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公开(公告)号：KR1020140083190A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120152563
申请日：2012-12-24
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/5092 , C01B32/23 , C01B2204/28 , H05B33/10
Abstract: The present invention relates to an organic electroluminescent light emitting device using graphene oxide and a method of fabricating the same. Disclosed is the organic electroluminescent light emitting device and a method of fabricating the same, whereby at least one of a hole injection layer and an electron injection layer includes graphene oxide in the organic electroluminescent light emitting device having a positive electrode, the hole injection layer, a light emitting layer, the electron injection layer, and a negative electrode laminated on a substrate.
Abstract translation: 本发明涉及使用氧化石墨烯的有机电致发光器件及其制造方法。 公开了有机电致发光器件及其制造方法，其中在具有正极的有机电致发光器件中，空穴注入层和电子注入层中的至少一个包括氧化石墨，空穴注入层， 发光层，电子注入层和负极层叠在基板上。
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公开(公告)号：KR101305381B1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020110126210
申请日：2011-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B3/08 , F24S23/00 , F24S23/31 , F24S40/52 , F24S50/80 , H01L31/054 , H01L31/0543 , Y02E10/43 , Y02E10/44 , Y02E10/52
Abstract: 태양광 시뮬레이터 하부에 개방된 면적을 제어할 수 있는 조절부가 결합된 집광비 제어장치를 장착하여 조절부를 조절함에 따라서 개방 면적이 조절되고, 그 결과 조절부 하부에 놓인 프레넬 렌즈를 통해 입사되는 광량을 변화시켜서 집광기 아래에 놓인 태양전지 표면에 조사되는 광량 즉, 집광비를 조절할 수 있는 집광형 태양전지용 집광비 제어장치를 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 집광형 태양전지용 집광비 제어장치는 광원으로부터 조사되는 광량을 1차적으로 집광하는 제1 집광부, 제1 집광부의 하부와 태양전지 사이에 배치되어 제1 집광부를 통과한 광량을 2차적으로 집광하여 태양전지로 조사하는 제2 집광부, 광원과 제1 집광부 사이에 배치되어 외력에 따라 제1 집광부의 집광 면적을 조절하여 제1 집광부로 집광되는 광량을 조절하는 조절부, 및 입력되는 신호를 분석하여 조절부로 해당되는 구동 제어신호를 공급하는 제어부를 포함한다. 집광부로 집광되는 광량을 조절하는 조절부의 개방면 형상은 사각형, 원형 또는 다각형일 수 있다.
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公开(公告)号：KR101274609B1
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：KR1020110104561
申请日：2011-10-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
Abstract: 본 발명은 마스크 패턴 검사용 3차원 영상 획득 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 제1 및 제2 극자외선을 방사하는 제1 및 제2 광원부와, 상기 제1 및 제2 광원부로부터 방사된 극자외선을 각각 반사하여 집광하는 제1 및 제2 오목거울과, 상기 제1 및 제2 오목거울에 의해 각각 집광된 극자외선을 측정대상 마스크를 향하여 각각 반사하는 제1 및 제2 반사거울과, 상기 측정대상 마스크의 Z축을 기준으로 서로 대향되게 일정한 제1 및 제2 각도로 기울어져 각각 반사된 제1 및 제2 회절 이미지를 획득하는 제1 및 제2 CCD 카메라와, 상기 측정대상 마스크를 안착시키는 스테이지와, 상기 스테이지의 일측에 구비되며, 상기 측정대상 마스크의 전체 이미지를 스캔할 수 있도록 상기 스테이지를 X축 및 Y축 방향으로 이동시키기 위한 이동수단과, 상기 제1 및 제2 CCD 카메라로부터 각각 획득된 제1 및 제2 회절 이미지를 역 고속 퓨리에 변환(IFFT) 및 정합을 수행하여 상기 측정대상 마스크의 패턴 이미지를 복원함과 아울러 상기 이동수단의 동작을 제어하기 위한 구동제어신호를 출력하는 제어장치를 포함함으로써, 극자외선(EUV) 광원으로 만들어진 차세대 반도체 공정에서 사용되는 3차원 구조의 마스크 패턴에 존재하는 미세 결함(Defect) 등을 효과적으로 검사할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020130039903A
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110104561
申请日：2011-10-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
CPC classification number: H01L22/12 , G03F7/70608 , G03F7/70616 , H01L21/0274 , H01L22/30
Abstract: PURPOSE: A 3-dimensional image acquisition system for mask pattern inspection and a method thereof are provided to effectively detect micro defects generated in a 3D mask pattern due to an extreme ultraviolet light source. CONSTITUTION: A first and a second optical source part(100a,100b) radiate first and second extreme ultraviolet. A first and a second concave mirror(200a,200b) condense the extreme ultraviolet radiated from the first and the second optical source part. A first and a second back mirror(300a,300b) reflect the condensed extreme ultraviolet to a measurement target mask. A first and a second CCD camera(600a,600b) records the diffraction beam information of the measurement target mask(10). The measurement target mask is mounted on a stage(400). A transfer unit(500) moves the stage in the X-axis and the Y-axis direction. [Reference numerals] (700) Control device;
Abstract translation: 目的：提供一种用于掩模图案检查的三维图像采集系统及其方法，以有效地检测由于极紫外光源而导致的3D掩模图案中产生的微缺陷。 构成：第一和第二光源部分（100a，100b）辐射第一和第二极紫外线。 第一和第二凹面镜（200a，200b）冷凝从第一和第二光学源部分辐射的极紫外线。 第一和第二后视镜（300a，300b）将浓缩的极紫外光反射到测量目标掩模。 第一和第二CCD照相机（600a，600b）记录测量目标掩模（10）的衍射光束信息。 测量目标掩模安装在平台（400）上。 传送单元（500）在X轴和Y轴方向上移动台。 （附图标记）（700）控制装置;
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100830060B1
公开(公告)日：2008-05-19
申请号：KR1020060128888
申请日：2006-12-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: A phase change memory device and a manufacturing method thereof are provided to obtain a superior electric characteristic by maintaining a phase change region of a constant volume. A first insulating layer(20) is formed on a substrate(10), and has a groove formed on an upper surface thereof. A bottom electrode(30) is deposited on the first insulating layer, and has a concave portion formed along a shape of the groove. The concave portion is filled with a phase change material(40). A second insulating layer(50) is formed on the phase change material, and has an opening for partially exposing the upper surface of the phase change material. A top electrode(70) contacts the upper surface of the phase change material through the opening.
Abstract translation: 提供一种相变存储器件及其制造方法，通过维持恒定体积的相变区域来获得优异的电特性。 第一绝缘层（20）形成在基板（10）上，并且在其上表面上形成有凹槽。 底部电极（30）沉积在第一绝缘层上，并具有沿凹槽形状形成的凹形部分。 凹部填充有相变材料（40）。 第二绝缘层（50）形成在相变材料上，并且具有用于部分地暴露相变材料的上表面的开口。 顶部电极（70）通过开口接触相变材料的上表面。
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公开(公告)号：KR100524115B1
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020030030267
申请日：2003-05-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/105
Abstract: 본 발명은 산소 플라즈마 급속 열처리를 이용한 강유전체 게이트 제조방법에 관한 것으로, 강유전체 내의 산소결핍을 막고, 강유전체와 실리콘 기판사이에 원하지 않는 실리콘 산화막이 두껍게 성장하는 것을 방지 하는 방법을 제공함으로써 강유전체 게이트산화막을 사용한 트랜지스터의 전기적특성을 현저히 개선시키는 효과를 가져올 수 있다. 본 발명에 따른 산소 플라즈마 열처리에 의하여 강유전체박막 내의 산소 및 휘발성재료가 700 - 800℃의 고온에서 휘발하여 결핍되는 현상을 막을 뿐만 아니라, 플라즈마 상태로 반응성이 높은 활성화된 산소를 오히려 강유전체 박막 내에 주입 할 수 있으므로 원활한 산소의 공급이 이루어져 600 - 700℃ 정도의 보다 낮은 온도에서 강유전체를 특성을 발현할 수 있는 우수한 화학 양론적 조성과 c축방향으로 배향된 결정성을 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR100478229B1
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：KR1020030034908
申请日：2003-05-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/768
Abstract: 본 발명은 강유전체 메모리 셀의 연결방법 및 그 연결방법에 의한 강유전체 메모리에 관한 것으로서, 특히 서로 간섭없이 원하는 메모리 셀에서만 읽기 및 쓰기 동작이 수행될 수 있도록 한 강유전체 메모리 셀의 연결방법 및 그 연결방법에 의한 강유전체 메모리에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 금속-강유전체-금속-절연체-실리콘 구조의 전계효과 트랜지스터의 상부전극 및 소스는 열로 연결하고, 하부전극 및 드레인은 행으로 연결하고, 상부전극이 연결된 열과, 하부전극 및 드레인이 연결된 행에, 쓰기 신호 및 읽기 신호를 공급하는 구동회로를 연결함으로써, 서로의 간섭없이 선택된 셀에서만 읽기 및 쓰기가 수행될 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR100465278B1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：KR1020020018286
申请日：2002-04-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01G11/56
CPC classification number: H01G9/038 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y02T10/7022
Abstract: Disclosed is an electric double-layered capacitor fabricated by inserting a UV-curing gel type polymer electrolyte having excellent characteristics of ion conductivity, adhesion to electrode, compatibility with an organic solvent electrolyte, mechanical stability, permeability, and applicability to process, between electrodes. Accordingly, the present invention increases its storage capacitance, reduces self-discharge of electricity, and decreases inner cell resistance.
Abstract translation: 本发明公开了一种双电层电容器，其通过在电极之间插入具有优异的离子传导性，与电极的粘合性，与有机溶剂电解质的相容性，机械稳定性，渗透性和适用性的紫外线固化凝胶型聚合物电解质而制成。 因此，本发明增加了其存储电容，减少了电的自放电，并降低了内部电池电阻。
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公开(公告)号：KR1020040071941A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：KR1020030007862
申请日：2003-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G06F17/5045 , H01L43/08
Abstract: PURPOSE: A method for designing the equivalent circuit of a spin bipolar transistor is provided to easily realize the design of the multi spin bipolar transistor and the spin logic circuit. CONSTITUTION: A method for designing the equivalent circuit of a spin bipolar transistor is characterized in that the flowing of the spin polarized current from the emitter to the collector is analyzed by constructing the emitter and the collector as each of the inductances. The spin bipolar transistor of emitter/base/collector structure is made of ferroelectric material/non-ferroelectric material/ferroelectric material. And, the base is consisted of a variable resistance and a variable capacitance.
Abstract translation: 目的：设计一种自旋双极晶体管的等效电路设计方法，以便轻松实现多自旋双极晶体管和自旋逻辑电路的设计。 构成：用于设计自旋双极晶体管的等效电路的方法的特征在于，通过将发射极和集电极构成为每个电感来分析从发射极到集电极的自旋极化电流的流动。 发射极/基极/集电极结构的自旋双极晶体管由铁电材料/非铁电材料/铁电材料制成。 而且，基极由可变电阻和可变电容组成。
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