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公开(公告)号：KR101372287B1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020110134586
申请日：2011-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , H01L21/00 , G01N27/30
Abstract: 본 발명은 나노튜브 박막 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전극이 형성된 기판을 준비하는 제1단계; 상기 기판의 전극 상에 금속 박막을 증착하는 제2단계; 상기 금속 박막을 양극 산화시켜 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 감지막을 형성하는 제3단계; 및 상기 가스 감지막의 표면을 식각하는 제4단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법를 제공한다. 또한, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 전극; 및 상기 전극 상에 형성된 가스 감지막을 포함하되, 상기 가스 감지막은, 전극 상에 증착된 금속 박막이 양극 산화되어 형성된 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 센서를 제공한다. 본 발명에 따르면, 공정이 단조롭고 일반적인 실리콘 반도체 제조 공정과 호환성을 갖는다. 또한, 대량 생산이 가능하고, 대면적과 함께 고감도 및 고신뢰성을 갖는다.
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公开(公告)号：KR101304248B1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120012585
申请日：2012-02-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L35/34
Abstract: 본 발명은 필름형 열전소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 열전소재 필름을 얻은 다음, 상기 열전소재 필름을 전극이 형성된 기판 상에 전사하여 제조하는 필름형 열전소자의 제조방법을 제공한다. 바람직한 구현예에 따라서, 본 발명은 (1) 지지체 상에 희생막을 형성하는 단계; (2) 상기 희생막 상에 열전소재 필름을 형성하는 단계; (3) 상기 열전소재 필름 상에 폴리머 필름을 형성하여, 지지체 상에 희생막, 열전소재 필름 및 폴리머 필름이 형성된 적층체를 얻는 단계; (4) 상기 적층체의 희생막을 제거하여 지지체와 열전소재 필름을 분리하는 단계; (5) 상기 분리된 열전소재 필름을 전극이 형성된 기판 상에 전사하는 단계; 및 (6) 상기 열전소재 필름 상에 형성된 폴리머 필름을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 기판의 제약이 없으며, 열전 성능이 향상된 고품질의 필름형 열전소자를 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130067729A
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020110134586
申请日：2011-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , H01L21/00 , G01N27/30
Abstract: PURPOSE: A nano-tube thin film gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a gas sensor capable of mass production, with large area and high gas sensitivity, a rapid response speed, and an ultra-low sensing concentration limit. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nano-tube thin film gas sensor comprises: a step of preparing a substrate(10) where an electrode(20) is formed; a step of depositing a metal thin film(32) on the electrode of the substrate; a step of forming a gas sensing layer including a metal nono-tube(34) by anodizing the metal thin film; and a step of etching the surface of the gas sensing layer. [Reference numerals] (AA) Anodization; (BB) Surface etching; (CC) Heat treatment
Abstract translation: 目的：提供一种纳米管薄膜气体传感器及其制造方法，以获得能够批量生产的气体传感器，具有大面积和高气体灵敏度，快速响应速度和超低感测浓度极限。 构成：纳米管薄膜气体传感器的制造方法包括：准备形成有电极（20）的基板（10）的工序; 在所述基板的电极上沉积金属薄膜（32）的步骤; 通过阳极氧化金属薄膜形成包括金属非管（34）的气体感测层的步骤; 以及蚀刻气体感测层的表面的步骤。 （标号）（AA）阳极氧化; （BB）表面蚀刻; （CC）热处理
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公开(公告)号：KR101210494B1
公开(公告)日：2012-12-10
申请号：KR1020100028684
申请日：2010-03-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B3/00
Abstract: 고분자미세구형체를이용하여제작된속이빈 반구체형태의 3차원구조산화물박막가스센서는기존의평면박막가스센서에비해 2~4배정도높은감응도를나타낸다. 이렇게 2~4배정도의감응도향상을가지는이유는속이빈 반구체형태의 3차원구조산화물박막에서그 표면적이평면박막에비해 2~4배이기때문이다. 다시말해서표면적증가가그에상응하는감응도향상으로나타나게된 것이다. 하지만, 속이빈 반구체형태의산화물박막가스센서가고감도유해공기차단시스템이나환경모니터링시스템에이용되기위해서는 2~4배보다더 큰감응도향상이필요한실정이다. 가령산화물나노입자구형체를이용하면평면박막가스센서대비 5배이상의감응도향상을가져올수 있다. 본발명에서는간단한플라즈마처리를이용하여속이빈 반구체산화물박막의나노구조형상을제어하고이를통해가스센서박막의감응도를획기적으로향상시켰다. 본발명에서개발된나노구조속이빈 반구체 TiO가스센서는종래에보고된 TiO가스센서보다더 높은 CO 가스감응도와빠른응답속도및 회복속도를보여준다.
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公开(公告)号：KR1020120089040A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：KR1020110010134
申请日：2011-02-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: Methods for manufacturing a ferroelectric thin film and a planar structure device are provided to have excellent dielectric properties by optimizing an emission condition of an excimer laser. CONSTITUTION: A preliminary amorphous ferroelectric thin film(22) is formed on a substrate(10). The thickness of the preliminary amorphous ferroelectric thin film is more than 50nm. The preliminary amorphous ferroelectric thin film includes one or more selected from Ba, Sr, Pb, Ca, La, K, Na, Ti, Zr, Nb, Ta and Fe. An excimer laser is emitted to the preliminary amorphous ferroelectric thin film.
Abstract translation: 目的：通过优化准分子激光器的发射条件，提供制造铁电薄膜和平面结构器件的方法以具有优异的介电性能。 构成：在基板（10）上形成初步的非晶铁电薄膜（22）。 初步非晶铁电薄膜的厚度大于50nm。 初步的非晶铁电薄膜包括选自Ba，Sr，Pb，Ca，La，K，Na，Ti，Zr，Nb，Ta和Fe中的一种或多种。 将准分子激光器发射到初步的非晶铁电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101134568B1
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020100036773
申请日：2010-04-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L21/205
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 실리콘 기판위에 단결정 카드늄텔루라이드 (CdTe) 박막을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조 방법은 1) 실리콘 기판 위에 자연산화막을 제거하는 단계; 2) 자연산화막이 제거된 상기 실리콘 기판위에 이종 화합물의 완충층을 두께를 조절하여 증착하는 단계; 3) 상기의 완충층 위에 CdTe 단결정을 성장하는 단계를 포함하는, 우수한 물성을 가지는 단결정의 CdTe 단결정 웨이퍼를 저가의 실리콘 기판위에 제조하는 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101450088B1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020120023257
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 평면형 다단 열전 모듈 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 절연 멤브레인; 및 상기 절연 멤브레인 상에 형성되고, N-형과 P-형 열전 박막이 전극 배선을 통해 전기적으로 연결된 열전 셀들을 가지는 열전 소자를 포함하되, 상기 열전 소자가 절연 멤브레인의 평면 방향으로 2단 이상 배열된 평면형 다단 열전 모듈을 제공한다. 또한, 본 발명은 기판 상에 절연 멤브레인을 형성하는 단계; 상기 절연 멤브레인 상에 N-형과 P-형 열전 박막을 포함하는 열전 셀들을 형성하되, 상기 열전 셀들을 절연 멤브레인의 평면 방향으로 2단 이상 배열하는 단계; 상기 N-형과 P-형 열전 박막이 전기적으로 연결되도록 전극 배선을 형성하는 단계; 및 상기 기판의 배면을 에칭하는 단계를 포함하는 평면형 다단 열전 모듈의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 박막 상으로 패터닝하여 열전 소자를 형성하되, 열전 소자를 평면 방향으로 2단 이상 다단 배열하여, 국소적인 부위에 대해서 우수한 열전 특성(냉각/가열 능력)을 갖는다.
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公开(公告)号：KR101344738B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020110132714
申请日：2011-12-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , B82Y40/00
Abstract: 본발명은고감도투명가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명은투명기판; 상기투명기판상에형성된투명전극; 및상기투명전극상에형성된투명가스감지층을포함하고, 상기투명가스감지층은투명전극상에형성된나노기둥과, 상기나노기둥의사이에형성된가스확산공극을포함하는나노주상구조를가지는투명가스센서를제공한다. 또한, 본발명은투명기판상에투명전극을형성하는제1단계; 상기투명전극상에투명가스감지층을형성하는제2단계를포함하고, 상기제2단계에서는투명가스감지층을투명전극상에형성된나노기둥과, 상기나노기둥의사이에형성된가스확산공극을포함하는나노주상구조를가지도록형성하는투명가스센서의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 투명성을확보하여투명전자기기나유리창등의투명제품에설치가가능하고, 감도가뛰어나외부에서어떠한열을가하지않을경우에도우수한가스감응도를갖는다. 그리고소비전력이낮아휴대폰과같은모바일기기에도장착이가능하다.
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公开(公告)号：KR101316734B1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR1020120011844
申请日：2012-02-06
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L31/02327 , B82Y30/00 , C03C17/42 , C03C2217/425 , C03C2217/73 , C03C2217/76 , H01L31/02168 , H01L31/02366 , H02S40/10 , Y02E10/50 , Y10S977/755 , Y10T428/24355
Abstract: 본 발명은 소수성 반사방지 기판 및 그 제조방법, 그를 포함하는 태양전지 모듈에 관한 것이다. 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 나노 구조부와, 상기 나노 구조부의 사이에 형성된 나노 공극부를 가지는 나노 구조층; 및 상기 나노 구조부에 형성된 소수성 코팅막을 포함하는 소수성 반사방지 기판 및 이를 포함하는 태양전지 모듈을 제공한다. 또한, 본 발명은 기판 상에 나노 구조부와, 상기 나노 구조부의 사이에 형성된 나노 공극부를 가지는 나노 구조층을 형성하는 제1단계; 및 상기 나노 구조부에 소수성 코팅막을 형성하는 제2단계를 포함하는 소수성 반사방지 기판의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 기판 상에 다공성의 나노 구조층이 형성되고, 상기 나노 구조층에는 소수성 코팅막이 형성되어 물방울 접촉각이 큰 초소수성을 갖는다. 또한, 다공성의 표면 나노 구조에 의해 광굴절율이 작아 낮은 반사도, 즉 높은 반사 방지특성을 가지며, 이와 함께 높은 광투과도를 갖는다.
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公开(公告)号：KR101303853B1
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020110010134
申请日：2011-02-01
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 강유전체 박막의 형성방법 및 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것으로, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(제조)시킬 수 있는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 이용한 평면 구조 소자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 (ⅰ) 기판 상에 비정질의 예비 강유전체 박막을 형성하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 비정질의 예비 강유전체 박막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화하는 단계를 포함하되, 상기 (ⅰ)단계에서는 비정질의 예비 강유전체 박막을 50㎚ 이상의 두께로 형성하고, 상기 (ⅱ)단계에서는 엑시머 레이저를 50 mJ/㎠ 내지 200 mJ/㎠의 에너지 밀도와, 1회 내지 2,000회의 조사횟수로 조사하는 강유전체 박막의 형성방법, 및 이를 포함하는 평면 구조 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 300℃ 이하의 저온에서 강유전체 박막을 형성(결정화)할 수 있으며, 엑시머 레이저 어닐링의 특성상 박막 하단부에 잔존하는 비정질층의 영향을 받지 않는 평면 구조 소자(Device of planar structure)를 구현하여 고온 소결에 의한 박막보다 우수한 유전 특성을 가지는 강유전체 소자를 제조할 수 있다.
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