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公开(公告)号：KR1020060059639A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098782
申请日：2004-11-29
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제작 및 가스 감도 측정 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.
가스센서 제작에 있어서, 가스 감지물질은 탄소나노튜브 페이스트를 제작하여 양 끝단에 전극이 형성된 기판에 스크린 인쇄(screen printing)법으로 탄소나노튜브를 도포 후 열처리공정을 거친 후 탄소나노튜브 후막을 형성하였고, 상기 제작된 후막을 탄소나노튜브 수직 배향처리 시켰다. 가스 감도 측정 장치를 이용하여 상기 제작된 수직 배향된 탄소나노튜브를 가스 흡착시켰고, 전자방출(field electron emission) 현상을 적용시켜 흡착된 가스를 탈착시켰다.
따라서, 본 발명은 기존의 반도체형 가스센서보다 단순한 공정으로 가스 감지막을 제작하여 흡착된 가스를 히터물질로 온도를 올려 탈착 시키는 것이 아니라 새로운 방법인 탄소나노튜브 전자방출 현상을 적용시켰다.
탄소나노튜브, 가스센서, 가스감도, 전자방출-
公开(公告)号：KR100697723B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020040098782
申请日：2004-11-29
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브를 이용한 가스센서 제작 및 가스 감도 측정 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.
가스센서 제작에 있어서, 가스 감지물질은 탄소나노튜브 페이스트를 제작하여 양 끝단에 전극이 형성된 기판에 스크린 인쇄(screen printing)법으로 탄소나노튜브를 도포 후 열처리공정을 거친 후 탄소나노튜브 후막을 형성하였고, 상기 제작된 후막을 탄소나노튜브 수직 배향처리 시켰다. 가스 감도 측정 장치를 이용하여 상기 제작된 수직 배향된 탄소나노튜브를 가스 흡착시켰고, 전자방출(field electron emission) 현상을 적용시켜 흡착된 가스를 탈착시켰다.
따라서, 본 발명은 기존의 반도체형 가스센서보다 단순한 공정으로 가스 감지막을 제작하여 흡착된 가스를 히터물질로 온도를 올려 탈착 시키는 것이 아니라 새로운 방법인 탄소나노튜브 전자방출 현상을 적용시켰다.
탄소나노튜브, 가스센서, 가스감도, 전자방출-
公开(公告)号：KR1020060062437A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101279
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/158 , B82B3/0066 , B82Y40/00 , G03F5/00 , H01J1/30
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브 후막 제조시 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법을 사용하고 전기장을 사용하여 표면처리를 하므로 탄소나노튜브의 손상이나 불순물 혼입을 효율적으로 방지할 수 있고 탄소나노튜브 제작 비용을 절감시킬 수 있으며 이와 같이 제작된 탄소나노튜브 후막을 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학 센서 감지막으로 이용하는 경우 성능이 우수한 제품을 생산할 수 있다.
탄소나노튜브페이스트, 수직배향 탄소나노튜브 후막, 전계방출형 표시소자, 평판형 램프, 화학 센서 감지막.Abstract translation: 本发明是碳纳米管的厚膜和本发明涉及一种场致发射显示装置，平面型灯以及使用该相同的，并且更具体地，第一步骤的化学传感器感测膜，产生的碳纳米管糊状以产生碳纳米管糊状 所述第二步骤，第三步骤中，将电场施加到碳纳米管，厚膜是有机材料被去除以除去从碳纳米管厚膜有机物使用丝网印刷法或在衬底的电极上的喷墨印刷方法，以形成厚膜 应用使用相同的涉及一种场发射显示设备，以及根据权利要求由垂直排列的碳纳米管，板状斜坡，和化学传感器的步骤中产生的检测膜4到碳纳米管的厚膜。 根据本发明使用的碳纳米管的厚膜制造丝网印刷法或喷墨印刷法，和使用电场，因此，表面处理可以有效防止碳纳米管的损坏或杂质可以降低CNT生产成本 当如此制造的碳纳米管厚膜用作场致发射显示装置，平板灯和化学传感器感测膜时，可以生产具有优异性能的产品。
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公开(公告)号：KR1020050060464A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092093
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 주병권 , 이양두 , 바토브드미트리빅토로비치 , 블란크블라지미르다브도비치 , 부가세르게이겐나지예비치 , 꿀리지키보니스아르놀도비치 , 빨랴꼬브예브게니발렌티노비치
Abstract: 본 발명은 나노섬유 제조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고압가스 환경하에서 전자열에 의한 흑연물질의 증발과 나노섬유의 증착을 유도함으로써 탄소 및 질소(CN) 나노섬유를 제조하고, 이러한 CN 나노섬유를 냉음극에 적용하는 기술을 제시한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060021049A
公开(公告)日：2006-03-07
申请号：KR1020040069858
申请日：2004-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y40/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 본 발명은 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자 제작시에 캐소드 기판에 스크린을 프린팅하는 방법으로 탄소 나노튜브 후막을 형성하고 유기물 제거공정을 거친 후에 표면처리하는 전계방출형 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display)는 캐소드 기판; 상기 캐소드 기판 상에 형성된 캐소드 전극; 카본 나노튜브 페이스트를 사용하여 상기 캐소드 전극 상에 형성된 카본 나노튜브 후막; 형광체막이 도포된 애노드 기판; 상기 애노드 기판 상에 형성된 투명한 애노드 전극; 및 상기 애노드 기판과 캐소드 기판 사이에 탑재된 스페이서;를 포함한다.
카본 나노튜브 후막, 표면처리, 전계방출형, 표시소자-
公开(公告)号：KR100637942B1
公开(公告)日：2006-10-23
申请号：KR1020040069858
申请日：2004-09-02
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출형 표시소자 제작시에 캐소드 기판에 스크린을 프린팅하는 방법으로 탄소 나노튜브 후막을 형성하고 유기물 제거공정을 거친 후에 표면처리하는 전계방출형 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 전계방출형 표시소자(FED; Field Emission Display)는 캐소드 기판; 상기 캐소드 기판 상에 형성된 캐소드 전극; 카본 나노튜브 페이스트를 사용하여 상기 캐소드 전극 상에 형성된 카본 나노튜브 후막; 형광체막이 도포된 애노드 기판; 상기 애노드 기판 상에 형성된 투명한 애노드 전극; 및 상기 애노드 기판과 캐소드 기판 사이에 탑재된 스페이서;를 포함한다.
카본 나노튜브 후막, 표면처리, 전계방출형, 표시소자-
公开(公告)号：KR100620075B1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：KR1020040101279
申请日：2004-12-03
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브 후막 제조시 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법을 사용하고 전기장을 사용하여 표면처리를 하므로 탄소나노튜브의 손상이나 불순물 혼입을 효율적으로 방지할 수 있고 탄소나노튜브 제작 비용을 절감시킬 수 있으며 이와 같이 제작된 탄소나노튜브 후막을 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학 센서 감지막으로 이용하는 경우 성능이 우수한 제품을 생산할 수 있다.
탄소나노튜브페이스트, 수직배향 탄소나노튜브 후막, 전계방출형 표시소자, 평판형 램프, 화학 센서 감지막.-
公开(公告)号：KR100577681B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030092093
申请日：2003-12-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 주병권 , 이양두 , 바토브드미트리빅토로비치 , 블란크블라지미르다브도비치 , 부가세르게이겐나지예비치 , 꿀리지키보니스아르놀도비치 , 빨랴꼬브예브게니발렌티노비치
Abstract: 본 발명은 나노섬유 제조에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고압가스 환경하에서 전자열에 의한 흑연물질의 증발과 나노섬유의 증착을 유도함으로써 탄소 및 질소(CN) 나노섬유를 제조하고, 이러한 CN 나노섬유를 냉음극에 적용하는 기술을 제시한다.
나노섬유, 나노튜브, 탄소, 질소, 파이버, 흑연가열기, 전자방출, 냉음극-
公开(公告)号：KR1020050055177A
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1020030088122
申请日：2003-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브를 이용한 전자방출형 표시소자 제작시 애노드 기판에 증착된 형광체를 보호하는 형광체 보호막을 제공하는 것에 관한 것이다.
전자방출형 표시소자에 있어서, 전계를 가하였을 때 캐소드 전극의 카본 나노튜브가 전자를 방출하여 애노드 전극의 형광체 부분에 도달하여 에너지를 받아 여기되어 빛을 방출한다. 여기에서, 계속적으로 소자 작동시 형광체 부분이 손상되어 진공이 저하되고 수명이 단축된다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 전도성 물질을 얇게 코팅함으로써 형광체 수명 향상 및 나노튜브 전자방출 소자를 안정적으로 구동시킬 수 있게 된다.
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