公开(公告)号：KR1019990038230A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970057884

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  김동준

IPC: H01L21/28

Abstract: 소자제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와의 저항성 접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층 구조 금속 배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 탄탈륨실리나이트라이드 (TaSiN
x )의 삼원소계 확산 방지막을 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산 방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적 특성의 열화를 막을 수 없는데 반하여 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지할 수 있으며, 전기적 특성을 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는 특징이 있다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억 소자의 제조방법에서 새로운 다층 금속 배선 구조로써 기존의 확산 방지막을 사용한 다층 금속 배선보다 월등히 우수한 특성을 가진다.

公开(公告)号：KR101295788B1

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：KR1020120081703

申请日：2012-07-26

Applicant: 숭실대학교산학협력단 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 안형준 ,  이재면 ,  김동준 ,  김진욱

IPC: A63B69/36

CPC classification number: A63B69/3658 ,  A63B69/3676 ,  A63B2220/833

Abstract: PURPOSE: A putting testing unit is provided to analyze movements of a golf ball according to a putting condition. CONSTITUTION: A putting testing unit (100) comprises a housing (10) which is installed on a green; a putter (20) which combines to the housing and which putts a golf ball positioned on a green when the putter spins; a motor (30) which rotates the putter; a camera (40) which records movements of a golf ball after the golf ball is putted; a detecting censor (50) which is installed on the green to be separated to each other along with moving directions of the golf ball and which detects movements of the golf ball; and an analyzing part which analyzes movements of the golf ball using information collected from images recorded by the camera and detected by the detecting censor.

Abstract translation: 目的：提供放样测试单元，根据放置条件分析高尔夫球的运动。 构成：放置测试单元（100）包括安装在绿色上的壳体（10）; 推杆（20），其结合到壳体，并且当推杆旋转时将推杆定位在绿色上; 旋转推杆的马达（30）; 在高尔夫球放置之后记录高尔夫球的运动的照相机（40）; 检测检测器（50），其安装在绿色上以与高尔夫球的移动方向相互分离并且检测高尔夫球的运动; 以及分析部件，其使用从由照相机记录的图像收集的信息分析高尔夫球的运动，并由检测器检测。

公开(公告)号：KR100255130B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019970057885

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  김동준

IPC: H01L21/318

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing WBxNy anti-diffusion film is provided to prevent diffusion of a semiconductor and a main wire metal even when a subsequent thermal process is performed at high temperature over a given temperature range and to prevent degradation of an electrical characteristic and defects. CONSTITUTION: A method for manufacturing WBxNy anti-diffusion film employs a low pressure chemical deposition method or a plasma chemical deposition method. In the low pressure chemical deposition method, with the flow rate of WF5 of 2-10 sccm and the flow rate of H2 of 50-300 sccm. the raw gas is inserted into a vacuum reactor by changing the flow ratio of B10H14/NH13 in the range of 2-5 and the temperature of a substrate is heated at the temperature of 40-300 Celsius at the pressure of below 1-10-1 Torr.

Abstract translation: 目的：提供一种制造WBxNy防扩散膜的方法，以防止半导体和主金属丝金属的扩散，即使在高温下在一定温度范围内进行后续热处理并防止电特性和缺陷的劣化 。 构成：制造WBxNy防扩散膜的方法采用低压化学沉积法或等离子体化学沉积法。 在低压化学沉积法中，WF5流量为2-10sccm，H2流量为50-300sccm。 通过将B10H14 / NH13的流量比改变为2-5，将原料气体插入真空反应器中，并将基板的温度在40-300℃的温度下加压至低于1-10℃， 1乇

公开(公告)号：KR100250954B1

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019970057884

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  김동준

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a diffusion barrier of tantalum silicon nitride(TaSiNx), a contact junction and a multi-level interconnection using the barrier, and related methods are provided to keep excellent electric characteristics after high-temperature heat treatment as well. CONSTITUTION: The TaSiNx diffusion barrier is deposited by sputtering, which uses a tantalum silicide(Ta5Si3) target with a nitrogen gas flow varying from 0 to 10 percent with respect to an entire gas flow including argon gas. Thus, the concentration of nitrogen in the diffusion barrier is controlled between 0 and 43 atomic percent. The TaSiNx diffusion barrier is deposited with a thickness of 500Å to 2000Å, and used for contact with silicon, gallium arsenic, gallium nitride, or indium phosphorus. In addition, the TaSiNx diffusion barrier(7) with 28 nitrogen atomic percent or below is used for the contact junction with a source(2) and a drain(3) to a temperature of 700°C. Furthermore, the TaSiNx diffusion barrier(7) with 40 nitrogen atomic percent or more is used for the multi-level interconnection including an interlayer dielectric layer(9) and a metallization layer(8) to a temperature of 900°C.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成钽硅氮化物（TaSiNx）的扩散阻挡层的方法，使用该阻挡层的接触点和多层互连以及相关方法，以在高温热处理之后保持优异的电特性。 构成：通过溅射沉积TaSiNx扩散势垒，其使用氮化钽（Ta 5 Si 3）靶，相对于包括氩气的整个气流，氮气流量为0至10％变化。 因此，扩散阻挡层中的氮浓度控制在0〜43原子％之间。 TaSiNx扩散阻挡层以500〜2000的厚度沉积，用于与硅，砷化镓，氮化镓或铟磷的接触。 此外，具有28个氮原子百分比或更低的TaSiNx扩散势垒（7）用于与源（2）和漏极（3）的接触连接至700℃的温度。 此外，具有40个氮原子百分比或更大的TaSiNx扩散势垒（7）用于包括层间电介质层（9）和金属化层（8）至900℃的多层互连。

公开(公告)号：KR1019990038231A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970057885

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  김동준

IPC: H01L21/318

Abstract: 본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 다층구조 금속 연결배선에 관한 것으로, 특히, 그에 사용되는 새로운 구조의 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 소자 제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와 저항성접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층구조 금속배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 상호확산을 막을 수 있는 확산방지막으로서, 본 발명에서 제안된 삼원소계 확산방지막인 텅스텐보론나이트라이드 (WB
x N
y )를 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확산방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적특성의 열화를 막을 수 없느데 반하여, 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지하였으며, 전기적 특성의 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 제조 방법에서 새로운 다층금속배선 구조중의 확산방지막으로 텅스텐보론나이트라이드를 사용하므로써, 기존의 확산방지막을 사용한 경우보다 월등히 우수한 전기적특성을 가지는 다층금속배선을 제공한다.