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公开(公告)号：KR100334434B1
公开(公告)日：2002-05-03
申请号：KR1019990043498
申请日：1999-10-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G12B17/00
Abstract: 본발명은고투자율의금속섬유를사용하여형성되는전자파차폐재및 그제조방법에관한것으로, 고투자율의금속섬유를다른매트릭스물질에분산시켜복합재료나고투자율의금속섬유가분산된중간층이한층이상삽입되어얇은막이겹쳐있는라미네이트구조의다층복합재료를제공하며, 또한고투자율의금속섬유가분산된중간층이한층이상삽입되어얇은막이겹쳐있는라미네이트구조의전자파차폐재및 고투자율의특성을갖는합금을급냉응고법을이용하여금속섬유로제조하고, 상기금속섬유를진동하고있는시브를통과시켜시트의표면에균일하게분산함으로써상기시트위에금속섬유층을형성하고, 상기의금속섬유층의다른면에대하여또 다른시트를맞닿게하고, 금속섬유의양면에맞닿은두 시트를압축하여두 시트사이를밀착시키는것으로이루어지는고투자율의금속섬유층이삽입된라미네이트구조의전자파차폐재제조방법을제공한다. 본발명에의하면경제적인방법으로지구자계또는 PC 모니터, 통신기기, 오디오, 비디오등 전자시스템에서발생하는전자기파의환경으로부터인체를보호하고전자기기의성능을보존하는것이가능하다.
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公开(公告)号：KR100292681B1
公开(公告)日：2001-11-22
申请号：KR1019980030343
申请日：1998-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L23/34
Abstract: 본 발명은 텅스텐-구리 복합재료 열방산체 기판과, 그 표면에 대면적으로 형성된 다이아몬드 필름으로 이루어지는 반도체용 열방산체를 제공하고, 아울러 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하고, 제조된 상기 열방산체의 표면에서 구리를 선택적으로 용출시킴으로써 표면을 개질시키고, 개질된 표면에 다이아몬드 핵생성을 위한 처리를 행하고, 처리된 표면에 다이아몬드 필름을 코팅시키는 반도체용 열방산체의 제조방법과, 텅스텐-구리 복합재료 열방산체를 제조하고, 제조된 상기 열방산체의 표면에서 텅스텐 입자를 부식시킨 뒤 구리를 용출시킴으로써 상기 표면을 개질시키고, 개질된 표면에 다이아몬드 핵생성을 위한 처리를 행하고, 처리된 표면에 다이아몬드 필름을 코팅시키는 반도체용 열방산체의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100349036B1
公开(公告)日：2002-08-17
申请号：KR1019990002221
申请日：1999-01-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05K1/00
Abstract: PURPOSE: An improved structure of an optical transmitting/receiving module packaging metal receptacle is provided to manufacture a metal receptacle of an optical transmitting/receiving module at the lower expense using a powder injection molding and a sintering. CONSTITUTION: A plurality of holes are formed at an inner bottom surface of a metal receptacle. A plurality of lead pins(1) are inserted and fixed into the holes of the metal receptacle. A printed circuit board support member(5) supports a printed circuit board to be located from a bottom surface of the metal receptacle by a predetermined height. The printed circuit board support member(5) has a circle. The printed circuit board is inserted into an upper side of each of the lead pins(1). An insulation tape is adhered to an outer bottom surface of the metal receptacle. The insulation tape is united with an external socket to improve insulation of the lead pins(1).
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公开(公告)号：KR1020010028432A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990040683
申请日：1999-09-21
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B24B9/16
Abstract: PURPOSE: A parallelly grinding method for the both sides of a single crystal diamond for wire drawing dies is provided to efficiently grind a parallel face for holes to use the diamond as the drawing die and to grind many single crystal diamonds at the same time with a low cost in a metal lapping method. CONSTITUTION: Reacting structure of a metal lapping method is composed of a lower punch (2), an alumina plate (5), a metal plate material (3), a single crystal diamond (1), a metal plate material (4), an alumina plate (6) and an upper punch sequentially layered. A cylindrical body (9) is installed in the layering structure from upside down. Further, an alumina plate (7) is put on the upper punch and a load (10) is applied to the alumina plate (7). Metal plate materials are processed using pure Fe, low carbon steel or an Fe-Mn alloy ingot or a bar. The ingot or the bar shaped metal plate material is cut in 5 to 10mm and polished. The alumina plate (5) protects the metal plate material (3) from the lower punch and more than three single crystal diamonds are arranged on the metal plate material. The single crystal diamond is contacted between two metal plate materials and the upper punch is inserted into the cylindrical body to planarize the upper and the lower face of the single crystal diamond. Then, 0.1 to 3kg of the load is applied to the alumina plate (7) on the upper punch to continuously contact the single crystal diamond. The structure is heated to 700-1150deg.C for 0.5 to 10 hours under an argon-hydrogen mixed gas or a vacuum atmosphere to react the contact portion between the metal plate materials and the single crystal diamond. After the metal lapping method, the reacting layer is removed by sulfuric acid-nitric acid solution.
Abstract translation: 目的：提供用于拉丝模具的单晶金刚石两面的平行研磨方法，以有效地研磨平行的孔，以使用金刚石作为拉丝模，并同时研磨许多单晶钻石 低成本的金属研磨方法。 构成：金属研磨方法的反应结构由下冲头（2），氧化铝板（5），金属板材（3），单晶金刚石（1），金属板材（4）， 氧化铝板（6）和上冲头顺序层压。 圆筒体（9）从上下颠倒地安装在分层结构中。 此外，将氧化铝板（7）放在上冲头上，并将负载（10）施加到氧化铝板（7）上。 金属板材使用纯Fe，低碳钢或Fe-Mn合金锭或棒进行加工。 将锭或棒状金属板材料切割成5至10mm并抛光。 氧化铝板（5）保护金属板材料（3）免受下冲头的冲击，并在金属板材上布置三颗以上的单晶金刚石。 单晶金刚石在两个金属板材料之间接触，上冲头插入圆柱体中以使单晶金刚石的上表面和下表面平坦化。 然后，将0.1〜3kg的载荷施加到上冲头的氧化铝板（7）上，以连续接触单晶金刚石。 将该结构在氩 - 氢混合气体或真空气氛下加热至700-1150℃，保持0.5〜10小时，使金属板材与单晶金刚石的接触部分反应。 金属研磨法后，通过硫酸 - 硝酸溶液除去反应层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990068106A
公开(公告)日：1999-08-25
申请号：KR1019990002221
申请日：1999-01-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H05K1/00
CPC classification number: H05K1/0274 , H05K2201/10325 , H05K2203/0191
Abstract: 본발명은일반적인기계가공방법으로제조가어려운패키징구조를정밀성형이가능하면서실형상화를달성할수 있는분말사출성형과소결기술을적용하여달성하기위한것으로, 광송수신모듈패키징용금속용기에있어서, 상기금속용기내부밑면에개별소자들이올려져회로를구성하는인쇄회로기판을안정적으로지지할수 있도록, 별도의걸림턱을갖는네일(†) 모양의핀을금속용기밑에정렬된통공에삽입하거나, 상기금속용기내에별도의지지대를포함하고, 핀이일렬로위치하는상기금속용기의내부밑면의영역및 상기핀 열사이의중심부영역사이에높이차를제공함으로써, 상기밑면의통공을통하여제공되는핀과소켓사이의절연성이향상되는광송수신모듈패키징용금속용기및 외부소켓과핀의결합시패키징용기의밑면과소켓사이의절연성을향상시키기위해상기금속용기밑면에절연테이프를접착시키는구조를갖는광송수신용모듈패키징용금속용기와, ASTM F-15 합금조성의철, 니켈및 코발트분말을균일하게혼합한후, 이를고분자결합제와다시혼합하여사출용피드스톡을제조하고, 상기피드스톡을금형내로고압사출성형하고, 얻어진성형체로부터용매추출및 열분해법을사용하여상기고분자결합제를제거하고, 얻어진성형체를소결하는것으로이루어지는광송수신모듈패키징용금속용기의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1019990001422A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970024736
申请日：1997-06-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C1/04
Abstract: 본 발명은, 액상 소결시 생길 수 있는 성형체의 불균일한 수축을 없애고, 저비용으로 단순히 텅스텐 분말만을 사출 성형함으로써, 텅스텐 골격 구조 및 상기 골격 구조를 포함하는 텅스텐-구리 복합 재료를 제공하기 위하여, 크기가 2 내지 5 ㎛이고 중량 퍼센트로 99.9% 이상의 순도를 갖는 텅스텐 분말 표면을 중량 퍼센트로 0.06(600ppm) 미만인 Ni로 도포하여 원료 분말을 형성하는 단계와; 상기 원료 분말을 고분자 결합제와 혼합하여 사출용 피드스톡을 만드는 단계와; 상기 피드스톡을 분말 사출 성형하는 단계와; 얻어진 사출 성형체로부터 상기 결합제를 제거하여 텅스텐 골격 구조를 얻는 단계로 이루어지는 텅스텐 골격 구조의 제조 방법 및 상기 텅스텐 골격 구조를 이용한 텅스텐-구리 복합재료의 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1019950025111A
公开(公告)日：1995-09-15
申请号：KR1019940002664
申请日：1994-02-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C27/04
Abstract: 본 발명은 구리기지내에 텅스텐 분말이 분산되어 이루어진 텅스텐-구리 복합재료의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 텅스텐만으로 이루어진 텅스텐 골격체 내부에 용융상태의 구리가 스며들게 하여 얻어진 용침법에 의한 W-Cu재료를 구리의 용융온도(1080℃) 이상의 온도와 800℃ 이하의 온도 사이에서 가열과 냉각을 반복으로 수행하도록 한 데에 기술적 특징이 있다. 본 벌명의 방법은 반복열처리에 의해 조직의 균일화와 텅스텐 함량의 변화를 가져올수 있음을 물론 조직내 잔류기공을 제거할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019950003051B1
公开(公告)日：1995-03-30
申请号：KR1019920024708
申请日：1992-12-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C19/05
CPC classification number: C22C19/055
Abstract: The Ni-Cr-W series forged alloys which are useful as the base material for chemical industry plant and power generation plant, especially for chemical processing pipe or tube which can endure the 900-1100≦̸C processing condition, are manufactured. The forged alloy exhibited the supeirior high-temperature strength and forging workability. The alloy comprised Cr 21-25%, W 20-25%, Ti 0.5-2.0%, Al 1-5%, C 0.025-0.5%, B below 0.2%, Zr below 0.3%, Ta 0.3-3.0%, and the residue was Ni as the weight ratio.
Abstract translation: 可用作化工厂和发电厂基材的Ni-Cr-W系列锻造合金，特别适用于可承受900-1100＆C，C加工条件的化学加工管材或管材。 锻造合金具有超高温强度和锻造加工性。 该合金包含Cr 21-25％，W 20-25％，Ti 0.5-2.0％，Al 1-5％，C 0.025-0.5％，B低于0.2％，Zr低于0.3％，Ta 0.3-3.0％，和 残渣为重量比为Ni。
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公开(公告)号：KR1019940014864A
公开(公告)日：1994-07-19
申请号：KR1019920024708
申请日：1992-12-17
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C22C19/05
Abstract: 본 발명은 900~1100℃의 초고온에서 가동되는 화학공업설비 및 발전설비등의 고온소재에 관한 것으로, 고온강화와 크립 파단수명이 우수하고 단조가공성이 뛰어난 Ni-Cr-W계 니켈기 초내열 합금에 관한 것이다.
본 발명 합금의 조성은 Ni를 기본조성으로 하여 Cr 21~25%, W 18~25%, Ti 0.5~2.0%, Al 1~5%, C 0.025~0.5%, B 0.2%이하, Zr 0.3%이하 및 Ta 0.3~3.0% 함유되어 이루어진 조성이다.
본 발명 합금은 종래의 니켈기 초내열 합금에 비해 고온에서의 크립 파단수명이 월등히 향상되고, 또한 단조가 공성이 우수할 뿐만 아니라 기계가공성이 우수하다는 장점이 있다.
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