Abstract:
본 발명은 창호용 BIPV로 적용 가능한 양면 박막 태양전지, 특히 앞면과 뒷면 모두 빛을 흡수할 수 있어 태양광과 실내 조명 모두를 이용하여 발전 가능한 양면 CIGS 박막 태양전지에 관한 것이다. 본 발명의 여러 구현예에 따르면, 양면 박막 태양전지이면서 일정 영역의 가시광을 투과 시킬 수 있는 반투명 무기 박막 태양전지로서, 유기물 및 액체 전해질을 사용하지 않아 안정성 및 안전성을 확보할 수 있으며 저가 용액공정으로 제조되어 태양전지 가격을 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 이하 명세서에 기재된 기타 다양한 효과를 발현한다.
Abstract:
본 발명은 태양전지용 CIGS(구리인듐갈륨셀렌)계 또는 CIS(구리인듐셀렌)계 박막의 제조에 관한 것으로서, (1) Cu, In 및 Ga의 전구체들을 용매 중에서 혼합하고, 고분자 바인더를 첨가하여 페이스트 또는 잉크를 수득하는 단계; (2) 수득된 CIG 전구체 페이스트를 이용하여 프린팅, 스핀코팅, 또는 스프레이 방법으로 전도성 기판에 코팅한 후 이를 공기 또는 산소 기체 분위기에서 열처리 하여 잔존 유기물을 제거하고 CIG 산화물 박막을 수득하는 단계; (3) 수득된 CIG 산화물 박막을 황화 또는 수소 기체 분위기에서 열처리를 하여 환원된 CIG 박막을 수득하는 단계; (4) 환원 또는 황화된 CIG 박막을 셀레늄 기체 분위기에서 열처리 하여 CIGS 박막을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징이며, 종래 페이스트 코팅법의 가장 큰 문제인 유기첨가물에 기인한 잔존 탄소를 획기적으로 줄일 수 있을 뿐만 아니라 CIGS 결정립의 크기를 향상시킬 수 있어 궁극적으로 프린팅 방법에 의해 제조되는 CIGS 태양전지의 효율을 향상 시키는 효과를 얻을 수 있다.
Abstract:
본 발명은 벌크 헤테로 접합 무기 박막 태양전지 제조에 관한 것으로서, (1) Cu, In 및 Ga의 전구체 용액에 n형 반도체 나노입자 분산액를 혼합한 후 페이스트 또는 잉크를 제조하여 CIGS-n형 반도체 박막을 얻는 단계를 포함하는 것이 특징이며, 벌크 헤테로 접합을 통해 전자 및 정공의 전극까지의 이동거리를 최소화하여 태양전지 효율을 향상시키고 용액 공정에 의한 프린팅 방법으로 박막을 제조함으로써 박막 태양전지의 제조 비용을 낮출 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a bulk hetero junction inorganic thin film solar cell based on a solution process is provided to improve solar cell efficiency by minimizing a moving distance between an electrode and electrons or holes by a bulk hetero junction. CONSTITUTION: A ClG precursor-n type semiconductor nanoparticle paste or ink is obtained by adding polymer binder after the n type semiconductor nanoparticle dispersion solutions are mixed with Cu, In, and Ga precursor solutions(101). After a conductive substrate is coated with ClG precursor-n type semiconductor nanoparticle paste or ink(102), a ClG oxide-n type semiconductor mixed thin film is made by a thermal process under an air or oxygen atmosphere(103). Sulfurization or selenization ClGS-n type semiconductor thin film is made by thermally processing the ClG oxide thin film under sulfurization or selenization gas atmosphere(104). [Reference numerals] (100) Cu, In, Ga precursor; (101) CIG precursor-N type semiconductor nanoparticles mixing paste; (102) Mixed paste coating; (103) Thermal process 1 ClG-N type semiconductor mixed thin film; (104) Thermal process 2 sulfurization or selenization CIGS-N type semiconductor mixed thin film; (105) Manufacturing a device