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公开(公告)号：KR100882922B1
公开(公告)日：2009-02-10
申请号：KR1020070111219
申请日：2007-11-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B3/12 , C03C8/04 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/20 , C04B35/22 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3222 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77
Abstract: A low fired dielectric ceramic composition is provided to ensure low dielectric constant, low dielectric loss, high quality value and high strength and to realize the composite module of electronic component with strong impact resistance. A low fired dielectric ceramic composition a dielectric ceramic composition containing glass frit 35~60 weight% and filler 40~65 weight%, and a nucleating agent 0.3~3 weight% based on the glass frit or a nucleating agent 0.5~15 weight% based on the dielectric ceramic composition. The glass frit comprises SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO, oxides of alkali earth metal and oxides of alkali metal and has the crystalline selected from the group consisting of wollastonite (CaSiO3), fan kinite (Ca3Si2O7), dicalcium silicate (Ca2SiO4), Ca3SiO5, diopside (CaMgSi2O6), anorthite (CaAl2Si2O8), cordierite (5SiO2-2Al2O3-2MgO), MgSiO3, MgB2O4, SrSiO3, SrAl2Si2O8, SrB2O4, and their mixture.
Abstract translation: 提供低烧介电陶瓷组合物，以确保低介电常数，低介电损耗，高质量值和高强度，并实现具有很强抗冲击性的电子元件的复合模块。 低烧介电陶瓷组合物，含有玻璃料35〜60重量％，填料40〜65重量％的电介质陶瓷组合物，以及基于玻璃料的成核剂0.3〜3重量％或基于0.5〜15重量％的成核剂 介电陶瓷组合物。 玻璃料包括SiO 2，B 2 O 3，Al 2 O 3，ZnO，碱土金属的氧化物和碱金属的氧化物，并且具有选自硅灰石（CaSiO 3），风扇动力学（Ca 3 Si 2 O 7），硅酸二钙（Ca 2 SiO 4），Ca 3 SiO 5 ，透辉石（CaMgSi2O6），钙长石（CaAl2Si2O8），堇青石（5SiO2-2Al2O3-2MgO），MgSiO3，MgB2O4，SrSiO3，SrAl2Si2O8，SrB2O4及其混合物。
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公开(公告)号：KR101135577B1
公开(公告)日：2012-04-17
申请号：KR1020100003537
申请日：2010-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 저온소성용 마이크로파 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는 보로실리케이트 유리프리트를 주성분으로 하고, 여기에 공진주파수의 온도계수(Temperature Coefficient of Resonant Frequency: τ
f )가 양(+) 또는 음(-)의 범위인 서로 다른 복합금속산화물 분말을 2종 이상 혼합함으로써 900℃ 이하의 낮은 온도 범위에서 소성이 가능하고 마이크로파 대역에서의 유전율(k) 20 이상의 유전특성을 가지는 저온소성용 마이크로파 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020110082850A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100002759
申请日：2010-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C03C8/14 , C03C3/078 , C03C3/087 , C03C3/089 , C03C4/16 , C03C8/04 , C03C8/24 , H01B3/10 , H01B3/12
Abstract: PURPOSE: Crystalline borosilicate-based glass frit, a low temperature co-firing dielectric ceramic composition including the same are provided to easily crystallize glass at low temperature lower than 900 degrees Celsius by maintaining the high content of alkaline earth oxide. CONSTITUTION: Crystalline borosilicate-based glass frit includes 40-58 mol% of SiO_2, 13-25 mol% of B_2O_3, 0-3 mol% of Al_2O_3, 10-25 mol% of CaO, 5-20 mol% of MgO, 1-10 mol% of either of SrO or BaO, 0-3 mol% of ZnO, and 0-2 mol% of either of Li_2O or Na_2O. One or more nucleating agents selected from TiO_2, ZrO_2, Cu_2O, Fe_2O_3, P_2O_5, V_2O_5, Pt, Au, La_2O_3, and CeO_2 are further included. A low temperature co-firing dielectric ceramic composition includes the crystalline borosilicate-based glass frit and filler.
Abstract translation: 目的：通过保持高含量的碱土金属氧化物，可提供含硼硅酸盐玻璃料的低温共烧电介质陶瓷组合物，以容易地使低于900摄氏度的低温下的玻璃结晶。 结构：硼硅酸玻璃基玻璃料包括40-58mol％的SiO_2，13-25mol％的B_2O_3，0-3mol％的Al_2O_3，10-25mol％的CaO，5-20mol％的MgO，1 -10摩尔％的SrO或BaO，0-3摩尔％的ZnO和0-2摩尔％的Li 2 O或Na 2 O。 还包括一种或多种选自TiO_2，ZrO_2，Cu_2O，Fe_2O_3，P_2O_5，V_2O_5，Pt，Au，La_2O_3和CeO_2的成核剂。 低温共烧电介质陶瓷组合物包括结晶硼硅酸盐基玻璃料和填料。
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公开(公告)号：KR1020100064488A
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：KR1020080122940
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/14 , C04B35/19 , C04B35/18 , C04B35/195
Abstract: PURPOSE: A low-permittivity dielectric composition for low-temperature sintering, and a low permittivity ceramic dielectric body using thereof are provided to maintain the low permittivity by partially crystallizing glass using a nucleator. CONSTITUTION: A low-permittivity dielectric composition for low-temperature sintering contains the following; 44~65wt% of borosilicate glass frit including SiO_2, B_2O_3, Al_2O_3, alkaline earth oxide, and alkali metal oxide; 34~55wt% of filling material selected from the group consisting of Al_2O_3, SiO_2, MgAl_2O_4, MgSiO_3, and others; and 0.1~5wt% of nucleator selected from ZrO_2, TiO_2, La_2O_3, and WO_3. A low permittivity ceramic dielectric body including the low-permittivity dielectric composition is produced by low temperature sintering the low-permittivity dielectric composition.
Abstract translation: 目的：提供一种用于低温烧结的低介电常数介电组合物和使用其的低介电常数陶瓷介电体，以通过使用成核剂部分结晶玻璃来保持低介电常数。 构成：用于低温烧结的低介电常数介电组合物包含以下物质： 44〜65wt％的硼硅酸盐玻璃料，包括SiO_2，B_2O_3，Al_2O_3，碱土金属氧化物和碱金属氧化物; 34〜55wt％的选自Al_2O_3，SiO_2，MgAl_2O_4，MgSiO_3等的填充材料; 和0.1〜5wt％的选自ZrO_2，TiO_2，La_2O_3和WO_3的成核剂。 包括低介电常数介电组合物的低介电常数陶瓷介电体通过低介电常数电介质组合物的低温烧结来制备。
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公开(公告)号：KR101179510B1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：KR1020100002759
申请日：2010-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 결정성 보로실리케이트계 유리프리트 및 이를 포함하는 저온 동시소성용 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 보로실리케이트계 유리프리트 기본조성에서 알칼리토류 산화물의 함량을 높게 유지하고 필요에 따라 TiO
2 등의 핵 형성제를 추가로 포함하고 있어 소성온도 800℃ 온도에서 유리 결정상이 생성되기 시작하여, 소성온도 900℃에서는 유리 결정상이 70 부피% 이상 존재하게 되는 신규 조성의 결정성 보로실리케이트계 유리프리트와, 그리고 상기한 유리프리트에 통상의 충전재를 포함시켜 750～900℃의 저온에서 소성되어 200 MPa 이상의 우수한 강도 값과 1 MHz에서의 저유전 손실율 0.1% 이하의 유전특성을 가지는 저온 동시소성(LTCC)용 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110084002A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020100004017
申请日：2010-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/01 , H01B3/12 , C04B35/14 , C04B35/453
Abstract: PURPOSE: A dielectric ceramic composition for electric components is provided to include borosilicate-based glass frit and specific metal oxide and be sintered at low temperature lower than or equal to 950 degrees Celsius. CONSTITUTION: A dielectric ceramic composition for electric components includes 5-35 weight% of borosilicate-based glass frit and 65-95 weight% of composite metal oxide powder. The composite metal oxide powder is represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the A is Nb, V, P, or the mixture of the same. The B is Ti, Zr, Sn, or the mixture of the same. The x, the y, and the z are the molar ratio of each oxide. The x and the y are between 20.5 and 35.5 mole%, and the z is between 29 and 59 mole%. The composition is sintered at temperature between 800 and 950 degrees Celsius. The dielectric constant of the composition in a microwave band is between 15 and 40. The quality coefficient of the composition is between 1000 and 25000GHz, and the resonance frequency temperature coefficient of the composition is between -100 and +150 ppm/degrees Celsius.
Abstract translation: 目的：提供一种用于电气部件的介电陶瓷组合物，其包括硼硅酸盐玻璃料和特定金属氧化物，并且在低于或等于950摄氏度的低温下烧结。 构成：用于电气部件的介电陶瓷组合物包括5-35重量％的硼硅酸盐玻璃料和65-95重量％复合金属氧化物粉末。 复合金属氧化物粉末由化学式1表示。在化学式1中，A是Nb，V，P或其混合物。 B是Ti，Zr，Sn或其混合物。 x，y和z是每种氧化物的摩尔比。 x和y在20.5和35.5摩尔％之间，z在29和59摩尔％之间。 该组合物在800至950摄氏度之间的温度下烧结。 微波带中组成的介电常数介于15-40之间。组合物的质量系数在1000至25000GHz之间，组合物的共振频率温度系数在-100至+ 150ppm /摄氏度之间。
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公开(公告)号：KR1020110083351A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100003537
申请日：2010-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A micro-wave dielectric ceramic composition is provided to form stacked type communication dielectric elements and modules used in a micro-wave band by mixing two or more composite metal oxide powder with borosilicate glass frit. CONSTITUTION: A micro-wave dielectric ceramic composition includes 10-30 weight% of borosilicate-based glass frit, 50-85 weight% of first composite metal oxide powder, 5-40 weight% of second composite metal oxide powder. The first composite metal oxide powder is represented by A_3B_4M_4O_21, and the second metal oxide powder is one or more selected from ZnNb_2O_6, MgTiO_3, and Li_0.5Nd_0.5TiO_3. In the A_3B_4M_4O_21, the A is Ba, Sr, or the mixture of the Ba and the Sr. The B is Ti, Zr, or the mixture of the Ti and the Zr. The M is Nb, Ta, V, or the mixture of the same. The micro-wave dielectric ceramic composition is sintered at low temperature between 850 and 900 degrees Celsius. The dielectric constant, the quality coefficient, and the resonance frequency temperature coefficient of the micro-wave dielectric ceramic composition are respectively 20 or more, 2,000 GHz or more, and between -30 and +30 ppm/degrees Celsius.
Abstract translation: 目的：提供微波介电陶瓷组合物，通过将两种或更多种复合金属氧化物粉末与硼硅酸盐玻璃料混合，形成用于微波带的叠层型连通介质元件和模块。 构成：微波介电陶瓷组合物包括10-30重量％的硼硅酸盐玻璃料，50-85重量％的第一复合金属氧化物粉末，5-40重量％的第二复合金属氧化物粉末。 第一复合金属氧化物粉末由A_3B_4M_4O_21表示，第二金属氧化物粉末是选自ZnNb_2O_6，MgTiO_3和Li_0.5Nd_0.5TiO_3中的一种或多种。 在A_3B_4M_4O_21中，A是Ba，Sr或Ba和Sr的混合物.B是Ti，Zr或Ti和Zr的混合物。 M是Nb，Ta，V或它们的混合物。 微波介电陶瓷组合物在低温850〜900摄氏度之间烧结。 微波介电陶瓷组合物的介电常数，质量系数和谐振频率温度系数分别为20以上，2000GHz以上，-30〜+ 30ppm /℃。
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公开(公告)号：KR101038772B1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：KR1020080122940
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/14 , C04B35/19 , C04B35/18 , C04B35/195
Abstract: 본 발명은 저온소성용 저유전율 세라믹 유전체 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명을 하면, SiO
2 , B
2 O
3 , Al
2 O
3 , 알칼리토류 산화물 및 알칼리 금속산화물을 함유하는 보로실리케이트 유리프리트 44 ~ 65 중량%; 충전재 34 ~ 55 중량%; 및 ZrO
2 , TiO
2 , La
2 O
3 및 WO
3 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 핵 형성제 0.1 ~ 5 중량%;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 본 발명의 상기 저유전율 세라믹 유전체 조성물은 800 ~ 950℃에서 저온소성이 가능하고, 상기 조성물을 이용하여 제조된 저유전율 세라믹 유전체는 4.5 ~ 6.0(1 MHz)의 낮은 유전율 및 낮은 유전손실율을 갖는 바, 신호전송속도를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 유리프리트를 부분적으로 결정화시켰기 때문에 200 MPa 이상의 기계적 강도를 갖기 때문에 내충격성이 강한 고집적 전자부품, 안테나 부품, 기판, 특히 저온 동시소성세라믹(LTCC, Low Temperature Co-fired Ceramic) 기판의 제조에 적합하다.
저온소성, 유전율, 세라믹 유전체, 유리프리트, 핵 형성제-
公开(公告)号：KR101084710B1
公开(公告)日：2011-11-22
申请号：KR1020100004017
申请日：2010-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/01 , H01B3/12 , C04B35/14 , C04B35/453
Abstract: 본 발명은 전자부품용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 보로실리케이트계 유리프리트와 xZnO-yA
2 O
5 -zBO
2 (이때, A는 Nb, V, P 또는 이들의 혼합원소이고, B는 Ti, Zr, Sn 또는 이들의 혼합원소이다)로 표시되는 복합금속산화물 분말을 포함하는 조성물로, 950℃ 이하의 온도에서 소결되며, 마이크로파 대역에서의 유전율(k) 15 이상, 품질계수(Qxf) 1,000 GHz 이상, 공진주파수 온도계수(τ
f ) -100∼+150 ppm/℃의 유전특성을 갖는 전자부품용 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR100993010B1
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020080060633
申请日：2008-06-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 저온소성용 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 보로실리케이트 유리프리트에 저유전율 유전체 세라믹 충전재를 혼합하여 950℃ 이하의 온도에서 최적화한 조성물에, CaTiO
3 , SrTiO
3 , 및 BaTiO
3 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 세라믹 분말을 소량 첨가하여 유전율, 유전손실, 공진주파수의 온도계수 등의 유전특성을 가변적으로 제어할 수 있음으로써 원하는 유전특성으로 제어할 수 있고, 주파수 대역에 따라 기판, 안테나, 공진기 필터 등으로 널리 이용될 수 있는 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.
저온소성, 유리프리트, 유전체 세라믹 조성물, 유전특성
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