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公开(公告)号:KR1020140080757A
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:KR1020120147963
申请日:2012-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1695 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03K19/017581 , H03K19/16 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: Provided is a non-volatile configurable logic device which performs a logic operation and a memory function and is controlled by a magnetic field at the same time. A reconfigurable logic device includes i) one or more semiconductor devices, and ii) a pair of magnetic control devices which is separated from the semiconductor device at both sides of the semiconductor device and generates a magnetic leakage field to control the semiconductor device. The semiconductor device includes i) a first semiconductor layer and ii) a second semiconductor layer which is located on the first semiconductor layer. One of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is a p-type. The other is an n-type.
Abstract translation: 提供了一种非易失性可配置逻辑器件,其执行逻辑操作和存储功能,并且同时由磁场控制。 可重构逻辑器件包括i)一个或多个半导体器件,以及ii)一对磁性控制器件,其在半导体器件的两侧与半导体器件分离,并产生磁场以控制半导体器件。 半导体器件包括i)第一半导体层,以及ii)位于第一半导体层上的第二半导体层。 第一半导体层和第二半导体层中的一个是p型。 另一个是n型。
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公开(公告)号:KR101438773B1
公开(公告)日:2014-09-15
申请号:KR1020120147963
申请日:2012-12-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1695 , H01L27/22 , H01L43/08 , H03K19/017581 , H03K19/16
Abstract: 논리 연산과 메모리 기능을 함께 수행하면서 자기장으로 제어되는 비휘발성 가변형 논리 소자를 제공한다. 가변형 논리 소자는 i) 하나 이상의 반도체 소자, 및 ii) 반도체 소자의 양측에 반도체 소자와 이격되어 위치하고, 누설 자기장을 발생시켜 반도체 소자를 제어하도록 적용된 한 쌍의 자기장 제어 소자들을 포함한다. 반도체 소자는, i) 제1 반도체층, 및 ii) 제1 반도체층 위에 위치하는 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층 및 제2 반도체층 중 어느 한 반도체층은 p형이고, 다른 한 반도체층은 n형이다.
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