公开(公告)号：KR100953532B1

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：KR1020070101363

申请日：2007-10-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  구현철 ,  한석희 ,  김원용 ,  서주영

IPC: B82B1/00 ,  H01L21/027 ,  B82Y25/00

Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 자성반도체 박막, 상기 자성반도체 박막 상에 형성된 전도 채널, 상기 전도 채널 상에 형성된 절연막, 상기 전도 채널 양쪽에 형성된 상기 절연막의 일부를 제거하여 형성된 전기적 연결 단자 및 상기 절연막이 형성된 상기 전도 채널 상에 형성된 나노자성체 어레이 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성반도체/나노자성체 하이브리드형 스핀 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해, 전자의 스핀 특성을 제어함으로써 내부 저항 제어가 가능한 독특한 물성의 자성반도체 스핀소자의 개발이 가능할 것으로 기대된다. 나아가 기존의 CMOS 보다 직접도, 스위칭 속도 및 에너지 측면에서 월등히 우수한 메모리 소자의 개발이 가능할 것이다.
자성반도체, 나노자성체, 스핀, 전도 채널, 볼텍스 구조

公开(公告)号：KR1020090036281A

公开(公告)日：2009-04-14

申请号：KR1020070101363

申请日：2007-10-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 장준연 ,  구현철 ,  한석희 ,  김원용 ,  서주영

IPC: B82B1/00 ,  H01L21/027 ,  B82Y25/00

CPC classification number: H01L21/0274 ,  B82B1/00 ,  B82Y25/00

Abstract: A magnetic-nanoparticles/magnetic-semiconductors hybrid type spin device is provided to diversify resistance of magnetic semiconductor by controlling an electron spin property according to a localized and uneven magnetic field. A magnetic-nanoparticles/magnetic-semiconductors hybrid type spin device comprises: a magnetic semi-conductor thin film formed on a substrate; a conductive channel(11) formed on the magnetic semi-conductor thin film; an insulating layer(12) formed on the conductive channel; an electrical connection terminal formed by removing some parts of the insulating layer; and a magnetic-nanoparticles array(13) formed on the conductive channel. The magnetic semi-conductor thin film represents a single crystal thin film which has thickness of 10-1000 nanometers and shows semiconductor and ferromagnetic characteristics.

Abstract translation: 提供磁 - 纳米颗粒/磁半混合型自旋装置，通过根据局部和不均匀的磁场控制电子自旋特性来使磁半导体的电阻分散。 磁性纳米颗粒/磁性半导体混合型自旋装置包括：形成在基板上的磁性半导体薄膜; 形成在所述磁性半导体薄膜上的导电沟道（11）; 形成在所述导电通道上的绝缘层（12） 通过去除所述绝缘层的一些部分而形成的电连接端子; 和形成在导电通道上的磁 - 纳米颗粒阵列（13）。 磁性半导体薄膜表示厚度为10-1000纳米的单晶薄膜，具有半导体和铁磁特性。