公开(公告)号：KR101372287B1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：KR1020110134586

申请日：2011-12-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호원 ,  윤석진 ,  김진상 ,  최지원 ,  강종윤 ,  김도홍

IPC: G01N27/407 ,  H01L21/00 ,  G01N27/30

Abstract: 본 발명은 나노튜브 박막 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전극이 형성된 기판을 준비하는 제1단계; 상기 기판의 전극 상에 금속 박막을 증착하는 제2단계; 상기 금속 박막을 양극 산화시켜 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 감지막을 형성하는 제3단계; 및 상기 가스 감지막의 표면을 식각하는 제4단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법를 제공한다. 또한, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 전극; 및 상기 전극 상에 형성된 가스 감지막을 포함하되, 상기 가스 감지막은, 전극 상에 증착된 금속 박막이 양극 산화되어 형성된 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 센서를 제공한다. 본 발명에 따르면, 공정이 단조롭고 일반적인 실리콘 반도체 제조 공정과 호환성을 갖는다. 또한, 대량 생산이 가능하고, 대면적과 함께 고감도 및 고신뢰성을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020130067729A

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：KR1020110134586

申请日：2011-12-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장호원 ,  윤석진 ,  김진상 ,  최지원 ,  강종윤 ,  김도홍

IPC: G01N27/407 ,  H01L21/00 ,  G01N27/30

Abstract: PURPOSE: A nano-tube thin film gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a gas sensor capable of mass production, with large area and high gas sensitivity, a rapid response speed, and an ultra-low sensing concentration limit. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nano-tube thin film gas sensor comprises: a step of preparing a substrate(10) where an electrode(20) is formed; a step of depositing a metal thin film(32) on the electrode of the substrate; a step of forming a gas sensing layer including a metal nono-tube(34) by anodizing the metal thin film; and a step of etching the surface of the gas sensing layer. [Reference numerals] (AA) Anodization; (BB) Surface etching; (CC) Heat treatment

Abstract translation: 目的：提供一种纳米管薄膜气体传感器及其制造方法，以获得能够批量生产的气体传感器，具有大面积和高气体灵敏度，快速响应速度和超低感测浓度极限。 构成：纳米管薄膜气体传感器的制造方法包括：准备形成有电极（20）的基板（10）的工序; 在所述基板的电极上沉积金属薄膜（32）的步骤; 通过阳极氧化金属薄膜形成包括金属非管（34）的气体感测层的步骤; 以及蚀刻气体感测层的表面的步骤。 （标号）（AA）阳极氧化; （BB）表面蚀刻; （CC）热处理