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公开(公告)号：KR101572614B1
公开(公告)日：2015-11-30
申请号：KR1020140100441
申请日：2014-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는, 고유전율및 저유전손실을갖는나이오베이트유전체조성물및 이를사용하는나노시트박막을제공한다. KSrCuNbO(화학식 1) (상기식에서, x는 0
Abstract translation: 本发明提供了具有高介电常数和低介电损耗的铌酸盐电介质组合物，并由化学式1表示。此外，本发明提供了使用其的纳米片薄膜。 在化学式1中，x大于零且小于或等于0.7。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101495093B1
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020130059870
申请日：2013-05-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495 , C04B35/453 , H01B3/10 , H01B17/56
Abstract: 본 발명은 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학식 1(KSr
2
(1-x) Bi
(y/3)x Nb
3 O
10+δ (KSBNO) (상기 화학식 1에서 몰분율 x는 0-
公开(公告)号：KR101398553B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020130009749
申请日：2013-01-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/465 , H01B3/12
CPC classification number: H01G4/1254 , C04B35/495 , H01G4/306
Abstract: The present invention provides a niobate dielectric composition which is displayed in a chemical formula 1, a chemical formula 2, or a chemical formula 3 below and a nanosheet thin film using the same. KCa_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 1) HCa_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 2) Ca_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 3) (in the forementioned formulas, x is 0
Abstract translation: 本发明提供以化学式1，化学式2或下述化学式3表示的铌酸盐电介质组合物和使用其的纳米片薄膜。 KCa_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式1）HCa_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式2）Ca_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式3）（在前述式中，x为0
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公开(公告)号：KR1020170140137A
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020170168001
申请日：2017-12-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B3/025 , H01G4/1218 , H01G4/30
Abstract: 실시예들은일반식 KSrAgNbO로표시되고, 상기 x는 0 초과 1 이하인것을특징으로하는은이치환된스트론튬나이오베이트유전체조성물및 이를제조하는방법에관련된다. 또한다른실시예에서상기 K는 H로치환될수도있다.
Abstract translation: 实施方式涉及由通式KSrAgNbO表示的二取代的铌酸
盐铌酸盐介电组合物及其制备方法，其中x大于0且小于1。 在另一个实施例中，K可以是H降低的。-
公开(公告)号：KR1020170045593A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：KR1020150145368
申请日：2015-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 실시예들은일반식 KSrAgNbO로표시되고, 상기 x는 0 초과 1 이하인것을특징으로하는은이치환된스트론튬나이오베이트유전체조성물및 이를제조하는방법에관련된다. 또한다른실시예에서상기 K는 H로치환될수도있다.
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公开(公告)号：KR1020140139341A
公开(公告)日：2014-12-05
申请号：KR1020130059870
申请日：2013-05-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495 , C04B35/453 , H01B3/10 , H01B17/56
CPC classification number: C04B35/495 , H01B3/12 , H01G4/1254 , H01G4/30 , H01L27/108
Abstract: 본 발명은 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학식 1(KSr
2
(1-x) Bi
(y/3)x Nb
3 O
10+δ (KSBNO) (상기 화학식 1에서 몰분율 x는 0Abstract translation: 本发明涉及具有高介电常数和低介电损耗的铌酸铌电介质组合物。 更具体地，提供了具有高介电常数和低介电损耗的铌酸铋电介质组合物，其具有如化学式1所示的组成：KSr_2（1-x）Bi_（y / 3）xNb_3O_10 +δ（KSBNO）（化学式1 ，摩尔分数x为0
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