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公开(公告)号：KR101232370B1
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020110035370
申请日：2011-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명의 한 실시예에 따른 오염원의 흐름을 따라 수중에 떠 다니는 부유 센서는 미리 설정된 주기로 수질을 측정하는 적어도 하나의 센서를 포함하는 센서부, 상기 부유 센서의 위치를 추적하는 위치 추적부, 상기 센서부의 측정 주기를 설정하는 제어부, 그리고 상기 센서부에 의하여 측정된 수질과 상기 위치 추적부에 의하여 추적된 위치를 무선통신을 통하여 수중 환경 감시 서버로 전송하는 통신부를 포함한다.
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2.发明公开금 나노막대의 표면 실리카 코팅 방법 및 이를 이용한 나노하이브리드 제조방법 그리고 그에 따라 제조된 나노하이브리드 有权制备二氧化硅涂层的Au纳米棒的方法和二氧化硅涂覆的Au纳米棒和二氧化硅纳米管的纳米氧化
公开(公告)号：KR1020120120728A
公开(公告)日：2012-11-02
申请号：KR1020110038472
申请日：2011-04-25
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B22F1/02 , B22F1/0018 , B22F2301/255 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A surface silica coating method of gold nano-rods capable of selectively controlling the coating thickness of silica layers a nano-hybrid manufactured by the method are provided to stably coat the gold nano-rod surface with silicate without a surface mediator. CONSTITUTION: A surface silica coating method of gold nano-rods comprises the following steps: preparing gold nano-rods; and mixing and agitating the gold nano-rods with a mixture of a polymer having amine group and a polymer having mercapto group in order to coat the gold nano-rod surface with silicate layer. The polymer having amine group is APDES(3-aminopropyldimethyl-ethoxysilane) and the polymer having mercapto group is MPTMS(3-mercaptopropyl-trimethoxysilane). A nano-hybrid manufacturing method comprises the following steps: preparing the gold nano-rods and silica nano-balls; forming amine group on the surfaces of each silica nano-ball and gold nano-rod; and combining the silica nano-ball on the surface of the gold nano-rod by reacting the gold nano-rod and the silica nano-ball with NHS-PES-NHS.
Abstract translation: 目的：提供能够选择性地控制通过该方法制造的纳米混合物的二氧化硅层的涂层厚度的金纳米棒的表面二氧化硅涂覆方法，以用不含表面介质的硅酸盐稳定地涂覆金纳米棒表面。 构成：金纳米棒的表面二氧化硅涂层方法包括以下步骤：制备金纳米棒; 并用具有胺基的聚合物和具有巯基的聚合物的混合物将金纳米棒混合并搅拌，以便用硅酸盐层涂覆金纳米棒表面。 具有胺基的聚合物为APDES（3-氨基丙基二甲基 - 乙氧基硅烷），具有巯基的聚合物为MPTMS（3-巯基丙基 - 三甲氧基硅烷）。 纳米混合制造方法包括以下步骤：制备金纳米棒和二氧化硅纳米球; 在每个二氧化硅纳米球和金纳米棒的表面上形成胺基; 并通过使金纳米棒和二氧化硅纳米球与NHS-PES-NHS反应，将二氧化硅纳米球与金纳米棒的表面结合。
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公开(公告)号：KR1020120117556A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110035370
申请日：2011-04-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: A stray sensor and an underwater environment monitoring method using the same are provided to automatically measure water quality and to collect and obtain the water quality data in real time. CONSTITUTION: A stray sensors floated along the flow of pollutant comprises a sensing unit including one or more sensors which measure water quality in predetermined cycle, a location tracker(220) which traces locations of the stray sensor, a controller(250) which establishes the measurement period of the sensor unit(210), and a communication unit which transmits water quality measured by the sensor unit and the location data traced by the location tracker to an underwater environment monitoring server. The stray sensor additionally includes batteries providing electric power to the stray sensor. The stray sensor additionally includes a propulsion part which performs propulsion or direction changing of the stray sensor. [Reference numerals] (210) Sensor unit; (220) Location tracker; (230) Communications unit; (240) Battery; (250) Controller
Abstract translation: 目的：提供使用该系统的杂散传感器和水下环境监测方法，自动测量水质，并实时收集和获取水质数据。 构成：沿着污染物流漂浮的杂散传感器包括感测单元，其包括测量预定周期中的水质的一个或多个传感器，跟踪杂散传感器位置的位置跟踪器（220），建立 传感器单元（210）的测量周期，以及将由传感器单元测量的水质和由位置跟踪器跟踪的位置数据传送到水下环境监测服务器的通信单元。 杂散传感器还包括向杂散传感器提供电力的电池。 杂散传感器还包括执行杂散传感器的推进或方向改变的推进部件。 （附图标记）（210）传感器单元; （220）位置跟踪器; （230）通信单元; （240）电池; （250）控制器
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公开(公告)号：KR1020120083829A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020110080260
申请日：2011-08-11
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/502 , H01L2933/0091
Abstract: PURPOSE: An etching-type resonance energy transfer light emitting diode is provided to increase color reproducibility by using a semiconductor quantum dot as a color converter. CONSTITUTION: An n-GaN layer, active layer, p-GaN layer, and transparent electrode layer(14) are successively grown on a substrate(10). An n-pad is connected to the n-GaN layer. A p-pad is connected to the transparent electrode layer. Micro and nano hole patterns are formed on the transparent electrode layer. The micro and nano hole are formed by etching layers from the p-GaN layer to n-GaN layer.
Abstract translation: 目的：提供一种蚀刻型共振能量转移发光二极管，以通过使用半导体量子点作为颜色转换器来提高颜色再现性。 构成：在衬底（10）上依次生长n-GaN层，有源层，p-GaN层和透明电极层（14）。 n焊盘连接到n-GaN层。 p焊盘连接到透明电极层。 在透明电极层上形成微孔和纳米孔图案。 微孔和纳米孔通过从p-GaN层蚀刻到n-GaN层而形成。
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5.发明授权기판 고정형 이산화티타늄 나노선 및 그 제조방법 그리고 기판 고정형 이산화티타늄 나노선을 이용한 수처리방법 有权基底上的固定二氧化钛纳米颗粒及其制备方法和使用固定的二氧化钛纳米颗粒在基底上的水处理方法
公开(公告)号：KR101094670B1
公开(公告)日：2011-12-20
申请号：KR1020110083426
申请日：2011-08-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01G23/053 , B01J21/06 , B82B3/00 , C02F1/72
Abstract: PURPOSE: Substrate fixing titanium dioxide nano-wires, a method for manufacturing the same, and a water treating method using the same are provided to maximize the activity of a photo-catalyst by optimizing the crystal phase ratio of titanium dioxide. CONSTITUTION: A method for manufacturing a substrate fixing titanium dioxide nano-wires includes the following: Titanium dioxide nano-wires are fixed to a substrate. A mixed solution containing a titanium dioxide precursor and the substrate are prepared(S201). The mixed solution is electro-spun to the substrate in order to deposit the titanium dioxide nano-wires(S202). The titanium dioxide nano-wires are fixed on the substrate through a thermal compressing operation(S203). The anatase crystal phase and rutile crystal phase ratios of the titanium dioxide nano-wires are adjusted(S204).
Abstract translation: 目的：提供底物固定二氧化钛纳米线，其制造方法和使用其的水处理方法，以通过优化二氧化钛的结晶相比来使光催化剂的活性最大化。 构成：固定二氧化钛纳米线的基板的制造方法包括：将二氧化钛纳米线固定在基板上。 制备含有二氧化钛前体和底物的混合溶液（S201）。 将混合溶液电纺到基底上以沉积二氧化钛纳米线（S202）。 通过热压缩操作将二氧化钛纳米线固定在基板上（S203）。 调整二氧化钛纳米线的锐钛矿晶相和金红石晶相比（S204）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100882922B1
公开(公告)日：2009-02-10
申请号：KR1020070111219
申请日：2007-11-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01B3/12 , C03C8/04 , C04B35/117 , C04B35/16 , C04B35/20 , C04B35/22 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3222 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3445 , C04B2235/3454 , C04B2235/3481 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77
Abstract: A low fired dielectric ceramic composition is provided to ensure low dielectric constant, low dielectric loss, high quality value and high strength and to realize the composite module of electronic component with strong impact resistance. A low fired dielectric ceramic composition a dielectric ceramic composition containing glass frit 35~60 weight% and filler 40~65 weight%, and a nucleating agent 0.3~3 weight% based on the glass frit or a nucleating agent 0.5~15 weight% based on the dielectric ceramic composition. The glass frit comprises SiO2, B2O3, Al2O3, ZnO, oxides of alkali earth metal and oxides of alkali metal and has the crystalline selected from the group consisting of wollastonite (CaSiO3), fan kinite (Ca3Si2O7), dicalcium silicate (Ca2SiO4), Ca3SiO5, diopside (CaMgSi2O6), anorthite (CaAl2Si2O8), cordierite (5SiO2-2Al2O3-2MgO), MgSiO3, MgB2O4, SrSiO3, SrAl2Si2O8, SrB2O4, and their mixture.
Abstract translation: 提供低烧介电陶瓷组合物，以确保低介电常数，低介电损耗，高质量值和高强度，并实现具有很强抗冲击性的电子元件的复合模块。 低烧介电陶瓷组合物，含有玻璃料35〜60重量％，填料40〜65重量％的电介质陶瓷组合物，以及基于玻璃料的成核剂0.3〜3重量％或基于0.5〜15重量％的成核剂 介电陶瓷组合物。 玻璃料包括SiO 2，B 2 O 3，Al 2 O 3，ZnO，碱土金属的氧化物和碱金属的氧化物，并且具有选自硅灰石（CaSiO 3），风扇动力学（Ca 3 Si 2 O 7），硅酸二钙（Ca 2 SiO 4），Ca 3 SiO 5 ，透辉石（CaMgSi2O6），钙长石（CaAl2Si2O8），堇青石（5SiO2-2Al2O3-2MgO），MgSiO3，MgB2O4，SrSiO3，SrAl2Si2O8，SrB2O4及其混合物。
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公开(公告)号：KR101676332B1
公开(公告)日：2016-11-18
申请号：KR1020150031281
申请日：2015-03-05
Abstract: 본발명은일방향으로정렬된나노섬유를간편하게제조할수 있는전기방사장치를제공하는것을그 목적으로한다. 상기의목적을달성하기위하여본 발명은, 전기방사장치에있어서, 폴리머솔루션을가압하는펌프; 상기펌프에의하여가압된폴리머솔루션을분사하는노즐; 상기노즐에서분사된폴리머솔루션이나노섬유로집적되는콜렉터; 상기노즐과상기콜렉터에전원을인가하는전원공급장치; 및상기콜렉터에서상기나노섬유가집적되는면에형성되는함몰부;를포함하는것을특징으로한다.
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8.发明授权금 나노막대의 표면 실리카 코팅 방법 및 이를 이용한 나노하이브리드 제조방법 그리고 그에 따라 제조된 나노하이브리드 有权金纳米棒的表面二氧化硅涂布方法，使用其的纳米纤维的制造方法以及纳米混合物
公开(公告)号：KR101335465B1
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020130041421
申请日：2013-04-16
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 표면매개물질의 요구 없이 금 나노막대 표면에 실리카를 안정적으로 코팅할 수 있는 금 나노막대의 표면 실리카 코팅 방법 및 이를 이용한 나노하이브리드 제조방법 그리고 그에 따라 제조된 나노하이브리드에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노하이브리드 제조방법은 및 을 준비하는 단계와, , 각각의 표면에 아민기를 형성하는 단계 및 아민기가 형성된 와 을 NHS-PES-NHS와 반응시켜, 실리카가 코팅된 금 나노막대의 표면에 실리카 나노볼을 결합시켜 나노하이브리드를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 用于制造金纳米棒，其可以被稳定地涂覆有二氧化硅与金纳米棒表面而不表面介质的涂覆方法并使用相同的要求的纳米杂化表面的二氧化硅本发明的方法，并涉及由此制备的纳米杂化，本发明 ＆lt;二氧化硅涂覆的金纳米棒＆gt; ＆lt;二氧化硅纳米球＆gt;和＆lt;二氧化硅包覆金纳米棒＆gt;，＆lt;二氧化硅纳米球＆gt; 以形成胺组上分别形成与LT的表面和胺基团的;二氧化硅涂布的金纳米棒＆GT;和＆lt;二氧化硅纳米球＆gt;其用NHS-PES-NHS，金纳米棒与反应的二氧化硅涂覆的 并将二氧化硅纳米球粘合到表面以形成纳米混合物。
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9.发明公开대면적 나노임프린트 방법으로 패턴된 (111) 실리콘 기판위에 Ｖｏｌｍｅｒ―Ｗｅｂｅｒ 방법으로 성장한 ＩｎＧａＡｓ 나노선 无效通过大面积纳米法制作的图形硅（111）衬底上的压电陶瓷生长模式的INGAAS纳米阵列
公开(公告)号：KR1020130017685A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020110080262
申请日：2011-08-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: An InGaAs(indium gallium arsenide) nanowire is provided to have excellent optical/electrical property without misfit dislocation by growing with volmer-weber method on silicon board patterned by a large area nano imprint method. CONSTITUTION: A manufacturing method of an InGaAs nanowire comprises the following steps. SiO2 is deposited on silicon substrate(111). On SiO2 layer, the nano hole pattern is formed. InxGa1-xAs nano array is perpendicularly grown along the form of nano hole pattern. The SiO2 layer is 10-300nm thickened by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD). The nano hole pattern is formed by the nano imprint lithography method. The nano hole comprises the diameter of 50-500nm and the distance between the holes is 400-1000nm. The InxGa1-xAs nano wire is grown by the metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) on the patterned silicon substrate. [Reference numerals] (111) Silicon substrate
Abstract translation: 目的：通过在大面积纳米压印方法图案化的硅板上采用伏安法进行生长，提供InGaAs（砷化铟镓）纳米线，具有优异的光学/电学性能，无误差位错。 构成：InGaAs纳米线的制造方法包括以下步骤。 SiO 2沉积在硅衬底（111）上。 在SiO2层上形成纳米孔图案。 In x Ga 1-x As纳米阵列沿着纳米孔图案的形式垂直生长。 通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD），SiO 2层增厚10-300nm。 纳米孔图案通过纳米压印光刻法形成。 纳米孔的直径为50-500nm，孔间距为400-1000nm。 InxGa1-xAs纳米线通过金属 - 有机化学气相沉积（MOCVD）在图案化的硅衬底上生长。 （111）硅基板
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公开(公告)号：KR100993010B1
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020080060633
申请日：2008-06-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 저온소성용 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 보로실리케이트 유리프리트에 저유전율 유전체 세라믹 충전재를 혼합하여 950℃ 이하의 온도에서 최적화한 조성물에, CaTiO
3 , SrTiO
3 , 및 BaTiO
3 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 세라믹 분말을 소량 첨가하여 유전율, 유전손실, 공진주파수의 온도계수 등의 유전특성을 가변적으로 제어할 수 있음으로써 원하는 유전특성으로 제어할 수 있고, 주파수 대역에 따라 기판, 안테나, 공진기 필터 등으로 널리 이용될 수 있는 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.
저온소성, 유리프리트, 유전체 세라믹 조성물, 유전특성
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