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公开(公告)号：KR1020060059639A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098782
申请日：2004-11-29
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제작 및 가스 감도 측정 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.
가스센서 제작에 있어서, 가스 감지물질은 탄소나노튜브 페이스트를 제작하여 양 끝단에 전극이 형성된 기판에 스크린 인쇄(screen printing)법으로 탄소나노튜브를 도포 후 열처리공정을 거친 후 탄소나노튜브 후막을 형성하였고, 상기 제작된 후막을 탄소나노튜브 수직 배향처리 시켰다. 가스 감도 측정 장치를 이용하여 상기 제작된 수직 배향된 탄소나노튜브를 가스 흡착시켰고, 전자방출(field electron emission) 현상을 적용시켜 흡착된 가스를 탈착시켰다.
따라서, 본 발명은 기존의 반도체형 가스센서보다 단순한 공정으로 가스 감지막을 제작하여 흡착된 가스를 히터물질로 온도를 올려 탈착 시키는 것이 아니라 새로운 방법인 탄소나노튜브 전자방출 현상을 적용시켰다.
탄소나노튜브, 가스센서, 가스감도, 전자방출-
公开(公告)号：KR1020060062437A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101279
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/158 , B82B3/0066 , B82Y40/00 , G03F5/00 , H01J1/30
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브 후막 제조시 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법을 사용하고 전기장을 사용하여 표면처리를 하므로 탄소나노튜브의 손상이나 불순물 혼입을 효율적으로 방지할 수 있고 탄소나노튜브 제작 비용을 절감시킬 수 있으며 이와 같이 제작된 탄소나노튜브 후막을 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학 센서 감지막으로 이용하는 경우 성능이 우수한 제품을 생산할 수 있다.
탄소나노튜브페이스트, 수직배향 탄소나노튜브 후막, 전계방출형 표시소자, 평판형 램프, 화학 센서 감지막.Abstract translation: 本发明是碳纳米管的厚膜和本发明涉及一种场致发射显示装置，平面型灯以及使用该相同的，并且更具体地，第一步骤的化学传感器感测膜，产生的碳纳米管糊状以产生碳纳米管糊状 所述第二步骤，第三步骤中，将电场施加到碳纳米管，厚膜是有机材料被去除以除去从碳纳米管厚膜有机物使用丝网印刷法或在衬底的电极上的喷墨印刷方法，以形成厚膜 应用使用相同的涉及一种场发射显示设备，以及根据权利要求由垂直排列的碳纳米管，板状斜坡，和化学传感器的步骤中产生的检测膜4到碳纳米管的厚膜。 根据本发明使用的碳纳米管的厚膜制造丝网印刷法或喷墨印刷法，和使用电场，因此，表面处理可以有效防止碳纳米管的损坏或杂质可以降低CNT生产成本 当如此制造的碳纳米管厚膜用作场致发射显示装置，平板灯和化学传感器感测膜时，可以生产具有优异性能的产品。
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公开(公告)号：KR100537093B1
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：KR1020030068792
申请日：2003-10-02
Applicant: 한국과학기술연구원 , 주식회사 한국전자홀딩스
Abstract: 본 발명은 마이크로머시닝(microelectromechanical system, MEMS) 기술로 제작된 구조물 위에 탄소나노튜브를 직접 성장시켜 탄소나노튜브를 가스센서의 감응물질로 적용한 탄소나노튜브 가스센서 및 그 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제작된 탄소나노튜브 가스센서는 고민감도이며, 상온 동작이 가능하며, 크기를 소형화 및 집적화시키고 전력소모를 줄일 수 있다. 또한 감응 가스의 종류가 다양하여 가스센서 어레이로의 개발 가능성이 크다.
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公开(公告)号：KR1020050071849A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020040000219
申请日：2004-01-05
Applicant: 한국과학기술연구원 , 주식회사 한국전자홀딩스
IPC: G01N27/14
Abstract: 탄소나노튜브(Carbon NanoTube) 가스센서에 대해 개시한다. 본 발명은 가스에 감응하여 저항값을 변화시키며, 공급된 전원에 의해 그 자체가 복귀를 위한 히팅이 이루어지는 센서부; 상기 저항값의 변화를 감지 및 증폭하여 가스감응신호를 발생시키는 가스감지 및 증폭부; 상기 신호감지 및 증폭부보다 높은 전원을 설정시간 공급하여 탈가스 및 초기 모드로 복귀시키기 위한 히팅을 수행하는 복귀구동 및 전원부; 및 상기 신호감지 및 증폭부와 복귀구동 및 전원부로의 선택적인 절환을 수행하는 가변스위치를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 탄소나노튜브에 직접적으로 전압/전류를 인가하여 복귀시킴으로써 복귀를 위한 히터 등을 추가적으로 제작하지 않아도 되므로 공정 단순화 및 비용 절감 효과를 가져올 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060021049A
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020040069858
申请日：2004-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자 제작시에 캐소드 기판에 스크린을 프린팅하는 방법으로 탄소 나노튜브 후막을 형성하고 유기물 제거공정을 거친 후에 표면처리하는 전계방출형 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display)는 캐소드 기판; 상기 캐소드 기판 상에 형성된 캐소드 전극; 카본 나노튜브 페이스트를 사용하여 상기 캐소드 전극 상에 형성된 카본 나노튜브 후막; 형광체막이 도포된 애노드 기판; 상기 애노드 기판 상에 형성된 투명한 애노드 전극; 및 상기 애노드 기판과 캐소드 기판 사이에 탑재된 스페이서;를 포함한다.
카본 나노튜브 후막, 표면처리, 전계방출형, 표시소자-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100637942B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020040069858
申请日：2004-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자 제작시에 캐소드 기판에 스크린을 프린팅하는 방법으로 탄소 나노튜브 후막을 형성하고 유기물 제거공정을 거친 후에 표면처리하는 전계방출형 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display)는 캐소드 기판; 상기 캐소드 기판 상에 형성된 캐소드 전극; 카본 나노튜브 페이스트를 사용하여 상기 캐소드 전극 상에 형성된 카본 나노튜브 후막; 형광체막이 도포된 애노드 기판; 상기 애노드 기판 상에 형성된 투명한 애노드 전극; 및 상기 애노드 기판과 캐소드 기판 사이에 탑재된 스페이서;를 포함한다.
카본 나노튜브 후막, 표면처리, 전계방출형, 표시소자-
公开(公告)号：KR100620075B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020040101279
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브 후막 제조시 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법을 사용하고 전기장을 사용하여 표면처리를 하므로 탄소나노튜브의 손상이나 불순물 혼입을 효율적으로 방지할 수 있고 탄소나노튜브 제작 비용을 절감시킬 수 있으며 이와 같이 제작된 탄소나노튜브 후막을 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학 센서 감지막으로 이용하는 경우 성능이 우수한 제품을 생산할 수 있다.
탄소나노튜브페이스트, 수직배향 탄소나노튜브 후막, 전계방출형 표시소자, 평판형 램프, 화학 센서 감지막.-
公开(公告)号：KR1020050055177A
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1020030088122
申请日：2003-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브를 이용한 전자방출형 표시소자 제작시 애노드 기판에 증착된 형광체를 보호하는 형광체 보호막을 제공하는 것에 관한 것이다.
전자방출형 표시소자에 있어서, 전계를 가하였을 때 캐소드 전극의 카본 나노튜브가 전자를 방출하여 애노드 전극의 형광체 부분에 도달하여 에너지를 받아 여기되어 빛을 방출한다. 여기에서, 계속적으로 소자 작동시 형광체 부분이 손상되어 진공이 저하되고 수명이 단축된다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 전도성 물질을 얇게 코팅함으로써 형광체 수명 향상 및 나노튜브 전자방출 소자를 안정적으로 구동시킬 수 있게 된다.-
公开(公告)号：KR1020050032821A
公开(公告)日：2005-04-08
申请号：KR1020030068792
申请日：2003-10-02
Applicant: 한국과학기술연구원 , 주식회사 한국전자홀딩스
Abstract: A carbon nano tube gas sensor and a method for manufacturing the same are provided to minimize the size of the carbon nano tube gas sensor by directly growing the carbon nano tube in an MEMS structure. A carbon nano tube gas sensor includes a substrate, an insulation layer formed at an upper portion of the substrate and a protective layer formed at a lower portion of the substrate. A heater(3-3) and a heater electrode are formed on the insulation layer. Another insulation layer is formed on the heater(3-3). A carbon nano tube electrode(3-6) and an electrode line are formed on the insulation layer. A catalyst metal(3-8) is formed on the carbon nano tube electrode(3-6). A lower portion of the substrate is anisotropically etched.
Abstract translation: 提供碳纳米管气体传感器及其制造方法，以通过在MEMS结构中直接生长碳纳米管来最小化碳纳米管气体传感器的尺寸。 碳纳米管气体传感器包括基板，形成在基板的上部的绝缘层和形成在基板的下部的保护层。 在绝缘层上形成加热器（3-3）和加热电极。 在加热器（3-3）上形成另一绝缘层。 在绝缘层上形成碳纳米管电极（3-6）和电极线。 在碳纳米管电极（3-6）上形成催化剂金属（3-8）。 各向异性蚀刻基板的下部。
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公开(公告)号：KR100697723B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020040098782
申请日：2004-11-29
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제작 및 가스 감도 측정 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.
가스센서 제작에 있어서, 가스 감지물질은 탄소나노튜브 페이스트를 제작하여 양 끝단에 전극이 형성된 기판에 스크린 인쇄(screen printing)법으로 탄소나노튜브를 도포 후 열처리공정을 거친 후 탄소나노튜브 후막을 형성하였고, 상기 제작된 후막을 탄소나노튜브 수직 배향처리 시켰다. 가스 감도 측정 장치를 이용하여 상기 제작된 수직 배향된 탄소나노튜브를 가스 흡착시켰고, 전자방출(field electron emission) 현상을 적용시켜 흡착된 가스를 탈착시켰다.
따라서, 본 발명은 기존의 반도체형 가스센서보다 단순한 공정으로 가스 감지막을 제작하여 흡착된 가스를 히터물질로 온도를 올려 탈착 시키는 것이 아니라 새로운 방법인 탄소나노튜브 전자방출 현상을 적용시켰다.
탄소나노튜브, 가스센서, 가스감도, 전자방출
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