복수의 양자 통신 클라이언트로 공통키를 분배하는 방법 및 장치

    公开(公告)号:KR101737782B1

    公开(公告)日:2017-05-19

    申请号:KR1020150083401

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 일실시예에따른양자암호통신방법은, 기준키를획득하는단계; 비교대상양자키를획득하는단계; 상기기준키와상기비교대상양자키를비교하는단계; 및상기기준키와비교대상양자키의비교결과에기초하여, 공통키를이루는상기비교대상양자키의비트값들의인덱스를나타내는인덱스열을생성하는단계;를포함한다. 또한, 일실시예에따른양자암호통신장치는, 기준키를획득하는기준키획득부; 비교대상양자키를획득하는비교대상양자키획득부; 및상기기준키와상기비교대상양자키를비교함으로써, 공통키를이루는상기비교대상양자키의비트값들의인덱스를나타내는인덱스열을생성하는인덱스열생성부;를포함한다.

    변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드
    7.
    发明授权
    변형된 도핑 및 조성 흡수층을 이용한 애벌랜치 포토다이오드 有权
    APD使用调制掺杂和成分吸收剂

    公开(公告)号:KR101663644B1

    公开(公告)日:2016-10-10

    申请号:KR1020140150214

    申请日:2014-10-31

    Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 흡수층및 증폭층이각각분리되어형성된(separate absorption and multiplication) 애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.

    포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법
    8.
    发明公开
    포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법 有权
    光化物及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160050574A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:KR1020140149039

    申请日:2014-10-30

    CPC classification number: H01L31/107 H01L31/184 H01L31/1844

    Abstract: 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种放大电子和空穴并具有高电压增益的光电二极管及其制造方法。 光电二极管包括:基板; 设置在所述基板上的第一载流子放大层; 设置在所述第一载流子放大层上的光子吸收层; 以及设置在光子吸收层上的第二载流子放大层。 制造光电二极管的方法包括以下步骤:在衬底上形成第一载流子放大层; 在所述第一载流子放大层上形成光子吸收层; 以及在所述光子吸收层上形成第二载流子放大层。 根据本发明的实施例,可以通过使用两种载体两者放大信号来提高电压增益和光子检测的可靠性。

    제3자 없이 수행할 수 있는 상호 양자 개체 인증 방법

    公开(公告)号:KR1020210043918A

    公开(公告)日:2021-04-22

    申请号:KR1020190126835

    申请日:2019-10-14

    Abstract: 본명세서는원격벨 상태준비(Remote Bell State Preparation)을이용하여제3자없이도상호양자개체인증이가능한방법을개시한다. 본명세서에따른양자통신장치는, 광자출력단및 광자입력단을가진광통신부; 인증대상통신장치와미리나누어가진인증키정보를저장하는메모리부; 상기인증키정보에따라광자를생성하는광자생성부; 제1 내지제3 편광빔 스플리터; 상기제3 편광빔 스플리터에서출력된광자를검출하는제1 검출기및 제2 검출기; 및상기제1 검출기및 제2 검출기에서출력된신호와상기인증키정보를이용하여인증대상통신장치가정당한통신개체인지인증하는제어부;를포함할수 있다.

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