公开(公告)号：KR1020160107556A

公开(公告)日：2016-09-19

申请号：KR1020150030450

申请日：2015-03-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송용원 ,  최원국 ,  임정아 ,  황도경 ,  나준홍 ,  이영택

IPC: H01L29/10 ,  C01B25/02 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/1025 ,  C01B25/02 ,  H01L29/41783 ,  H01L2924/05432

Abstract: 흑린을기반으로하는트랜지스터는, 기판; 상기기판상에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극; 상기기판상에상기소스전극과상기드레인전극을연결하며, 흑린(Black Phosphorus)을포함하는채널층; 및상기흑린을포함하는채널층상에산화알루미늄(Al2O3)을포함하는패시베이션층을포함하는포함한다. 이에따라, 흑린의반응속도를제어하여전기적특성이우수하고저주파잡음이감소한고성능의트랜지스터를제조할수 있다.

Abstract translation: 基于黑磷的晶体管包括：基板; 源极和漏极彼此分离形成在衬底上; 连接基板上的源电极和漏极的沟道层，并且包括黑磷; 以及在包含黑磷的沟道层上的包含氧化铝（Al_2O_3）的钝化层。 因此，可以制造通过控制黑磷的反应速度而具有优异的电性能和降低的低频噪声的高功能晶体管。

公开(公告)号：KR101772487B1

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：KR1020150030450

申请日：2015-03-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 송용원 ,  최원국 ,  임정아 ,  황도경 ,  나준홍 ,  이영택

IPC: H01L29/10 ,  C01B25/02 ,  H01L29/417

Abstract: 흑린을기반으로하는트랜지스터는, 기판; 상기기판상에서로이격되어형성된소스전극및 드레인전극; 상기기판상에상기소스전극과상기드레인전극을연결하며, 흑린(Black Phosphorus)을포함하는채널층; 및상기흑린을포함하는채널층상에산화알루미늄(Al2O3)을포함하는패시베이션층을포함하는포함한다. 이에따라, 흑린의반응속도를제어하여전기적특성이우수하고저주파잡음이감소한고성능의트랜지스터를제조할수 있다.