公开(公告)号：KR100721479B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060000244

申请日：2006-01-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 유성필 ,  최원준 ,  송진동 ,  이정일

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 양자점 구조를 가지는 반도체 장치 제작시, 저밀도 양자점 구조를 가지는 반도체 장치를 제작하기 위한 발명에 관한 것으로서, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 증착하고, 소정의 시간 동안 증착을 멈추고 대기하는 단계; d) 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 소정의 회수만큼 상기 단계 c)를 반복하는 단계; 및 e) 상기 양자점 상에 덮개층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 장치의 제작 방법을 제공함으로써 저밀도 양자점을 갖는 반도체 장치를 구현할 수 있다.
저밀도 양자점, 화합물 반도체, InAs, MBE, 단일 광자 광원

Abstract translation: 本发明涉及在制造具有量子点结构的半导体器件中用于制造具有低密度量子点结构的半导体器件的发明，其包括以下步骤：a）准备衬底; b）在衬底上形成缓冲层; c）按元素沉积化合物半导体元件的组成元素，停止并等待沉积预定时间; d）重复步骤c）预定次数直至产生所需厚度的量子点结构; e）在量子点上形成盖层，通过提供一种制造具有量子点结构的化合物半导体器件的方法，可以实现具有低密度量子点的半导体器件。