成:将铜(Cu)粉末和铬(Cr)粉末的混合粉末放入模具中并加压以制造模制材料。 铬(Cr)的含量范围为25-75重量%。 将成型材料在低于铜的熔点的温度下烧结至固体状态以获得固相烧结体。 低于铜熔点的温度范围为900-1075和摄氏度。 将固相烧结体加热到比铜的熔点高的温度以进行液相烧结操作。 高于铜熔点的温度范围为1100-1250℃。
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公开(公告)号:KR100292681B1
公开(公告)日:2001-11-22
申请号:KR1019980030343
申请日:1998-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L23/34
Abstract: 본 발명은 텅스텐-구리 복합재료 열방산체 기판과, 그 표면에 대면적으로 형성된 다이아몬드 필름으로 이루어지는 반도체용 열방산체를 제공하고, 아울러 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하고, 제조된 상기 열방산체의 표면에서 구리를 선택적으로 용출시킴으로써 표면을 개질시키고, 개질된 표면에 다이아몬드 핵생성을 위한 처리를 행하고, 처리된 표면에 다이아몬드 필름을 코팅시키는 반도체용 열방산체의 제조방법과, 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하고, 제조된 상기 열방산체의 표면에서 텅스텐 입자를 부식시킨 뒤 구리를 용출시킴으로써 상기 표면을 개질시키고, 개질된 표면에 다이아몬드 핵생성을 위한 처리를 행하고, 처리된 표면에 다이아몬드 필름을 코팅시키는 반도체용 열방산체의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号:KR101214513B1
公开(公告)日:2012-12-24
申请号:KR1020120066823
申请日:2012-06-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N23/202 , G01N23/05
Abstract: 본발명은여러개의분석기를사용하여분석시간을줄일수 있고, 다중산란의검증및 최소화가가능하며, 수정된 BHA형단색기, 분석기결정을사용하여, 중성자광을 5번반사시켜노이즈감소및 산란벡터분해능을향상시킬수 있는극소각중성자산란장치에관한것으로서, 중성자광의광로상에배치되며, 중성자광로를통과하는중성자광을브래그산란각도로회절시키는제1 선행단색기와, 상기제1 선행단색기로부터브래그회절된중성자광을시료측으로브래그회절시키는단결정으로이루어진제1 단색기와, 상기제1 단색기에대해상기시료를기준으로반대편에중성자광 직진방향으로일렬로이웃하게위치되는단결정으로이루어진둘 이상의분석기와상기둘 이상의분석기각각에서브래그회절된중성자광을각각검출하는둘 이상의검출기로이루어진제1 분석기세트를포함하는극소각중성자산란장치를제공한다.
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公开(公告)号:KR101191957B1
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:KR1020100055541
申请日:2010-06-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C25D11/02
Abstract: 본 발명은 플라즈마 전해양극 산화방법에 관한 것이다. 플라즈마 전해양극 산화방법은 i) 피처리 부재를 전처리하는 단계, ii) 피처리 부재를 전해액에 담지하고, 피처리 부재를 플라즈마전해 양극산화장치에 연결하는 단계, 및 iii) 플라즈마전해 양극산화장치가 양전류 및 음전류를 교대로 제공하여 피처리 부재에 산화막을 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020060102766A
公开(公告)日:2006-09-28
申请号:KR1020050024689
申请日:2005-03-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C09D5/46
Abstract: 본 발명은 모재 표면에 열용사에 의하여 형성된 비정질상이 포함된 금속층 및 세라믹층을 포함하는 열용사 코팅막을 제공한다. 플라즈마 건에 비정질 금속 소재 및 세라믹 분말을 주입하여 모재 표면에 열용사에 의하여 비정질 금속층과 세라믹층의 복합 코팅막이 형성된다. 상기 코팅막은 특히 반도체, LCD, PDP 및 유기 EL 디스플레이 등 각종 전자제품 제조 장비에 사용되는 챔버 및 그 내부에 장착되는 각종 금속 부품의 코팅막으로서 적합하다. 이러한 코팅막은 챔버 및 부품 표면으로부터의 오염물의 발생률이 현저히 감소하며, 고접착력/내부식성을 갖는다.
열용사, 비정질 금속층, 세라믹층-
公开(公告)号:KR100581006B1
公开(公告)日:2006-05-17
申请号:KR1020040061786
申请日:2004-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 모재로서 니오비움 또는 그 합금의 표면상에 형성된 NbSi
2 계 나노 복합 피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재 표면에 탄소 또는 질소를 기상 증착하여 니오비움 탄화물 또는 니오비움 질화물 확산층을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 나노 복합 피복층은 등축정의 NbSi
2 결정입계에 SiC 또는 Si
3 N
4 입자들이 분포된 미세조직을 가지며, 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 또는 Si
3 N
4 입자들의 부피 분율에 의해서 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 NbSi
2 계 나노 복합 피복층이 형성된다. 이에 따라, 열팽창계수차에 의한 크랙의 발생을 근원적으로 억제하여 고온 반복 내산화성을 향상시키며, 또한, 피복층 표면에 치밀한 SiO
2 산화피막이 형성되어 고온 등온 내산화성의 향상과 더불어, 피복층의 기계적 성질의 개선, 즉 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제를 기할 수 있다.
니오비움, 피복층, 열팽창계수-
公开(公告)号:KR1020060002285A
公开(公告)日:2006-01-09
申请号:KR1020040051245
申请日:2004-07-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 몰리브덴, 니오비움, 탄탈륨, 텅스텐 등과 같은 고융점 금속들 및 이들의 합금들과 같이 우수한 고온 내산화성을 필요로 하는 소재들 표면상에 형성된 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 고온에서 상기 모재들 표면에 몰리브덴 탄화물 코팅층 (MoC, Mo
2 C)을 형성한 후 실리콘을 기상 증착하여 고상치환반응에 의해서 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층을 제조한다. 상기 방법으로 제조된 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층은 등축정의 MoSi
2 결정입계에 SiC 입자들이 분포된 미세조직을 특징으로 하며, MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층에 존재하는 SiC 입자들의 부피 분율을 조절하여 모재의 열팽창계수와 유사한 조성의 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층이 가능하다. 따라서, 모재와 MoSi
2 -SiC 나노 복합 피복층의 열팽창계수차에 의해서 생성될 수 있는 크랙의 발생을 근원적으로 억제함으로써 고온 반복 내산화성 및 저온 내산화성이 향상되고, 피복층의 기계적성질의 개선되어 열응력에 의한 미세크랙의 전파 억제할 수 있다.
MoSi₂, 복합피복층, 내산화성-
公开(公告)号:KR100533649B1
公开(公告)日:2005-12-06
申请号:KR1020030053449
申请日:2003-08-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B22F3/00
Abstract: 본 발명은 500㎛ 이하의 용융 액적을 형성하는 단계와, 상기 용융 액적이 완전히 응고되기 전에 적층 성형체로 제조하는 단계와, 상기 적층 성형체를 선재로 가공하는 단계를 포함하는 용사용/용접용 금속 선재의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 제조방법에 의하면, 성형성이 열악한 금속 소재를 직경 5mm 이하의 용사용/용접용 선재로 단선 없이 용이하게 제조할 수 있다.
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