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公开(公告)号：KR100953532B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：KR1020070101363
申请日：2007-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B1/00 , H01L21/027 , B82Y25/00
Abstract: 본 발명은 기판 상에 형성된 자성반도체 박막, 상기 자성반도체 박막 상에 형성된 전도 채널, 상기 전도 채널 상에 형성된 절연막, 상기 전도 채널 양쪽에 형성된 상기 절연막의 일부를 제거하여 형성된 전기적 연결 단자 및 상기 절연막이 형성된 상기 전도 채널 상에 형성된 나노자성체 어레이 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 자성반도체/나노자성체 하이브리드형 스핀 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해, 전자의 스핀 특성을 제어함으로써 내부 저항 제어가 가능한 독특한 물성의 자성반도체 스핀소자의 개발이 가능할 것으로 기대된다. 나아가 기존의 CMOS 보다 직접도, 스위칭 속도 및 에너지 측면에서 월등히 우수한 메모리 소자의 개발이 가능할 것이다.
자성반도체, 나노자성체, 스핀, 전도 채널, 볼텍스 구조-
公开(公告)号：KR1020070056758A
公开(公告)日：2007-06-04
申请号：KR1020050115814
申请日：2005-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G03F7/2059 , G03F7/004
Abstract: A method for manufacturing a two-dimensional array structure of a nano-sized ferromagnet is provided to improve the precision of fabrication by enhancing the resolution of nano patterning using a C60 fullerene based carbon thin film. A ferromagnetic film(12) is formed on a substrate(11). An amorphous carbon thin film(14) is deposited on the ferromagnetic film. An electron beam is irradiated onto the amorphous carbon thin film. At this time, the amorphous carbon thin film is selectively crystallized. The remaining amorphous carbon thin film is removed from the resultant structure to complete a crystallized carbon thin film pattern(14a). A nano-sized ferromagnetic array(12') is formed on the resultant structure by etching the ferromagnetic film using the carbon thin film pattern as an etch mask. Then, the carbon thin film pattern is removed. A C60 fullerene based carbon thin film is used as the carbon thin film.
Abstract translation: 提供了一种用于制造纳米尺寸铁磁体的二维阵列结构的方法，以通过使用C60富勒烯基碳薄膜提高纳米图案的分辨率来提高制造精度。 铁基膜（12）形成在基板（11）上。 无定形碳薄膜（14）沉积在铁磁膜上。 将电子束照射到无定形碳薄膜上。 此时，非晶碳薄膜被选择性地结晶。 从所得结构中除去剩余的无定形碳薄膜以完成结晶碳薄膜图案（14a）。 通过使用碳薄膜图案作为蚀刻掩模蚀刻铁磁膜，在所得结构上形成纳米尺寸的铁磁阵列（12'）。 然后，除去碳薄膜图案。 使用C60富勒烯类碳薄膜作为碳薄膜。
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公开(公告)号：KR1020060097303A
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020050018421
申请日：2005-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/12 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1237 , G11C11/161
Abstract: 본 발명은 SOI 기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 전자를 Si 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성됨을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자를 제시한다.
따라서, 본 발명은 종래의 자성체/Si 반도체 소자에서 구현되지 않았던 스핀밸브효과를 달성하여 반도체 트랜지스터에서 캐리어의 전하만을 전기장으로 제어하는 것과 달리 하이브리드형 자성체/반도체 소자에서는 소스와 드레인에 자성체를 사용하여 스핀을 SOI 반도체에 주입하고 검출함으로써 캐리어의 스핀을 이용한 메모리 및 논리소자로 응용할 수 있다.
스핀주입소자, SOI, 자성체/반도체 이종 접합구조, 자기저항, 스핀밸브-
公开(公告)号：KR101226076B1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：KR1020050115814
申请日：2005-11-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 자성체막을 형성하는 단계와, 상기 자성체막 상에 전자빔 조사에 의해 결정화가능한 비정질 탄소박막을 증착하는 단계와, 상기 탄소박막에 전자빔을 원하는 나노배열패턴에 따라 조사하는 단계 - 여기서, 상기 탄소박막 중 전자빔이 조사된 영역은 결정화됨-;와, 상기 전자빔이 조사된 영역으로 정의되는 탄소박막패턴이 형성되도록 상기 탄소박막의 비정질영역을 제거하는 단계와, 상기 탄소박막패턴을 마스크로 이용하여 상기 자성체막을 건식 식각함으로써 나노자성체 어레이를 형성하는 단계와, 상기 탄소박막패턴을 상기 나노 자성체 어레이로부터 제거하는 단계를 포함하는 나노자성체 2차원 배열구조 제조방법을 제공한다.
나노자성체(nano sized ferromagnet), 탄소박막(carbon thin film), C60 플러렌-
公开(公告)号：KR100211529B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019970015877
申请日：1997-04-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C12N1/20
Abstract: 본 발명은 유해 미생물 억제 활성을 갖는 신규 내산성 락토바실러스 속 미생물에 관한 것으로, 본 발명에 따라 국내 암퇘지 분변으로부터 혐기적으로 분리된 락토바실러스 레우테리(Lactobacillus reuterii)는 내산성, 내담즙성을 가지면서, 항생제에 대하여 내성을 나타내고, 병원성 세균과 같은 유해 미생물의 생장을 억제하는 특성을 나타내는 신규 유산균으로서, 자돈 등의 가축에 투여시 분변내 유산균 균총은 높게 유지되는 반면 대장균 균총은 경시적으로 감소하였으며, 보다 적은 양의 사료에 의해서도 충분히 증체되어, 가축용 생균활성제로 유용하게 사용될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100141261B1
公开(公告)日：1998-06-15
申请号：KR1019950002100
申请日：1995-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 뉴캣슬병 바이러스의 F 단백질 유전자를 이용하여 뉴캣슬병을 진단하는 방법에 관한 것으로 뉴캣슬병 바이러스의 F 단백질 유전자 절편에 대응하는 프라이머를 가지고 역전사효소-중합효소 연쇄반응을 실시하는 것을 특징으로 하는 뉴캣슬병을 진단하는 방법에 의하면 뉴캣슬병 바이러스를 신속하고 효과적으로 진단할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090036281A
公开(公告)日：2009-04-14
申请号：KR1020070101363
申请日：2007-10-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: B82B1/00 , H01L21/027 , B82Y25/00
CPC classification number: H01L21/0274 , B82B1/00 , B82Y25/00
Abstract: A magnetic-nanoparticles/magnetic-semiconductors hybrid type spin device is provided to diversify resistance of magnetic semiconductor by controlling an electron spin property according to a localized and uneven magnetic field. A magnetic-nanoparticles/magnetic-semiconductors hybrid type spin device comprises: a magnetic semi-conductor thin film formed on a substrate; a conductive channel(11) formed on the magnetic semi-conductor thin film; an insulating layer(12) formed on the conductive channel; an electrical connection terminal formed by removing some parts of the insulating layer; and a magnetic-nanoparticles array(13) formed on the conductive channel. The magnetic semi-conductor thin film represents a single crystal thin film which has thickness of 10-1000 nanometers and shows semiconductor and ferromagnetic characteristics.
Abstract translation: 提供磁 - 纳米颗粒/磁半混合型自旋装置，通过根据局部和不均匀的磁场控制电子自旋特性来使磁半导体的电阻分散。 磁性纳米颗粒/磁性半导体混合型自旋装置包括：形成在基板上的磁性半导体薄膜; 形成在所述磁性半导体薄膜上的导电沟道（11）; 形成在所述导电通道上的绝缘层（12） 通过去除所述绝缘层的一些部分而形成的电连接端子; 和形成在导电通道上的磁 - 纳米颗粒阵列（13）。 磁性半导体薄膜表示厚度为10-1000纳米的单晶薄膜，具有半导体和铁磁特性。
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8.发明公开
公开(公告)号：KR1019980078353A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970015877
申请日：1997-04-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C12N1/20
Abstract: 본 발명은 유해 미생물 억제 활성을 갖는 신규 내산성
락토바실러스 속 미생물에 관한 것으로, 본 발명에 따라 국내 암퇘지 분변으로부터 혐기적으로 분리된
락토바실러스 레우테리 (
Lactobacillus reuterii )는 내산성, 내담즙성을 가지면서, 항생제에 대하여 내성을 나타내고, 병원성 세균과 같은 유해 미생물의 생장을 억제하는 특성을 나타내는 신규 유산균으로서, 자돈 등의 가축에 투여시 분변내 유산균 균총은 높게 유지되는 반면 대장균 균총은 경시적으로 감소하였으며, 보다 적은 양의 사료에 의해서도 충분히 증체되어, 가축용 생균활성제로 유용하게 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960031623A
公开(公告)日：1996-09-17
申请号：KR1019950002100
申请日：1995-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 뉴캣슬병 바이러스의 F 단백질 유전자를 이용하여 뉴캣슬병을 진단하는 방법에 관한 것으로 뉴캣슬병 바이러스의 F 단백질 유전자 절편에 대응하는 프라이머를 가지고 역전사효소-중합효소 연쇄반응을 실시하는 것을 특징으로 하는 뉴캣슬병을 진단하는 방법에 의하면 뉴캣슬병 바이러스를 신속하고 효과적으로 진단 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100697779B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050018421
申请日：2005-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/12 , H01L27/115
Abstract: 본 발명은 SOI 기판을 이용한 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것으로써, 특히 상온에서 강자성체로부터 스핀분극된 전자를 Si 반도체에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터를 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 절연막 위에 SOI 기판이 형성되고, 상기 SOI 기판 위에 자성체의 소스 영역이 형성되며, 상기 소스 영역으로 주입된 스핀이 통과하는 상기 SOI 기판 위에 1차원 구조의 스핀 채널영역이 형성되고, 상기 스핀 채널영역을 통과한 스핀이 검출되는 상기 SOI 기판 위에 자성체의 드레인 영역이 형성됨을 특징으로 하는 하이브리드형 자성체/반도체 스핀소자를 제시한다.
따라서, 본 발명은 종래의 자성체/Si 반도체 소자에서 구현되지 않았던 스핀밸브효과를 달성하여 반도체 트랜지스터에서 캐리어의 전하만을 전기장으로 제어하는 것과 달리 하이브리드형 자성체/반도체 소자에서는 소스와 드레인에 자성체를 사용하여 스핀을 SOI 반도체에 주입하고 검출함으로써 캐리어의 스핀을 이용한 메모리 및 논리소자로 응용할 수 있다.
스핀주입소자, SOI, 자성체/반도체 이종 접합구조, 자기저항, 스핀밸브
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