Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 2차 비선형 광학 폴리이미드 및 이를 사용하여 제조되는 비선형 광학 재료에 관한 것이다. 본 발명의 2차 비선형 광학 폴리이미드 화합물은 높은 내열성, 높은 유리 전이 온도, 및 유기 용매에 대한 우수한 용해성을 갖고 있을 뿐만 아니라, 전기 광학 계수의 열안정성이 우수하다.
식 중, Ar 1 은 , , , , 또는 이고, Ar 2 는 , 또는 이며, R은 또는 로 표시되는 벤족사졸 발색단이고, X는 S, O 또는 NH이며, y는 1 내지 6의 값을 갖고, EWG는 NO 2 , CH=C(CN) 2 , C(CN)=C(CN) 2 , , , 또는
Abstract:
본 발명은 다음식으로 표시되는, 부가 중합성을 갖는 비닐계 비선형 광학 특성 단량체와 글리시딜 메타크릴 레이트와의 공중합체 물질에 관한 것으로서, 높은 이차 비선형 광학 특성과 더불어 뛰어난 내열성, 투명성, 그리고 박막화 가공성을 겸비한다.
상기 식에서 m과 n의 합이 5~10000이고 m과 n의 합에 대한 n의 비율이 0.05 내지 0.95이고; R은 수소, 탄소수 1 내지 6인 포화 탄화수소, 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 6인 불소화탄소; X는 존재하지 않거나 메틸렌 또는 탄소수 6내지 12인 방향족 탄화수소; Y는 에테르, 에스테르, 아미드 및 설폰으로 구성되는 군에서 선택되는 결합단; NLO는 전자 주게와 전자 받게가 치환된 일반적인 이차 비선형 광학 특성 화학단이다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 갖는 측쇄형 이차 비선형 고분자 화합물 및 이를 사용하여 제조되는 비선형 광학 재료에 관한 것이다.
-(- MO -) m -----(- ITCN-NLO -) n -
식 중, m과 n은 그의 합이 5 내지 10000이고 m/(m+n) = 0.05 ∼ 0.95를 충족시키는 값이며; ITCN-NLO는
이며; X는 존재하지 않거나, 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌 또는 탄소수 6 내지 12의 방향족 탄화수소이고; Y는 에테르, 에스테르, 아미드, 탄소수 1 내지 5의 알킬아미노, 카르바메이트 및 설폰으로 구성되는 군에서 선택되는 결합단이며; NLO는 공역 방향족 고리가 비치환되거나 또는 전자 주게 및(또는) 전자 받게로 치환될 수 있는 일반적인 이차 비선형 광학 특성 화학단이고, MO는 ITCN-NLO와 공중합가능한 임의의 모든 중합성 단량체이다. 본 발명의 측쇄형 고분자 화합물은 매우 높은 이차 비선형 광학 특성과 더불어 뛰어난 내열성, 투명성 및 박막화 가공성을 겸비한다.
Abstract:
하기 화학식 2의 가교 결합제를 한 분자내의 측쇄에 도입시킨 열 가교형 유기 비선형 광학 활성 중합체가 제공된다. 이와 같이 얻어진 열 가교형 유기 비선형 광학 활성 중합체는 전기 광학 계수, 유기 용매에 대한 가용성, 가공성 등 제반 물성이 우수하고, 또한 열에도 안정하다. [화학식 2]
Abstract:
A complex gas separation membrane having an increased oxygen selectivities and permeabilities, comprises a porous support for membrane, a deposited active silicone compound layer on the support and a plasma treated layer of a polymerizable organic fluoride compound. Thus, a hexamethyldisiloxane monomer was polymerized in N2 gas, 5 mm Torr on a round porous membrane support. A thickness of the active layer is 5,000 ∦ for 10 min, 10,000∦ for 20 min, resp.
Abstract:
The method improves the photoconductivity and heat resistance of polymers by forming charge transfer complexes when exposed to the visible light. The method comprises (A) mixing the polyquinoline as electron doners with 2,4,7-trinitrofluorenone as electron acceptors in the ratio of 1 to 10 in the organic solvent; (B) forming charge transfer complexes; (C) forming film types and drying the polymers under vacuum atmosphere.
Abstract:
The semiconductory organic thin film is mfd. by (a) putting a substrate on the lower electrode of the low temp. plasma polymn. appts., (b) pressure-reducing the total system contg. an organic monomer and argon induction vent to be at most 5 millitorr, (c) argon plasma-pretreating it to remove off an adsorbed moisture on the substrate surface, and to improve an adhesion of a plasma polymn. film and the substrate, (d) regulating a supply velocity of the monomer vapour, and stabilizing a pressure of the reactor, (e) glow-discharging the monomer, and plasma-polymerizing it to deposit the organic thin film on the substrate, and (f) heat-treating the polymn. film.