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公开(公告)号:KR100140409B1
公开(公告)日:1998-06-01
申请号:KR1019950031529
申请日:1995-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 (a) 하기 조성을 갖는 조립 분말을 제공하는 단계
TiN-
p M
2 C-
q C-
r Ni-
s Mec
(여기서, p는 5 내지 20 중량%, q는 0 내지 1.5 중량%, r은 15 내지 30 중량%, s는 0 내지 5 중량%이고, 다만 q와 s는 동시에 0 중량%는 아니고, MeC는 VC, WC, TaC 및 NbC 중에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 탄화물이다.);
b) 상기 조립 분말을 가압 성형하는 단계; 및
c) 분말 성형체를 소결시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 잔류 기공이 없는 TiN 고용체의 고상 입자와 Ni 고용체 기지(matrix)만으로 구성된 소결체의 제조 방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号:KR1019960015218B1
公开(公告)日:1996-11-04
申请号:KR1019940002664
申请日:1994-02-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C27/04
Abstract: This W-Cu alloy is produced by the processes of (1) infiltration of copper in tungsten frame, repeatedly, (2) rapid heating of infiltrated W-Cu alloy at higher 1150deg.C than melting temperature 1083deg.C of copper for the holding time of over 5min, and (3) rapid cooling up to 800deg.C, for decreasing direct contact between tungsten particles, removing the residual porosity and homogenizing micro structure by contraction and expansion. This alloy comprises 65 to 85wt.% Cu and the balance of tungsten frame. The copper as the starting material is the powder of electrolytic copper of higher oxygen content or the ingot of oxygen-free copper of lower oxygen content.
Abstract translation: 这种W-Cu合金是通过以下工序制造的:(1)在钨框架中铜的渗透反复,(2)浸渍的W-Cu合金在1150℃以上的快速加热比熔化温度为1083℃的铜为夹持 时间超过5min,(3)快速冷却至800℃,减少钨颗粒间的直接接触,消除残留孔隙度,并通过收缩和膨胀均匀化微观结构。 该合金包含65至85重量%的Cu和余量的钨骨架。 作为原料的铜是氧含量较高的电解铜粉末或含氧量较低的无氧铜锭。
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公开(公告)号:KR1019960010588A
公开(公告)日:1996-04-20
申请号:KR1019950031529
申请日:1995-09-23
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은 (a) 하기조성을갖는조립분말을제공하는단계 (여기서, p는 5 내지 20중량%, q는 0 내지 1.5중량%, r은 15 내지 30중량%, s는 0 내지 5중량%이고, 다만 q와 s는동시에 0중랑%는아니고, MeC는 VC, WC, TaC 또는 NbC 중에서선택된 1종또는 2종이상의탄화물이다.); b)상기조립분말을가압성형하는단계; 및 c)분말성형체를소결시키는단계로이루어지는것을특징으로하는잔류기공이없는 TiN 고용체의고상입자와 Ni 고용체기지(matrix)만으로구성된소결체의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: (A)提供具有以下组成的颗粒状粉末,其中p为5至20重量%,q为0至1.5重量%,r为15至30重量%,s为0至5重量% q,s不同时为0价,MeC为选自VC,WC,TaC或NbC中的1种或2种以上的碳化物)。 b)模压造粒粉末; 本发明还涉及制造仅由TiN固溶体的固溶体和没有残留孔隙的Ni固体基质的固溶体颗粒组成的烧结体的方法。
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公开(公告)号:KR1019950025111A
公开(公告)日:1995-09-15
申请号:KR1019940002664
申请日:1994-02-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C27/04
Abstract: 본 발명은 구리기지내에 텅스텐 분말이 분산되어 이루어진 텅스텐-구리 복합재료의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 텅스텐만으로 이루어진 텅스텐 골격체 내부에 용융상태의 구리가 스며들게 하여 얻어진 용침법에 의한 W-Cu재료를 구리의 용융온도(1080℃) 이상의 온도와 800℃ 이하의 온도 사이에서 가열과 냉각을 반복으로 수행하도록 한 데에 기술적 특징이 있다. 본 벌명의 방법은 반복열처리에 의해 조직의 균일화와 텅스텐 함량의 변화를 가져올수 있음을 물론 조직내 잔류기공을 제거할 수 있는 효과가 있다.
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