公开(公告)号：KR100363393B1

公开(公告)日：2002-11-30

申请号：KR1020000036003

申请日：2000-06-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  박영균 ,  김성일 ,  김익수

IPC: H01L27/115

Abstract: 본 발명은 비파괴판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, YMnO
3 등 유전상수가 20 내지 30인 강유전체 재료를 사용하여 금속/ 강유전체/반도체 구조에서의 강유전체 박막을 형성한 게이트를 갖는 트랜지스터를 제조하는 방법을 제공하고 이 트랜지스터를 비파괴 판독형 불휘발성 기억소자의 메모리 셀소자로 사용함에 의해, 동작전압의 상승, 전하주입(charge injection)현상, 문턱전압 변경, 누설전류증가, 메모리셀 이상동작, 강유전체의 포화분극지연등 종래 강유전체를 사용하는 경우에 발생되었던 문제점을 해소할 수 있도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR1020020005218A

公开(公告)日：2002-01-17

申请号：KR1020000036003

申请日：2000-06-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  박영균 ,  김성일 ,  김익수

IPC: H01L27/115

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a memory cell device of a non-destructive readout non-volatile memory device is provided to decrease an operation voltage, by forming a transistor of a metal/YMNO3/Si gate structure so that the voltage applied to a ferroelectric is remarkably increased at a low operation voltage and the voltage across an oxide layer can be decreased. CONSTITUTION: Y/Mn mole density is controlled to maintain a Y/Mn composition ratio from 21/15 to 8/14 so that a YMnO3 ferroelectric thin film of a transistor gate having a metal/ferroelectric/semiconductor structure is deposited by a metal organic decomposition(MOD) method.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造非破坏性读出非易失性存储器件的存储单元器件的方法，通过形成金属/ YMNO3 / Si栅极结构的晶体管来降低工作电压，使得施加到铁电体 在低操作电压下显着增加，并且可以降低跨越氧化物层的电压。 构成：控制Y / Mn摩尔浓度以使Y / Mn组成比从21/15至8/14保持，使得具有金属/铁电/半导体结构的晶体管栅极的YMnO 3铁电薄膜通过金属有机物 分解（MOD）方法。