질화 알루미늄계 내화물 및 그 제조방법
    1.
    发明公开
    질화 알루미늄계 내화물 및 그 제조방법 失效
    氮化铝耐火材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR1019990057429A

    公开(公告)日:1999-07-15

    申请号:KR1019970077480

    申请日:1997-12-29

    Abstract: 저탄성상 기지상인 BN이나 흑연 또는 이들의 혼합물의 미립의 AIN, AIN/SiC, AlON 고탄성상 기지상에 균일하게 분산된 복합기지상과 상기 고탄성상 기지상과 동일 조성을 갖는 골재로 이루어진 AlN (질화 알루미늄)계 내화물 및 그의 제조방법. AlN-BN, AlN/SiC-BN, AlON-BN계의 AlN계 내화물의 제조 방법에 있어서 기지상을 이루는 AlN, AlN/SiC, AlON 미립 입자와 BN이나 흑연 또는 그 혼합물의 입자를 균일하게 혼합하고 이를 골재 입자 사이에 고르게 분포시키는 방법을 사용하여 기지상내에 존재하는 저탄성상 BN이나 흑연 또는 그 혼합물의 입자의 균일한 분포를 위하여 기지상을 구성하는 미립 입자와 BN이나 흑연 또는 그 혼합물 입자를 동시 분산하여 열분무 건조법에 의해 제조한 과립 상태로 첨가함으로써 내화물 내에서 전체적인 균일도를 유지함은 물론 기지상 내에서 BN 입자의 고른 분포를 얻을 수 있다.

    탄소함유 내화물 및 그의 제조방법
    2.
    发明公开
    탄소함유 내화물 및 그의 제조방법 失效
    含碳耐火材料及其制备方法

    公开(公告)号:KR1019990057428A

    公开(公告)日:1999-07-15

    申请号:KR1019970077479

    申请日:1997-12-29

    Abstract: SiC-C, Al
    2 O
    3 -SiC-C, Al
    2 O
    3 -C, MgO-C, ZrO
    2 -C, 또는 AlN-C계의 탄소함유 내화물의 제조방법으로서, 기지상을 이루는 SiC, Al
    2 O
    3 , MgO, ZrO
    2 , 또는 AlN 미립 입자와 흑연 입자를 균일하게 혼합하고 이를 골재 입자 사이에 고르게 분포시키는 한편, 골재와 기지상 간의 계면강도 향상을 위해 내화물 성형체나 소결체에 무기 콜로이드 솔을 함침시키고 이를 열 처리함하여 계면 강도를 증가시킴으로써 결과적으로 탄소함유 내화물의 내열충격성과 내침식성을 향상시키는 방법이 제공된다.

    탄소함유 내화물 및 그의 제조방법
    3.
    发明授权
    탄소함유 내화물 및 그의 제조방법 失效
    含碳化合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR100239683B1

    公开(公告)日:2000-02-01

    申请号:KR1019970077479

    申请日:1997-12-29

    Abstract: SiC-C, Al
    2 O
    3 -SiC-C, Al
    2 O
    3 -C, MgO-C, ZrO
    2 -C, 또는 AlN-C계의 탄소함유 내화물의 제조방법으로서, 기지상을 이루는 SiC, Al
    2 O
    3 , MgO, ZrO
    2 , 또는 AlN 미립 입자와 흑연 입자를 균일하게 혼합하고 이를 골재 입자 사이에 고르게 분포시키는 한편, 골재와 기지상 간의 계면강도 향상을 위해 내화물 성형체나 소결체에 무기 콜로이드 솔을 함침시키고 이를 열 처리함하여 계면 강도를 증가시킴으로써 결과적으로 탄소함유 내화물의 내열충격성과 내침식성을 향상시키는 방법이 제공된다.

    질화 알루미늄계 내화물 및 그 제조방법
    4.
    发明授权
    질화 알루미늄계 내화물 및 그 제조방법 失效
    包含氮化铝的制品及其制备方法

    公开(公告)号:KR100239897B1

    公开(公告)日:2000-02-01

    申请号:KR1019970077480

    申请日:1997-12-29

    Abstract: 저탄성상 기지상인 BN이나 흑연 또는 이들의 혼합물의 미립의 AIN, AIN/SiC, AlON 고탄성상 기지상에 균일하게 분산된 복합기지상과 상기 고탄성상 기지상과 동일 조성을 갖는 골재로 이루어진 AlN (질화 알루미늄)계 내화물 및 그의 제조방법. AlN-BN, AlN/SiC-BN, AlON-BN계의 AlN계 내화물의 제조 방법에 있어서 기지상을 이루는 AlN, AlN/SiC, AlON 미립 입자와 BN이나 흑연 또는 그 혼합물의 입자를 균일하게 혼합하고 이를 골재 입자 사이에 고르게 분포시키는 방법을 사용하여 기지상내에 존재하는 저탄성상 BN이나 흑연 또는 그 혼합물의 입자의 균일한 분포를 위하여 기지상을 구성하는 미립 입자와 BN이나 흑연 또는 그 혼합물 입자를 동시 분산하여 열분무 건조법에 의해 제조한 과립 상태로 첨가함으로써 내화물 내에서 전체적인 균일도를 유지함은 물론 기지상 내에서 BN 입자의 고른 분포를 얻을 수 있다.

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