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公开(公告)号：KR101240276B1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020110007470
申请日：2011-01-25
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/0045 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/192 , H01L51/44 , H01L51/442 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 산화 그래핀의 환원처리를 통한 그래핀 박막 및 이를 이용한 광전소자의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 그래핀 박막의 제조방법은 (a) 산화 그래핀을 준비하는 단계, (b) 상기 산화 그래핀을 설포닐 히드라지드 계열 환원제로 환원시켜 그래핀을 제조하는 단계, (c) 상기 그래핀을 유기용매에 분산시켜 그래핀 분산액을 제조하는 단계 및 (d) 상기 그래핀 분산액을 이용하여 그래핀 박막을 제조하는 단계를 포함하는 것이고, 상기 설포닐 히드라지드 계열 환원제는 명세서의 화학식 1의 설포닐 히드라지드 치환기를 갖는 화합물인 것일 수 있고, A가 명세서의 화학식 2 중 어느 하나인 것일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120086177A
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：KR1020110007470
申请日：2011-01-25
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L51/0045 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/192 , H01L51/44 , H01L51/442 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5206 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A graphene thin film based on a sulfonyl hydrazide-based reducing agent and a method for manufacturing a photoelectric device using the same are provided to adjust the thickness of a reduced graphene thin film. CONSTITUTION: A graphene thin film based on a sulfonyl hydrazide-based reducing agent includes the following: oxidation graphene is prepared; the oxidation graphene is reduced based on a sulfonyl hydrazide-based reducing agent to manufacture graphene; the graphene is dispersed in an organic solvent to manufacture a graphene dispersed solution; and a graphene thin film is manufactured based on the graphene dispersed solution. The sulfonyl hydrazide-based reducing agent includes a sulfonyl hydrazide substituted group represented by chemical formula 1.
Abstract translation: 目的：提供一种基于磺酰肼类还原剂的石墨烯薄膜及其制造方法，以调整还原型石墨烯薄膜的厚度。 构成：基于磺酰肼类还原剂的石墨烯薄膜包括：制备氧化石墨烯; 基于磺酰肼类还原剂还原氧化石墨烯以制造石墨烯; 石墨烯分散在有机溶剂中以制造石墨烯分散溶液; 并且基于石墨烯分散溶液制造石墨烯薄膜。 磺酰肼类还原剂包括由化学式1表示的磺酰肼取代基。
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