公开(公告)号：KR100498259B1

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：KR1020030023458

申请日：2003-04-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  박화선 ,  이석 ,  우덕하 ,  이종창

IPC: G02B6/13

Abstract: 본 발명은 높은 위상변조 효율을 갖는 InGaAsP/InP 리지(Ridge) 도파로 위상변조기의 에피박막층 제조방법에 관한 것이다. 특히, 1.55 ㎛ 파장에서 TE 모드의 위상변화가 역바이어스 전압에 선형 비례함과 동시에 높은 위상변조 효율을 갖도록 제작된 PpnN InGaAsP/InP 리지(ridge) 도파로 위상변조기에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, InGaAsP/InP 도파로 위상 변조기의 수직방향 광구속을 얻기 위한 에피 박막층 제조방법에 있어서, N
+ -InP(≥2×10
18 cm
-3 ) 기판 위에 0.25 두께의 N-InP(3 ×10
17 cm
-3 ) 제 1클래딩층을 형성하는 단계와; 상기 제 1클래딩층 위에 0.25 두께의 n-InGaAsP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 1도파로층과 0.25 두께의 p-InGaAsP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 2도파로층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 2도파로층 위에 0.75 두께의 P-InP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 2클래딩층과 0.25 두께의 P-InP(1 ×10
17 cm
-3 ) 제 3클래딩층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 제 3클래딩층 위에 0.2 두께의 p
+ -InGaAs(1 ×10
18 cm
-3 ) 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에피 박막층 제조방법을 제시한다.

公开(公告)号：KR1020040089371A

公开(公告)日：2004-10-21

申请号：KR1020030023458

申请日：2003-04-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 변영태 ,  박화선 ,  이석 ,  우덕하 ,  이종창

IPC: G02B6/13

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating epi-layer of an InGaAsP/InP ridge waveguide phase modulator having high phase modulation efficiency is provided to reduce the manufacturing cost and enhance the reliability by using a semiconductor including chemical compounds of a third and a fourth group. CONSTITUTION: A first cladding layer(20) of N-InP is formed on an N¬+-Inp substrate(10). A first waveguide layer(30) of n-InGaAsP and a second waveguide layer(40) of p-InGaAsP are formed on the first cladding layer sequentially. A second cladding layer(50) of P-InP and a third cladding layer(60) of P-InP are sequentially formed on the second waveguide layer. A p+-InGaAs electrode layer(70) is formed on the third cladding layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有高相位调制效率的InGaAsP / InP脊波导相位调制器的外延层的方法，以通过使用包括第三和第四组的化合物的半导体来降低制造成本并提高可靠性。 构成：N-InP衬底（10）上形成N-InP的第一覆层（20）。 n-InGaAsP的第一波导层（30）和p-InGaAsP的第二波导层（40）依次形成在第一覆层上。 P-InP的第二包层（50）和P-InP的第三包层（60）依次形成在第二波导层上。 在第三包覆层上形成p + -InGaAs电极层（70）。