Abstract:
본 명세서는 기판건조장치 및 기판건조방법, 보다 상세하게는 초임계건조공정을 수행하는 장치 및 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 기판건조방법의 일 양상은, 챔버로 회로패턴에 유기용매가 잔류하는 기판을 반입하는 단계; 상기 챔버로 유기용매를 공급하여 상기 기판이 상기 유기용매 내에 위치되는 단계; 상기 챔버로 초임계유체를 공급하여 상기 챔버 내부가 상기 초임계유체의 영역과 상기 초임계유체에 의해 팽창된 유기용매의 영역으로 분리되는 단계; 상기 초임계유체가 상기 유기용매를 치환하는 단계; 및 상기 챔버의 내부압력을 낮추어 상기 회로패턴의 손상을 방지하며 상기 기판을 회수하는 단계;를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: An apparatus and a method for drying a substrate are provided to dry a substrate without the damage of a circuit pattern by using a supercritical fluid. CONSTITUTION: A substrate is transferred into a drying chamber(S110). An organic solvent is supplied to the drying chamber(S120). A supercritical fluid is supplied to the drying chamber(S130). The organic solvent is discharged from the drying chamber(S120). The supercritical fluid is discharged from the drying chamber(S120). The substrate is transferred from the drying chamber(S160). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Load a substrate; (S120) Supply an organic solvent; (S130) Supply a supercritical fluid; (S140) Discharge the organic solvent; (S150) Discharge the supercritical fluid; (S160) Unload the substrate
Abstract:
본 발명은 직접 나노기공 복제법(direct nano-replication method)을 이용한 나노기공 금속 산화물 촉매의 제조 방법에 관한 것으로, 주형으로서 나노기공성 실리카물질에 금속 산화물의 전구체 용액을 함침 및 건조시킨 후 실리카 주형을 습식-에칭시키는 본 발명의 방법에 따라 제조된 금속 산화물은 규칙적인 나노기공 구조, 높은 비표면적을 가지므로, 기존의 광촉매에 비해 우수한 활성을 가져 유기 및 무기 유해물질의 흡착 및 제거용 촉매로 매우 유용하다.
Abstract:
A manufacturing method of metal oxide by using a direct nano-replication method is provided to easily manufacture the metal oxide with excellent photo-catalyst activity and be used as catalyst for absorbing and removing organic and inorganic materials . A precursor solution of metal oxide is impregnated into a nano-air hole silica material as a mold and dried, and thereafter the silica mold is wet-etched. Thereafter the silica mold is removed. The dry process is performed at the room temperature or 150 deg.C in centigrade. The impregnation and dry processes are performed twice or more repeatedly. After the impregnation and dry processes, a calcination process is performed at 500 to 700 deg.C in centigrade before the wet-etching.
Abstract:
목분을탄화한탄화목분전도성필러를제공한다. 나아가탄화목분을플라즈마처리하여전도성을크게향상시킬수 있다. 이러한전도성필러를매트릭스수지와복합화하여복합소재를제공한다. 이에따라, 기존의전도성복합소재의필러인카본블랙등을재생가능한천연재료로대체할수 있으며, 또한필러함량을감소시킬수 있고전도성역시향상될수 있다.
Abstract:
목분을탄화한탄화목분전도성필러를제공한다. 나아가탄화목분을플라즈마처리하여전도성을크게향상시킬수 있다. 이러한전도성필러를매트릭스수지와복합화하여복합소재를제공한다. 이에따라, 기존의전도성복합소재의필러인카본블랙등을재생가능한천연재료로대체할수 있으며, 또한필러함량을감소시킬수 있고전도성역시향상될수 있다.