公开(公告)号：KR1020170006970A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020150098474

申请日：2015-07-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 함정엽 ,  김태정 ,  김관태 ,  최필주 ,  황병수 ,  김영석

IPC: A61K36/258 ,  A61K31/704

CPC classification number: A61K36/258 ,  A61K9/00 ,  A61K2236/00

Abstract: 파낙스속식물추출물을유효성분으로포함하는피부암예방또는치료용약학조성물및 그를이용한개체의피부암을예방또는치료하는방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明提供一种用于预防或治疗皮肤癌的药物组合物，以及通过使用药物组合物预防或治疗受试者的皮肤癌的方法，其中所述药物组合物包括Panax spp。 植物提取物作为活性成分。

公开(公告)号：KR101741827B1

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：KR1020150098474

申请日：2015-07-10

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 함정엽 ,  김태정 ,  김관태 ,  최필주 ,  황병수 ,  김영석

IPC: A61K36/258 ,  A61K31/704

CPC classification number: A61K36/258 ,  A61K9/00 ,  A61K2236/00

Abstract: 파낙스속식물추출물을유효성분으로포함하는피부암예방또는치료용약학조성물및 그를이용한개체의피부암을예방또는치료하는방법을제공한다.

Abstract translation: 皮肤癌和皮肤癌，或用于治疗与他的对象，包括人参属植物的植物提取物作为活性成分的药物组合物的预防提供预防或治疗的方法。

公开(公告)号：KR100286253B1

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：KR1019980008282

申请日：1998-03-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  김영석 ,  곽성관

IPC: C23C16/00

Abstract: PURPOSE: A method is provided which manufactures a selectively patterned thin metal film not using dry etching process, and a method is provided which connects a multilayer metal wiring for memory elements and non-memory elements using the method. CONSTITUTION: The method for selectively depositing a thin metal film comprises a plasma treatment step of discharging 13.56 MHz nitrogen plasma having a certain power onto a substrate(6) which is patterned with a metal diffusion prevention film(7) and an oxide film(8) for a certain period of time under the conditions of certain temperature and pressure; a thin metal film(9) deposition step of depositing a metal material on the plasma treated substrate using an organic chemical deposition process, wherein the diffusion prevention film(7) is a thin titanium nitride(TiN) film, the oxide film(8) is silicon dioxide(SiO2) or borophosphosilicate glass(BPSG), and the plasma treatment is performed under the conditions of a plasma power of 30 W, a pressure of 0.1 to 1 torr, a temperature of an ordinary temperature to 200 deg.C and a treatment time of 30 minutes.

公开(公告)号：KR1019990074592A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980008282

申请日：1998-03-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김은규 ,  김영석 ,  곽성관

IPC: C23C16/00

Abstract: 건식 식각공정을 이용하지 않고 선택적으로 패터닝된 금속박막을 제조하는 방법 및 그를 이용한 기억소자 및 비기억소자(이하 "소자")용 다층 금속 연결배선 방법을 제공한다.
확산방지막(TiN) 및 산화막(SiO
2 또는 BPSG)으로 패터닝된 반도체 기판상에 소정 온도, 압력, 주파수 및 전력 조건하에서 질소 플라즈마를 소정 시간동안 방전하여 기판을 플라즈마 처리하고, 그 위에 유기화학증착법을 사용하여 금속원료를 증착하는 금속박막 증착단계로 이루어진다.
본 발명에 의한 선택적 금속박막 증착방법은 종래의 건식 식각공정이나 다마신에 비하여 공정이 간단하고, 우수한 특성의 금속박막을 형성할 수 있으며, 현재 반도체소자의 주배선재료인 알루미늄보다 뛰어난 전기적, 물리적 특성을 갖고 있는 구리를 배선재료로 쓸 수 있게 됨으로써 우수한 특성의 반도체 소자를 제작할 수 있게 되었다.