公开(公告)号：KR1020030058417A

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020010088866

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  최원준 ,  한일기 ,  김은규 ,  이정일 ,  박세기

IPC: H01S5/30

Abstract: PURPOSE: A method for adjusting a radiation wavelength of an InGaAs quantum dot by an AlGaAs insertion layer is provided, which obtains a long wavelength photo luminescence by growing a thin AlGaAs insertion layer after forming the InGaAs quantum dot. CONSTITUTION: According to the method for adjusting a radiation wavelength radiated from an InGaAs/GaAs quantum dot, the InGaAs/GaAs quantum dot is formed, and an AlGaAs insertion layer is grown on the above InGaAs/GaAs quantum dot. A location of photo luminescence of the InGaAs/GaAs quantum dot is varied according to the existence of the above AlGaAs insertion layer. As the AlGaAs insertion layer becomes thicker, a peak of a base state of the InGaAs/GaAs quantum dot moves toward a long wavelength to be saturated.

Abstract translation: 目的：提供通过AlGaAs插入层调整InGaAs量子点的辐射波长的方法，其通过在形成InGaAs量子点之后生长薄的AlGaAs插入层来获得长波长的光发光。 构成：根据用于调整从InGaAs / GaAs量子点辐射的辐射波长的方法，形成InGaAs / GaAs量子点，并且在上述InGaAs / GaAs量子点上生长AlGaAs插入层。 根据上述AlGaAs插入层的存在，InGaAs / GaAs量子点的光发光的位置是不同的。 当AlGaAs插入层变厚时，InGaAs / GaAs量子点的基态峰向长波长移动以饱和。

公开(公告)号：KR100491073B1

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：KR1020010088866

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박용주 ,  최원준 ,  한일기 ,  김은규 ,  이정일 ,  박세기

IPC: H01S5/30

Abstract: 본 발명은 얇은 AlGaAs 삽입층을 이용하여 InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 관한 것으로, InGaAs 양자점 형성 후에 10 nm 이하의 두께를 갖는 삽입층을 성장시킴으로써 이루어진다. 본 발명에 따른 방사파장의 조작방법은, InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 있어서, 상기 InGaAs/GaAs 양자점을 형성하는 단계, 및 상기 InGaAs/GaAs 양자점 위에 AlGaAs 삽입층을 곧바로 성장시키는 단계를 포함한다. 상기 AlGaAs 삽입층의 유무에 따라서 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 광루미네선스의 피크 위치가 변화된다. 상기 AlGaAs 삽입층의 두께가 두꺼워짐에 따라 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 기저준위의 피크가 장파장 방향으로 이동하여 서서히 포화된다. 상기 AlGaAs 삽입층에 결함이 있으면, 상기 InGaAs/GaAs 양자점에 존재하는 긴장(strain)을 완화시킨다. 본 발명은 광통신에 많이 이용되는 1.33μm ∼ 1.55μm 대역의 통신용 레이저에 응용이 가능한 기술로써 상온에서 1.33μm의 방사파장을 볼 수 있도록 한다.