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公开(公告)号：KR1020110078236A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090134988
申请日：2009-12-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: Self-supporting type metal sulfide-based two-dimensional nano-structured anode active materials and a method for manufacturing the same are provided to directly grow the anode active materials on a wide metal board using a pulse laser deposition process. CONSTITUTION: A method for manufacturing self-supporting type metal sulfide-based two-dimensional nano-structured anode active materials includes the following: Aggregate is prepared based on metal sulfide-based materials. The aggregate is inserted into a tube in a pulse laser depositing electric furnace. A metal board is separately arranged in the tube. The pressure in the tube is lowered to the 0.01-0.03 Torr of the vacuum state. The temperature of the electric furnace is raised to temperature between 590 and 610 degrees Celsius. Pulse laser is introduced into the tube to delaminate the aggregate.
Abstract translation: 目的：提供自支撑型金属硫化物基二维纳米结构阳极活性材料及其制造方法，以使用脉冲激光沉积工艺在宽金属板上直接生长阳极活性材料。 构成：用于制造自支撑型金属硫化物基二维纳米结构阳极活性材料的方法包括：基于金属硫化物基材料制备骨料。 将聚集体插入脉冲激光沉积电炉的管中。 金属板分开布置在管中。 管中的压力降低到真空状态的0.01-0.03乇。 电炉的温度升高到590〜610摄氏度之间。 将脉冲激光引入管中以使骨料分层。
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公开(公告)号：KR1020080044604A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：KR1020060113643
申请日：2006-11-17
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C01B32/956 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16 , C01P2004/64
Abstract: A manufacturing method of SiC nanowire is provided to obtain SiC nanowire having excellent field emission property which is useful for the preparation of semiconductor nanostructure field emission device in an economical process and selective patterning as a cathode material by employing SiC compound. A manufacturing method of SiC nanowire comprises steps of: forming a catalyst layer which is deposited with a catalyst selected from gold, nickel, cobalt or alloy thereof, on a substrate; feeding 1-20sccm of dichloromethylvinylsilane and 100-1000sccm of carrier gas in a reducing atmosphere which is maintained at 900-1200deg.C and maintaining the state for 10-120 minutes. The nanowire has a diameter of 200-200nm and a length of 10-100mum. The substrate is silicone or sapphire. The carrier gas is inert gas or reducing gas, comprising at least one selected from hydrogen gas, Ar gas, N2 gas and CH4 gas.
Abstract translation: 提供SiC纳米线的制造方法，以获得具有优异的场致发射特性的SiC纳米线，其可用于在经济的工艺中制备半导体纳米结构场致发射器件，并通过使用SiC化合物作为阴极材料的选择性图案化。 SiC纳米线的制造方法包括以下步骤：在基板上形成沉积有选自金，镍，钴或其合金的催化剂的催化剂层; 在保持在900-1200℃的还原气氛中进料1-20sccm的二氯甲基乙烯基硅烷和100-1000sccm的载气，并保持10-120分钟。 纳米线的直径为200-200nm，长度为10-100μm。 基材是硅胶或蓝宝石。 载气是惰性气体或还原气体，包括选自氢气，Ar气体，N 2气体和CH 4气体中的至少一种。
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公开(公告)号：KR101627370B1
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020140152838
申请日：2014-11-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은화학적기상증착법에의한 3차원나노구조체의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는나노로드 (nanorod)의가지치기 (branching)를유도하여구형결정을성장시키는결정분열성장기구 (crystal splitting growth mechanism)와화학적기상증착기술을접목시킨새로운증착방법을통해 3차원나노구조체를용이하게제조하는방법에관한것이다. 본발명의 3차원나노구조체는나노로드네트워크구형결정 (nanorod-network spherulites; NSs) 또는나노선과나노로드네트워크구형결정의혼합체 (nanorod-network spherulite on nanowires; NS-on-NWs)이며, 리튬이온이차전지분야에서음극활물질로유용하다.
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公开(公告)号：KR1020160053585A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140152838
申请日：2014-11-05
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은화학적기상증착법에의한 3차원나노구조체의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는나노로드 (nanorod)의가지치기 (branching)를유도하여구형결정을성장시키는결정분열성장기구 (crystal splitting growth mechanism)와화학적기상증착기술을접목시킨새로운증착방법을통해 3차원나노구조체를용이하게제조하는방법에관한것이다. 본발명의 3차원나노구조체는나노로드네트워크구형결정 (nanorod-network spherulites; NSs) 또는나노선과나노로드네트워크구형결정의혼합체 (nanorod-network spherulite on nanowires; NS-on-NWs)이며, 리튬이온이차전지분야에서음극활물질로유용하다.
Abstract translation: 本发明涉及通过化学气相沉积制造三维纳米结构的方法，更具体地说，涉及通过新颖的沉积方案容易地制备三维纳米结构的方法，其中化学气相沉积与晶体分裂相结合 通过诱导纳米棒的分支来生长球晶的生长机制。 根据本发明的三维纳米结构是纳米线上的纳米棒网状球晶（NSs）或纳米棒网状球晶（NS-on-NW），并且可用作锂离子二次电池领域的负极性活性材料 。
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公开(公告)号：KR100993010B1
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020080060633
申请日：2008-06-26
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 저온소성용 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 보로실리케이트 유리프리트에 저유전율 유전체 세라믹 충전재를 혼합하여 950℃ 이하의 온도에서 최적화한 조성물에, CaTiO
3 , SrTiO
3 , 및 BaTiO
3 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 세라믹 분말을 소량 첨가하여 유전율, 유전손실, 공진주파수의 온도계수 등의 유전특성을 가변적으로 제어할 수 있음으로써 원하는 유전특성으로 제어할 수 있고, 주파수 대역에 따라 기판, 안테나, 공진기 필터 등으로 널리 이용될 수 있는 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다.
저온소성, 유리프리트, 유전체 세라믹 조성물, 유전특성-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100000945A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060633
申请日：2008-06-26
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C03C8/14 , C03C3/078 , C03C3/083 , C03C3/087 , C03C3/089 , C03C4/16 , C03C8/04 , C03C8/24 , H01B3/10 , H01B3/12
Abstract: PURPOSE: A low fired dielectric ceramic composition is provided to ensure 220 MPa or more strength value and low dielectric loss. CONSTITUTION: A brosilicate glass frit contains 60-70 mole% of SiO2, 15-30 mole% of B2O3, 1-5 mole% of Al2O3, 0.1-3 mole% of Li2O and 0.5-15 mole% of at least two or more selected from MgO, CaO, SrO, and ZnO. A low fired dielectric ceramic composition contains borodilicate glass frit; at least one or more filler selected from single and complex oxide comprising Al2O3, SiO2, cordierite, Mullite, MgAl2O4, ZnAl2O4, Mg2SiO4, and ZrSiO4; at least one or more ceramic selected from CaTiO3, SrTiO3, and BaTiO3.
Abstract translation: 目的：提供低烧电介质陶瓷组合物，以确保220 MPa或更高的强度值和低介电损耗。 构成：硼硅酸盐玻璃料含有60-70摩尔％的SiO 2，15-30摩尔％的B2O3，1-5摩尔％的Al2O3，0.1-3摩尔％的Li 2 O和0.5-15摩尔％的至少两个或更多个 选自MgO，CaO，SrO和ZnO。 低烧烧介电陶瓷组合物含有硼硅酸盐玻璃料; 选自包含Al 2 O 3，SiO 2，堇青石，莫来石，MgAl 2 O 4，ZnAl 2 O 4，Mg 2 SiO 4和ZrSiO 4的单一和复合氧化物的至少一种或多种填料; 选自CaTiO 3，SrTiO 3和BaTiO 3中的至少一种或多种陶瓷。
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公开(公告)号：KR100918293B1
公开(公告)日：2009-09-18
申请号：KR1020060113643
申请日：2006-11-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 탄화규소 나노선의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 규소(Si)와 탄소(C)를 동시에 제공하는 단일 전구체로서 특히 디클로로메틸비닐실란(dichloromethylvinylsilane, CH
2 CHSiC(CH
3 )Cl
2 )을 사용하고 이를 유입량이 조절된 운반가스와 함께 고온으로 유지되는 환원분위기의 반응기 내로 주입하여 기판 상에 증착시킴으로써, 지름이 매우 작고, 우수한 단결정성을 가지는 탄화규소 나노선을 재현성 있게 제조할 수 있으므로 우수한 전계 방출 특성을 나타내는 전계 방출 소자의 제조가 가능하게 한 탄화규소 나노선의 제조방법에 관한 것이다.
나노선, 탄화규소, 전계 방출 소자-
公开(公告)号：KR101109124B1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：KR1020090011628
申请日：2009-02-12
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: C12P3/00 , C01G49/08 , C01G51/02 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2002/88 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , H01M4/485 , H01M4/621 , H01M10/0525 , Y10T428/13
Abstract: 본 발명은 박테리아 및 전이금속 산화물로 이루어진 유ㆍ무기 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 높은 음전하를 나타내는 박테리아를 템플릿(template)으로 하여 박테리아 표면에 양이온의 전이금속 전구체를 부착시키고, 소듐 보로하이드라이드(sodium borohydride, NaBH
4 ) 및 상온 조건 하에서 박테리아와 전이금속 이온을 환류시켜 환원ㆍ자발 산화 반응을 유도함으로써 뛰어난 고용량의 전기화학적 특성을 갖는 박테리아 및 전이금속 산화물로 이루어진 유ㆍ무기 복합체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
따라서, 본 발명에 따른 유ㆍ무기복합체의 제조방법은 합성 과정의 단순화에 따른 비용 절감 및 시간 절약 효과뿐만 아니라 대량 생산이 용이하고, 저온 합성 및 균일한 나노구조체 크기, 1 차원의 형태 조절과 다른 금속 산화물에 적용이 가능하므로, 상기 유ㆍ무기복합체는 리튬 이차 전지 및 슈퍼 커패시터 등의 전기화학 분야 소자 및 나노전기 광 시스템, 촉매 분야 등에 적용이 가능하다.
박테리아, 전이금속 산화물, 유ㆍ무기 복합체, 소듐 보로하이드라이드, 고용량Abstract translation: 本发明涉及包含细菌和过渡金属氧化物的有机 - 无机复合物及其制造方法。 更具体地说，本发明涉及通过将阳离子过渡金属前体附着在细菌表面上而制造的细菌和过渡金属氧化物的有机 - 无机复合物，其中表面上具有高负电荷的细菌用作模板，回流细菌和 过渡金属离子在室温下在硼氢化钠（NaBH 4）存在下，诱导还原/自发氧化，从而具有优异的高容量电化学性能及其制造方法。 因此，本发明的有机 - 无机复合体的制造方法具有能够降低制造成本和所需时间，批量生产，低温合成，均匀纳米结构的合成，一维型的控制的优点 可以应用于其他的金属氧化物，因此预计可以用作包括锂二次电池，超级电容器，纳米电子光学系统，催化剂等在内的其他电化学领域的部件。
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公开(公告)号：KR101038772B1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：KR1020080122940
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C04B35/14 , C04B35/19 , C04B35/18 , C04B35/195
Abstract: 본 발명은 저온소성용 저유전율 세라믹 유전체 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 설명을 하면, SiO
2 , B
2 O
3 , Al
2 O
3 , 알칼리토류 산화물 및 알칼리 금속산화물을 함유하는 보로실리케이트 유리프리트 44 ~ 65 중량%; 충전재 34 ~ 55 중량%; 및 ZrO
2 , TiO
2 , La
2 O
3 및 WO
3 중에서 선택된 단종 또는 2 종 이상의 핵 형성제 0.1 ~ 5 중량%;를 포함하는 것을 그 특징으로 한다. 본 발명의 상기 저유전율 세라믹 유전체 조성물은 800 ~ 950℃에서 저온소성이 가능하고, 상기 조성물을 이용하여 제조된 저유전율 세라믹 유전체는 4.5 ~ 6.0(1 MHz)의 낮은 유전율 및 낮은 유전손실율을 갖는 바, 신호전송속도를 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라, 유리프리트를 부분적으로 결정화시켰기 때문에 200 MPa 이상의 기계적 강도를 갖기 때문에 내충격성이 강한 고집적 전자부품, 안테나 부품, 기판, 특히 저온 동시소성세라믹(LTCC, Low Temperature Co-fired Ceramic) 기판의 제조에 적합하다.
저온소성, 유전율, 세라믹 유전체, 유리프리트, 핵 형성제-
公开(公告)号：KR100994269B1
公开(公告)日：2010-11-12
申请号：KR1020070069779
申请日：2007-07-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 칼슘과 코발트의 산화물을 주성분으로 하여 전기전도도 및 충·방전 용량이 우수한 신규의 칼슘-코발트 산화물계 음극활물질과, 상기 음극활물질을 특히 구연산염법으로 제조하여 고상법에 비해 균일한 입도와 미세한 입자크기를 나타내어 리튬이온 또는 고분자 이차 전지, 슈퍼 캐패시터, 열전소자 등의 전기 화학분야 소자에 적용이 가능한 음극활물질 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
리튬 이온 이차전지, 음극활물질, 싸이클 안정성, 칼슘-코발트 산화물
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