公开(公告)号：KR1020010083477A

公开(公告)日：2001-09-01

申请号：KR1020000007024

申请日：2000-02-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고석근 ,  백영환 ,  조준식 ,  한영건

IPC: C23C14/20

CPC classification number: C23C14/022 ,  C23C14/086 ,  C23C14/22

Abstract: PURPOSE: A deposition method is provided which manufactures a transparent conductive thin film, an IO (Indium oxide) or ITO (Indium tin oxide) thin film at a low substrate temperature, particularly at an ordinary temperature using a treatment method which damages neither transparency of the polymer substrate nor chemical stability of the surface reforming layer of the polymer substrate. CONSTITUTION: The method for depositing an IO (Indium oxide) or ITO (Indium tin oxide) thin film on a polymer substrate comprises the processes of reforming the surface of the polymer substrate by irradiating an oxygen or argon ion beam to a polymer substrate under the vacuum and oxygen atmosphere in a constant accelerated energy; and depositing an IO or ITO thin film as irradiating oxygen, argon or a mixed ion beam of oxygen and argon onto the surface reformed polymer substrate under vacuum. The method for depositing an IO (Indium oxide) or ITO (Indium tin oxide) thin film on a polymer substrate comprises the processes of reforming the surface of the polymer substrate by irradiating an oxygen or argon ion beam to a polymer substrate under the vacuum in a constant accelerated energy; and depositing an IO or ITO thin film on the surface reformed polymer substrate by generating ion beams from a cold hallow cathode ion source using an ionic gas under vacuum and sputtering the polymer substrate to a target material consisting of In2O3, or In2O3 and SnO2.

Abstract translation: 目的：提供一种沉积方法，其在低衬底温度下，特别是在常温下使用不损害透明性的处理方法制造透明导电薄膜，IO（氧化铟）或ITO（氧化铟锡）薄膜） 聚合物基材和聚合物基材的表面改性层的化学稳定性。 构成：在聚合物基材上沉积IO（氧化铟）或ITO（氧化铟锡）薄膜的方法包括通过在氧气或氩离子束的下面将氧或氩离子束照射到聚合物基底上来重整聚合物基材的表面的方法 真空和氧气氛中恒定加速能量; 以及在真空下将氧，氩或氧和氩的混合离子束照射到表面改性的聚合物基底上来沉积IO或ITO薄膜。 用于在聚合物基材上沉积IO（氧化铟）或ITO（氧化铟锡）薄膜的方法包括通过在真空下将氧或氩离子束照射到聚合物基底上来重整聚合物基材的表面的方法 恒定加速能量; 以及通过在真空下使用离子气体从冷的正极阴离子源产生离子束并将聚合物衬底溅射到由In 2 O 3或In 2 O 3和SnO 2组成的靶材上，在表面改性的聚合物衬底上沉积IO或ITO薄膜。

公开(公告)号：KR100336621B1

公开(公告)日：2002-05-16

申请号：KR1020000007024

申请日：2000-02-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 고석근 ,  백영환 ,  조준식 ,  한영건

IPC: C23C14/20

Abstract: 본 발명은 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막 증착 방법에 관한 것으로, 진공하에서 고분자 기판에 산소 또는 아르곤 이온빔을 일정한 가속에너지로 조사하여 상기 고분자 기판의 표면을 개질시키고, 상기 표면 개질된 고분자 기판 위에 진공하에서 산소, 아르곤 또는 산소와 아르곤의 혼합 이온빔을 조사하면서 IO 또는 ITO 박막을 증착시키는 것으로 이루어지는 고분자 기판 위의 IO 또는 ITO 박막 증착 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 진공하에서 아르곤, 산소 또는 이의 혼합 기체를 사용하여 냉음극이온소스로부터 이온빔을 발생시키고 In
2 O
3 또는 In
2 O
3 및 SnO
2 로 이루어진 타겟물질에 스퍼터링시켜 상기 표면 개질된 고분자 기판 위에 IO 또는 ITO 박막을 증착시키는 것도 가능하다. 본 발명에 의하면 고분자 기판의 투명도나 고분자 기판의 표면 개질층의 화학적 안정성에 손상을 주지 않고, 낮은 기판 온도, 특히 상온에서 고분자 기판 위에 투명 전도성 박막인 IO 또는 ITO 박막을 제조하는 것이 가능하다. 이렇게 제조된 IO 또는 ITO 박막은 투명도, 전기적 특성 및 고분자 기판과의 접착력이 종래의 박막 제조방법에 비하여 매우 향상된다.