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公开(公告)号：KR1019990074239A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007697
申请日：1998-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C08F222/40
Abstract: 본 발명에는 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다.
-(M
a )
x -(M
b )
y -(M
c )
u -(M
d )
v -
식 중,
M
a 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서 이고,
M
b 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서 이며,
M
c 는 전자 결핍성 단량체로서 이고,
M
d 는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서 이며,
R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 H 또는 산소 원자수 1 내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH
2 OH, COOC
2 H
5 , COOC(CH
3 )
3 , 메틸 에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라닐 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며,
R
3 은 O, NH 또는 N-CH
2 CH
3 이고,
R
4 는 H 또는 CH
3 이고,
R
5 는 CH
3 , CH
2 CH
3 , CH
2 CH
2 CH
2 CH
3 또는 C(CH
3 )
3 이며,
x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로,
x는 0 내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고,
y는 0.25 내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며,
u는 x+y이고,
v는 0.1 내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다.
이러한 지환족 유도체는 ArF 엑시머 레이저 영역에서의 투명성, 고해상도 및 고감도를 갖고, 기존의 노볼락 수지와 대등한 건식 엣칭 내성을 가지며, 기존의 알칼리 현상액을 적용할 수 있고, 특히 웨이퍼에 대한 접착성 및 현상성이 개선된다. 그러므로, 이러한 지환족 유도체를 사용하여 ArF 엑시머 레이저 가공용 고해상도 레지스트 재료를 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100249453B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019980007697
申请日：1998-03-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C08F222/40
Abstract: 본 발명에는 하기 화학식 1로 표시되는 지환족 유도체 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다.
-(M
a )
x -(M
b )
y -(M
c )
u -(M
d )
v -
식 중,
M
a 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 노르보르넨 단량체로서 이고,
M
b 는 카르복시 또는 히드록시기를 함유한 디노르보르넨 단량체로서 이며,
M
c 는 전자 결핍성 단량체로서 이고,
M
d 는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체로서 이며,
R
1 및 R
2 는 서로 독립적으로 H 또는 산소 원자수 1 내지 4개를 갖는 이탈기, 예를 들면 H, COOH, CH
2 OH, COOC
2 H
5 , COOC(CH
3 )
3 , 메틸 에스테르, 테트라히드로피라닐 에스테르, 테트라히드로푸라닐 에스테르, 1-에톡시에틸 에스테르 또는 t-부틸 카르보네이트이며,
R
3 은 O, NH 또는 N-CH
2 CH
3 이고,
R
4 는 H 또는 CH
3 이고,
R
5 는 CH
3 , CH
2 CH
3 , CH
2 CH
2 CH
2 CH
3 또는 C(CH
3 )
3 이며,
x+y+u+v의 총 몰수를 기준으로,
x는 0 내지 0.2, 바람직하게는 0.01 내지 0.1의 몰비를 갖는 값이고,
y는 0.25 내지 0.5의 몰비를 갖는 값이며,
u는 x+y이고,
v는 0.1 내지 0.33의 몰비를 갖는 값이다.
이러한 지환족 유도체는 ArF 엑시머 레이저 영역에서의 투명성, 고해상도 및 고감도를 갖고, 기존의 노볼락 수지와 대등한 건식 엣칭 내성을 가지며, 기존의 알칼리 현상액을 적용할 수 있고, 특히 웨이퍼에 대한 접착성 및 현상성이 개선된다. 그러므로, 이러한 지환족 유도체를 사용하여 ArF 엑시머 레이저 가공용 고해상도 레지스트 재료를 제조할 수 있다.
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