公开(公告)号：KR1020140080757A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020120147963

申请日：2012-12-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  홍진기 ,  송진동 ,  마크존슨

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1695 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H03K19/017581 ,  H03K19/16 ,  G11C11/15 ,  H01L27/222 ,  H01L43/12

Abstract: Provided is a non-volatile configurable logic device which performs a logic operation and a memory function and is controlled by a magnetic field at the same time. A reconfigurable logic device includes i) one or more semiconductor devices, and ii) a pair of magnetic control devices which is separated from the semiconductor device at both sides of the semiconductor device and generates a magnetic leakage field to control the semiconductor device. The semiconductor device includes i) a first semiconductor layer and ii) a second semiconductor layer which is located on the first semiconductor layer. One of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is a p-type. The other is an n-type.

Abstract translation: 提供了一种非易失性可配置逻辑器件，其执行逻辑操作和存储功能，并且同时由磁场控制。 可重构逻辑器件包括i）一个或多个半导体器件，以及ii）一对磁性控制器件，其在半导体器件的两侧与半导体器件分离，并产生磁场以控制半导体器件。 半导体器件包括i）第一半导体层，以及ii）位于第一半导体层上的第二半导体层。 第一半导体层和第二半导体层中的一个是p型。 另一个是n型。

公开(公告)号：KR101438773B1

公开(公告)日：2014-09-15

申请号：KR1020120147963

申请日：2012-12-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  홍진기 ,  송진동 ,  마크존슨

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1695 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H03K19/017581 ,  H03K19/16

Abstract: 논리 연산과 메모리 기능을 함께 수행하면서 자기장으로 제어되는 비휘발성 가변형 논리 소자를 제공한다. 가변형 논리 소자는 i) 하나 이상의 반도체 소자, 및 ii) 반도체 소자의 양측에 반도체 소자와 이격되어 위치하고, 누설 자기장을 발생시켜 반도체 소자를 제어하도록 적용된 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 포함한다. 반도체 소자는, i) 제1 반도체층, 및 ii) 제1 반도체층 위에 위치하는 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 어느 한 반도체층은 p형이고, 다른 한 반도체층은 n형이다.