公开(公告)号：KR101240276B1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020110007470

申请日：2011-01-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤진문 ,  여준석 ,  김동유 ,  김준경 ,  구혜영 ,  나석인

IPC: C01B31/02 ,  H01L31/04 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0045 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/192 ,  H01L51/44 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 산화 그래핀의 환원처리를 통한 그래핀 박막 및 이를 이용한 광전소자의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 그래핀 박막의 제조방법은 (a) 산화 그래핀을 준비하는 단계, (b) 상기 산화 그래핀을 설포닐 히드라지드 계열 환원제로 환원시켜 그래핀을 제조하는 단계, (c) 상기 그래핀을 유기용매에 분산시켜 그래핀 분산액을 제조하는 단계 및 (d) 상기 그래핀 분산액을 이용하여 그래핀 박막을 제조하는 단계를 포함하는 것이고, 상기 설포닐 히드라지드 계열 환원제는 명세서의 화학식 1의 설포닐 히드라지드 치환기를 갖는 화합물인 것일 수 있고, A가 명세서의 화학식 2 중 어느 하나인 것일 수 있다.

公开(公告)号：KR101093140B1

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：KR1020110049802

申请日：2011-05-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 구본철 ,  박옥경 ,  이성호 ,  나석인 ,  조한익 ,  김준경 ,  이중희

IPC: C01B31/02 ,  H01B1/04 ,  C08K3/04 ,  C09C1/44

CPC classification number: H01B1/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/194 ,  C01B32/23 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/40 ,  C08G61/10 ,  C08G2261/314 ,  C08K3/00 ,  C08K3/04 ,  C08K3/042 ,  C09C1/44 ,  C08L77/00 ,  C08L79/08 ,  C08L79/06 ,  C08L67/00 ,  C08L23/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing reduced graphene oxide and a reduced graphene oxide-polymer composite are provided to obtain the reduced graphene oxide and the reduced graphene oxide-polymer composite of superior electric conductivity. CONSTITUTION: A method for manufacturing reduced graphene oxide includes the following: Graphene oxide, which is obtained by treating graphite based on strong acid, is mixed with a halogen substituted aromatic compound. The mixture is stirred to obtain graphene oxide to which the halogen substituted aromatic compound is covalently bonded. The graphene oxide is thermally treated at a temperature between 100 and 450 degrees Celsius.

Abstract translation: 目的：提供一种减少石墨烯氧化物和还原型石墨烯氧化物 - 聚合物复合材料的制造方法，以获得具有优异导电性的还原型石墨烯氧化物和氧化还原型氧化物 - 聚合物复合材料。 构成：用于制造还原型石墨烯氧化物的方法包括以下：通过处理基于强酸的石墨获得的氧化石墨烯与卤素取代的芳族化合物混合。 将混合物搅拌以获得卤素取代的芳族化合物共价键合的氧化石墨烯。 氧化石墨烯在100至450摄氏度的温度下热处理。

公开(公告)号：KR101284175B1

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020100127012

申请日：2010-12-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이성호 ,  나석인 ,  구본철 ,  김준경

IPC: H01B1/24 ,  C08L79/08 ,  C08K3/04

Abstract: 본 발명은 그래핀/폴리이미드계 전도성 복합재료의 제조 방법에 관한 것으로서; 보다 상세하게는 폴리아믹산(poly amic acid) 및 그래핀 옥사이드(graphene oxide)를 포함하는 조성물, 상기 조성물을 열처리하여 이미드화(thermal imidization)하는 단계를 포함하는 그래핀/폴리이미드계 전도성 복합재료의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 탄소계 소재의 분산성을 향상시키기 위한 별도의 전처리 과정을 요구되지 않으며, 저렴한 가격의 탄소계 소재의 전구체를 이용할 수 있어 경제적으로 유리할 뿐만 아니라, 고분자 전구체의 고분자화 과정에서 전기 전도도를 갖는 복합재료를 단순화된 방법으로 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120086177A

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：KR1020110007470

申请日：2011-01-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 윤진문 ,  여준석 ,  김동유 ,  김준경 ,  구혜영 ,  나석인

IPC: C01B31/02 ,  H01L31/04 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0045 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/192 ,  H01L51/44 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A graphene thin film based on a sulfonyl hydrazide-based reducing agent and a method for manufacturing a photoelectric device using the same are provided to adjust the thickness of a reduced graphene thin film. CONSTITUTION: A graphene thin film based on a sulfonyl hydrazide-based reducing agent includes the following: oxidation graphene is prepared; the oxidation graphene is reduced based on a sulfonyl hydrazide-based reducing agent to manufacture graphene; the graphene is dispersed in an organic solvent to manufacture a graphene dispersed solution; and a graphene thin film is manufactured based on the graphene dispersed solution. The sulfonyl hydrazide-based reducing agent includes a sulfonyl hydrazide substituted group represented by chemical formula 1.

Abstract translation: 目的：提供一种基于磺酰肼类还原剂的石墨烯薄膜及其制造方法，以调整还原型石墨烯薄膜的厚度。 构成：基于磺酰肼类还原剂的石墨烯薄膜包括：制备氧化石墨烯; 基于磺酰肼类还原剂还原氧化石墨烯以制造石墨烯; 石墨烯分散在有机溶剂中以制造石墨烯分散溶液; 并且基于石墨烯分散溶液制造石墨烯薄膜。 磺酰肼类还原剂包括由化学式1表示的磺酰肼取代基。

公开(公告)号：KR1020120065734A

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：KR1020100127012

申请日：2010-12-13

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이성호 ,  나석인 ,  구본철 ,  김준경

IPC: H01B1/24 ,  C08L79/08 ,  C08K3/04

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of composite material is provided not to require separate pre-process for improving dispersity of carbon material, and to use a carbon based precursor with low cost. CONSTITUTION: A composition for manufacturing graphene/polyimide based conductive composite material comprises 100.0 parts by weight of poly amic acid, and 1-40 parts by weight of graphene oxide. The composition comprises one or more compound selected from hydrazine hydrate, polystyrene sulfonate, poly(allylamine hydrochloride), and polyethyleneimine. A manufacturing method of the graphene/polyimide based conductive composite comprises a step of preparing the composition containing the polyamic acid and graphene oxide, and a step of thermal imidization by heat-treating the composition.

Abstract translation: 目的：提供复合材料的制造方法，不需要单独的预处理来提高碳材料的分散性，并且以低成本使用碳基前体。 构成：用于制造石墨烯/聚酰亚胺的导电复合材料的组合物包含100.0重量份聚酰胺酸和1-40重量份氧化石墨烯。 该组合物包含一种或多种选自水合肼，聚苯乙烯磺酸盐，聚（烯丙胺盐酸盐）和聚乙烯亚胺）的化合物。 石墨烯/聚酰亚胺基导电复合材料的制造方法包括制备含有聚酰胺酸和石墨烯氧化物的组合物的步骤，以及通过热处理组合物进行热酰亚胺化的步骤。