열충격 내성이 개량된 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구 및 그의 제조 방법
    2.
    发明授权
    열충격 내성이 개량된 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구 및 그의 제조 방법 失效
    SIC制造的石墨工具和半导体波形的制造方法

    公开(公告)号:KR1019970003829B1

    公开(公告)日:1997-03-22

    申请号:KR1019930025547

    申请日:1993-11-27

    Abstract: It is about a silicon carbide coated graphite jig and manufacturing method of thereof for semiconductor wafer processes, which has improved thermal shock tolerance. The silicon carbide coated graphite jig comprises graphite base, graphite-siliconcarbide compound material layer and silicon carbide coating layer. The content of silicon carbide in the graphite-siliconcarbide compound material layer between the graphite base and the silicon carbide coating layer has an incline gradually increasing from the graphite base to the surface of the silicon carbide coating layer.

    Abstract translation: 关于碳化硅涂覆的石墨夹具及其半导体晶片工艺的制造方法,其具有改善的耐热冲击性。 碳化硅涂覆的石墨夹具包括石墨基,石墨 - 碳化硅复合材料层和碳化硅涂层。 石墨基底与碳化硅涂层之间的石墨 - 碳化硅复合材料层中的碳化硅含量从石墨基体向碳化硅涂层的表面逐渐增加。

    열충격 내성이 개량된 반도체 웨이퍼 처리용 탄화규소 피복 흑연 치구 및 그의 제조 방법

    公开(公告)号:KR1019950013981A

    公开(公告)日:1995-06-15

    申请号:KR1019930025547

    申请日:1993-11-27

    Abstract: 본 발명은 흑연 기재와 탄화규소 피복층 사이에, 흑연 기재로부터 탄화규소 피복층에 이르기까지 탄화규소의 함량이 점진적으로 증가하는 구배를 갖는 흑연-탄화규소 복합 재료층을 갖는 특징으로 하는 탄화규소 피복 흑연 치구 및 그의 제조 방법을 기재하고 있다. 본 발명의 흑연 치구는 흑연-탄화규소 복합 재료층을 가지고 있어 흑연 기재로부터 탄화규소층에 이르기까지 열팽창 계수가 점진적으로 변화하게 되므로 급열 및 급냉의 사용 조건에서 장기간 사용하여도 피복층의 박리 및 균열이 발생하지 않아 우수한 열출격 내성을 나타낸다.

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