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1.发明申请레이저를 이용한 박막 전지용 양극 제조 방법, 그 방법으로 제조된 박막 전지용 양극 및 이를 포함하는 박막 전지 审中-公开使用激光制造薄膜电池的阴极的制造方法，制造薄膜电池的阴极和包含其的薄膜电池
公开(公告)号：WO2016072664A1
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：PCT/KR2015/011525
申请日：2015-10-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M4/139 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/0585
Abstract: 박막 전지용 양극 형성 방법은, 기판 상에 양극 활물질을 증착하는 단계; 및 상기 양극 활물질 상에 레이저를 조사하여 상기 양극 활물질을 결정화하는 단계;를 포함할 수 있다. 양극 활물질은 상온에서 기판 상에 증착될 수 있고, 레이저를 이용하여 저온에서 양극 활물질을 결정화함으로써 가볍고 가공이 용이한 고분자 기판을 사용할 수 있게 된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양극 제조 방법으로 제조된 양극을 포함하는 박막 전지는 높은 방전 용량 등 우수한 충·방전 특성을 가질 수 있다.
Abstract translation: 用于形成薄膜电池阴极的方法可以包括以下步骤：在衬底上沉积阴极活性材料; 并通过在正极活性物质上照射激光来使正极活性物质结晶。 阴极活性材料可以在室温下沉积在基板上，并且可以在低温下通过激光使其结晶，从而可以使用光和可加工的聚合物基材。 包括根据本发明的一个实施方案的由阴极制造方法制造的阴极的薄膜电池可以具有良好的充放电特性，例如高放电容量。
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公开(公告)号：KR101522666B1
公开(公告)日：2015-05-26
申请号：KR1020130156283
申请日：2013-12-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은내부전극층과유전체나노시트가교번적층된적층세라믹캐패시터를구현함에있어서수직방향으로이웃하는내부전극층들을서로연결되도록함으로써별도의외부전극이요구되지않는적층세라믹캐패시터및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른적층세라믹캐패시터는내부전극층과유전체나노시트가교번하여반복적층된구조를이루며, 홀수번째적층된내부전극층은제 1 내부전극층, 짝수번째적층된내부전극층은제 2 내부전극층이며, 제 1 내부전극층의일부는유전체나노시트의제 1 방향으로외부로노출되고, 제 2 내부전극층의일부는유전체나노시트의제 2 방향으로외부로노출되며, 노출된제 1 내부전극층들각각, 노출된제 2 내부전극층들각각은수직방향으로서로전기적으로연결되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 多层陶瓷电容器及其制造方法技术领域本发明涉及一种多层陶瓷电容器及其制造方法，其不需要额外的外部电极，通过连接内层电极层和电介质纳米片层叠的多层陶瓷电容器，在垂直方向上连接内部电极层 交替。 根据本发明的多层陶瓷电容器被构造成：电容器具有交替重复地层叠内电极层和电介质纳米片的结构; 层叠了奇数次的内部电极层是第一内部电极层，层叠了多次的内部电极层是第二电极层; 第一内部电极层的一部分在电介质纳米片的第一方向上暴露于外部，并且第二内部电极层的一部分在电介质纳米片的第二方向上暴露于外部; 并且暴露的第一内部电极层和第二内部电极层中的每一个在垂直方向上彼此电连接。
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公开(公告)号：KR101700884B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150017286
申请日：2015-02-04
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B1/02 , C01G19/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54 , H01L29/43 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L33/42 , Y02E10/50
Abstract: 본발명은상온증착시에도낮은표면거칠기, 낮은면저항및 높은투과율특성을갖는최적조성의망간주석산화물계투명전도성산화물(TCO) 및이를이용한다층투명도전막그리고그 제조방법에관한것으로서, 본발명에따른망간주석산화물계투명전도성산화물은 MnSnO(0
Abstract translation: 公开了一种具有优化组成的锰锡氧化物基透明导电氧化物（TCO），其即使在室温下沉积时也具有低的表面粗糙度，低的薄层电阻和高透射率，使用其的多层透明导电膜和 制作相同。 锰氧化锡系透明导电氧化物具有Mn x Sn 1-x O（0
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公开(公告)号：KR101572614B1
公开(公告)日：2015-11-30
申请号：KR1020140100441
申请日：2014-08-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는, 고유전율및 저유전손실을갖는나이오베이트유전체조성물및 이를사용하는나노시트박막을제공한다. KSrCuNbO(화학식 1) (상기식에서, x는 0
Abstract translation: 本发明提供了具有高介电常数和低介电损耗的铌酸盐电介质组合物，并由化学式1表示。此外，本发明提供了使用其的纳米片薄膜。 在化学式1中，x大于零且小于或等于0.7。
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公开(公告)号：KR1020140111169A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：KR1020130025052
申请日：2013-03-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/1395 , H01M4/66 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/667 , H01M4/0404 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/122
Abstract: The present invention relates to a Si-Al multi-layered cathode thin film for a lithium-ion secondary battery and a method for manufacturing the same, and, more specifically, includes: a silicon layer deposition step for depositing silicon on a substrate; and an aluminum layer deposition step for depositing aluminum on the silicon layer. By alternating the silicon layer deposition step and aluminum layer deposition step more than once, the lithium-ion secondary battery is achieved with high discharging capacity, excellent charging-discharging properties and a long lifespan.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于锂离子二次电池的Si-Al多层阴极薄膜及其制造方法，更具体地说，涉及：在基板上沉积硅的硅层沉积步骤; 以及用于在硅层上沉积铝的铝层沉积步骤。 通过将硅层沉积步骤和铝层沉积步骤交替进行多次，锂离子二次电池具有高放电容量，优异的充电放电性能和长寿命。
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Patent Agency Ranking6.发明公开레이저를 이용한 박막 전지용 양극 제조 방법, 그 방법으로 제조된 박막 전지용 양극 및 이를 포함하는 박막 전지 有权使用激光制作薄膜电池的阴极的方法，其制成的阴极电池和包括其的薄膜电池
公开(公告)号：KR1020160054255A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140153627
申请日：2014-11-06
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01M4/139 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/0402 , H01M4/0404 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M10/659
Abstract: 박막전지용양극형성방법은, 기판상에양극활물질을증착하는단계; 및상기양극활물질상에레이저를조사하여상기양극활물질을결정화하는단계;를포함할수 있다. 양극활물질은상온에서기판상에증착될수 있고, 레이저를이용하여저온에서양극활물질을결정화함으로써가볍고가공이용이한고분자기판을사용할수 있게된다. 본발명의일 실시예에따른양극제조방법으로제조된양극을포함하는박막전지는높은방전용량등 우수한충·방전특성을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用激光的薄膜电池用正极的制造方法，利用该方法制造的薄膜电池用正极以及包含该正极的薄膜电池。 薄膜电池用正极的形成方法包括以下步骤：将正极活性物质沉积在基板上; 并通过在正极活性物质上照射激光来使正极活性物质结晶。 正极活性物质可以在室温下沉积在基板上，并且可以通过使用激光在低温下使正极活性物质结晶而使用轻而易加工的聚合物基材。 包含根据本发明的一个实施方案的由正极制造方法制造的正极的薄膜电池具有优异的充放电特性，例如高放电容量等。
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公开(公告)号：KR101495093B1
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020130059870
申请日：2013-05-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/495 , C04B35/453 , H01B3/10 , H01B17/56
Abstract: 본 발명은 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학식 1(KSr
2
(1-x) Bi
(y/3)x Nb
3 O
10+δ (KSBNO) (상기 화학식 1에서 몰분율 x는 0-
公开(公告)号：KR101398553B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020130009749
申请日：2013-01-29
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/465 , H01B3/12
CPC classification number: H01G4/1254 , C04B35/495 , H01G4/306
Abstract: The present invention provides a niobate dielectric composition which is displayed in a chemical formula 1, a chemical formula 2, or a chemical formula 3 below and a nanosheet thin film using the same. KCa_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 1) HCa_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 2) Ca_2(1-x)Sr_2xNb_3O_10 (the chemical formula 3) (in the forementioned formulas, x is 0
Abstract translation: 本发明提供以化学式1，化学式2或下述化学式3表示的铌酸盐电介质组合物和使用其的纳米片薄膜。 KCa_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式1）HCa_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式2）Ca_2（1-x）Sr_2xNb_3O_10（化学式3）（在前述式中，x为0
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公开(公告)号：KR1020170140137A
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020170168001
申请日：2017-12-08
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B3/025 , H01G4/1218 , H01G4/30
Abstract: 실시예들은일반식 KSrAgNbO로표시되고, 상기 x는 0 초과 1 이하인것을특징으로하는은이치환된스트론튬나이오베이트유전체조성물및 이를제조하는방법에관련된다. 또한다른실시예에서상기 K는 H로치환될수도있다.
Abstract translation: 实施方式涉及由通式KSrAgNbO表示的二取代的铌酸
盐铌酸盐介电组合物及其制备方法，其中x大于0且小于1。 在另一个实施例中，K可以是H降低的。-
公开(公告)号：KR1020170045593A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：KR1020150145368
申请日：2015-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 실시예들은일반식 KSrAgNbO로표시되고, 상기 x는 0 초과 1 이하인것을특징으로하는은이치환된스트론튬나이오베이트유전체조성물및 이를제조하는방법에관련된다. 또한다른실시예에서상기 K는 H로치환될수도있다.
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