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公开(公告)号：KR100874896B1
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020070001026
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A semiconductor laser having narrow beam spreading is provided to reduce width of an output beam of the semiconductor laser, to improve optical coupling efficiency between the semiconductor laser and an optical fiber, and to perform a photo-excitation of a bio body without a microscope or a microlens. A semiconductor laser includes a board, a lower cladding layer, a lower quantum well active layer, a core layer, an upper quantum well active layer, and an upper cladding layer. A lower cladding layer(31a) is formed on the board. A lower quantum well active layer(32a) is formed on the lower cladding layer. A core layer(33) is formed on the lower quantum well active layer. An upper quantum well active layer(32b) is formed on the core layer. An upper cladding layer(31b) is formed on the upper quantum well active layer.
Abstract translation: 提供具有窄波束扩展的半导体激光器以减小半导体激光器的输出光束的宽度，提高半导体激光器和光纤之间的光耦合效率，并且在没有显微镜的情况下执行生物体的光激励，或者 一个微透镜。 半导体激光器包括板，下包层，下量子阱活性层，核心层，上量子阱活性层和上包层。 下包层（31a）形成在板上。 下部量子阱活性层（32a）形成在下部覆盖层上。 芯层（33）形成在下量子阱有源层上。 在核心层上形成上量子阱有源层（32b）。 上部包层（31b）形成在上部量子阱活性层上。
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公开(公告)号：KR100861763B1
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：KR1020070068684
申请日：2007-07-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/324 , B82B3/00 , B82B1/00
CPC classification number: H01L21/324 , B82Y40/00 , H01L21/02395 , H01L21/0245 , H01L21/02455 , H01L21/02573 , H01L21/02664
Abstract: A method for forming a metal nano-ring by using a post-thermal process is provided to form a ring-shaped metal drop of a nano size by controlling only temperature in a thermal process. A metal material is implanted into a substrate under pressure 10^-9 torr and less. An annealing process is performed under the post-thermal temperature higher than the temperature of the substrate. The metal material is aluminum, gallium or indium. The post-thermal temperature is 340 to 410 °C when the metal material is the gallium. In the post-thermal process, a post-thermal process time is 10 minutes and more when the metal material is the gallium. The substrate is a gallium arsenide-based substrate when the metal material is the gallium.
Abstract translation: 提供通过使用后热处理形成金属纳米环的方法，通过仅控制热处理中的温度来形成纳米尺寸的环形金属滴。 金属材料在压力为10 ^ -9乇或更低的压力下注入衬底。 在比基板的温度高的后热温度下进行退火处理。 金属材料是铝，镓或铟。 当金属材料是镓时，后热温度为340至410℃。 在后热处理中，当金属材料为镓时，后热处理时间为10分钟以上。 当金属材料是镓时，衬底是基于砷化镓的衬底。
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公开(公告)号：KR100819388B1
公开(公告)日：2008-04-07
申请号：KR1020070001021
申请日：2007-01-04
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: A board spectrum light emitting device is provided to obtain lights having a broad spectrum discharged from a quantum dot and a quantum well active layer by allowing the quantum dot in an electric field reinforcing layer to absorb photons generated in the quantum well active layer to generate a second photon. Core layers(33a,33b) enclose a quantum well active layer(34). Cladding layers(31a,31b,31c,31d) include electric field reinforcing layers(32a,32b) whose refractive index is higher than that of the cladding layer. The electric field reinforcing layer includes plural quantum dots(QD). The quantum well active layer discharges light of a first wavelength. The quantum dot discharges light of a second wavelength longer than the first wavelength. A band gap of the quantum dot is smaller than that of the quantum well active layer. The quantum dot in the electric field reinforcing layer absorbs photons generated in the quantum well active layer to generate a second photon.
Abstract translation: 提供了一种板光谱发光器件，通过允许电场增强层中的量子点吸收在量子阱活性层中产生的光子而获得从量子点和量子阱活性层放出的光谱， 第二光子。 芯层（33a，33b）包围量子阱活性层（34）。 包覆层（31a，31b，31c，31d）包括其折射率高于包层的折射率的电场增强层（32a，32b）。 电场增强层包括多个量子点（QD）。 量子阱有源层放电第一波长的光。 量子点放电比第一波长长的第二波长的光。 量子点的带隙小于量子阱活性层的带隙。 电场增强层中的量子点吸收在量子阱活性层中产生的光子以产生第二光子。
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公开(公告)号：KR100673499B1
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：KR1020050003089
申请日：2005-01-13
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/183 , H01L33/105 , H01S2304/00 , H01S2304/02
Abstract: 본 발명은 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있는 디지털 합금 다원 화합물 반도체의 분산 브랙 반사경을 제공한다. 본 발명의 분산 브랙 반사경은 기판 및 상기 기판 상에 다층으로 적층된 단위 분산 브랙 반사경(DBR) 층을 포함하며, 상기 단위 DBR층이 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/다원 반도체층 또는 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층/단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층의 다층 적층체로 이루어지고, 상기 단위 디지털 합금 다원 화합물 반도체층이 다원 반도체의 제1 층과 상기 제1 층 상의 상이한 다원 반도체의 다층 적층체로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 디지털 합금 분산 브랙 반사경은 기존의 일반 분산 브랙 반사경에 비해 대면적 제작시 균일한 품질을 보이며, 대량생산시 균일한 품질을 얻을 수 있다.
디지털 합금, 다원 화합물 반도체, 분산 브랙 반사경, 파장, 반사율, 굴절률-
公开(公告)号：KR1020060082342A
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020050003016
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/035218 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H01L31/186
Abstract: 본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다.
양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有量子点结构的光学元件的方法，该量子点结构不仅能够通过减少氢化期间量子点生长期间产生的缺陷而改善半导体器件的光学特性而且还改善电学特性。 根据本发明的光学器件制造方法包括以下步骤：a）准备衬底; b）在衬底上形成第一导电层; c）在第一导电层上形成缓冲层; e）在缓冲层上形成量子点; f）形成覆盖量子点的覆盖层; g）在覆盖层上形成第二导电层; 和h）进行加氢处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100491073B1
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：KR1020010088866
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 얇은 AlGaAs 삽입층을 이용하여 InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 관한 것으로, InGaAs 양자점 형성 후에 10 nm 이하의 두께를 갖는 삽입층을 성장시킴으로써 이루어진다. 본 발명에 따른 방사파장의 조작방법은, InGaAs/GaAs 양자점으로부터 발광되는 방사파장의 조작방법에 있어서, 상기 InGaAs/GaAs 양자점을 형성하는 단계, 및 상기 InGaAs/GaAs 양자점 위에 AlGaAs 삽입층을 곧바로 성장시키는 단계를 포함한다. 상기 AlGaAs 삽입층의 유무에 따라서 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 광루미네선스의 피크 위치가 변화된다. 상기 AlGaAs 삽입층의 두께가 두꺼워짐에 따라 상기 InGaAs/GaAs 양자점의 기저준위의 피크가 장파장 방향으로 이동하여 서서히 포화된다. 상기 AlGaAs 삽입층에 결함이 있으면, 상기 InGaAs/GaAs 양자점에 존재하는 긴장(strain)을 완화시킨다. 본 발명은 광통신에 많이 이용되는 1.33μm ∼ 1.55μm 대역의 통신용 레이저에 응용이 가능한 기술로써 상온에서 1.33μm의 방사파장을 볼 수 있도록 한다.
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公开(公告)号：KR100121563B1
公开(公告)日：1997-11-13
申请号：KR1019940011792
申请日：1994-05-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G03F7/00
Abstract: It is an object to provide a method capable of easily correcting each mask patterns when manufacturing a mulilayer mask by converting an electronic microscope into a simply additional device in order to perform an electron beam lithography while maintaining original functions thereof. The method according to the present invention can easily compensate defects of a mask prior to manufacturing the mask by using functions of a microscope. The method performs an electron beam lithography to directly represent a pattern on a sample and manufacture the mask while maintaining original functions of the microscope.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够在通过将电子显微镜转换为简单的附加装置来制造多层掩模时容易地校正每个掩模图案的方法，以便在保持其原始功能的同时进行电子束光刻。 根据本发明的方法可以通过使用显微镜的功能，在制造掩模之前容易地补偿掩模的缺陷。 该方法进行电子束光刻以直接表示样品上的图案并制造掩模，同时保持显微镜的原始功能。
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公开(公告)号：KR1020130084897A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120005832
申请日：2012-01-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: An underwater communication apparatus and a method thereof are provided to transmit data without distortion using the light with a wavelength of 450-500 nm. CONSTITUTION: A current control unit (120) converts first data to be transmitted to an external device into first current. An optical transmitter (110) transmits the light with a wavelength of 450-500 nm into the external device. The light corresponds to the converted first current. The first data includes one or more data among image data, voice data, and text data. A data transmitter transmits the first data to the current control unit. The data transmitter comprises one or more among a mike, a camera, a text input device, a body information collection device, and an environmental information collection device. [Reference numerals] (110) Optical transmitter; (120) Current control unit
Abstract translation: 目的：提供水下通信装置及其方法，使用波长为450-500nm的光来传输数据而不失真。 构成：电流控制单元（120）将要发送到外部设备的第一数据转换为第一电流。 光发射器（110）将波长为450-500nm的光透射到外部设备中。 光对应于转换的第一电流。 第一数据包括图像数据，语音数据和文本数据中的一个或多个数据。 数据发送器将第一数据发送到当前控制单元。 数据发送器包括麦克风，照相机，文本输入装置，身体信息收集装置和环境信息收集装置中的一个或多个。 （附图标记）（110）光发射机; （120）电流控制单元
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公开(公告)号：KR100695842B1
公开(公告)日：2007-03-19
申请号：KR1020050002871
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
Abstract: 본 발명은 양자점의 상·하에 비대칭적 반도체층들을 형성하여 광통신에 이용되는 1.3 내지 1.5 ㎛ 대역의 장파장을 얻을 수 있는, 양자점 상하에 비대칭 반도체 양자우물층을 구비하는 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판과, 기판 위에 형성되는 제 1 양자우물층과, 제 1 양자우물층 위에 형성되는 다수의 양자점과, 다수의 양자점을 덮으며 상기 제 1 양자우물층과 비대칭을 이루는 제 2 양자우물층을 포함하는 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 양자점 상하에 비대칭 반도체층을 형성시킴으로써, 밴드갭 구조가 이상적인 0차원 양자점에 근접하게 된다. 또한 바람직한 구체적인 실시예로서, InAs 양자점 및 InGaAs 양자우물을 GaAs 기판에 성장시킨 경우, 본 발명은 InGaAs 양자우물층의 두께가 종래보다 얇게 되어 다층의 InAs 양자점을 성장시킬 수 있고, 이로 인해 광 이득이 증가되어 소자를 동작시키기 위한 전력을 감소시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 광통신에 이용되는 1.3 ㎛ 대역 이상의 장파장을 GaAs 기판으로부터 얻을 수 있다.
반도체 양자점, InGaAs, InAs, 장파장, 양자우물, 비대칭, 격자 부정합-
公开(公告)号：KR100602973B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020030076161
申请日：2003-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2304/04
Abstract: 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판, 기판 상에 형성되는 n형 클래딩층, n형 클래딩층 상에 형성되는 n형 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층, n형 SCH층 상에 형성되며 사전설정된 파장 대역의 광을 발생시키기 위한 다층양자우물, 다층양자우물 상에 형성되며 광을 구속하기 위한 p형 SCH층, p형 SCH층 상에 형성되며 광의 손실을 방지하기 위한 p형 클래딩층, p형 클래딩층 상에 형성되며 옴접촉을 조절하기 위한 오믹층, 및 광을 발생시키기 위한 전류를 다층양자우물로 주입하기 위한 전극을 포함하며, n형 클래딩층은 광의 손실을 방지하고, n형 SCH층은 광을 구속하며, 다층양자우물은 사전설정된 적층 주기로 교번하여 형성된 다수의 압축 스트레인 우물층 및 다수의 긴장 스트레인 장벽층에 의해 스트레인 보상되는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
레이저 다이오드, 스트레인 보상 다층양자우물, 압축 스트레인 우물층, 긴장 스트레인 장벽층, 에피 구조
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