公开(公告)号：KR100279052B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019970057883

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  이호녕 ,  김춘근

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115

Abstract: 반도체표면에 CeO
2 /SrBi
2 Ta
2 O
9 이중막을 형성시키고 이중막의 강유전체인 SrBi
2 Ta
2 O
9 막상에 백금전극을 부착하며, 상기 CeO
2 /SrBi
2 Ta
2 O
9 /Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전계효과트랜지스터의 게이트로 이용하므로서 커패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET)기억소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR1019990038229A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970057883

申请日：1997-11-04

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김용태 ,  이호녕 ,  김춘근

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115

Abstract: 반도체표면에 CeO
2 /SrBi
2 Ta
2 O
9 이중막을 형성시키고 이중막의 강유전체인 SrBi
2 Ta
2 O
9 막상에 백금전극을 부착하며, 상기 CeO
2 /SrBi
2 Ta
2 O
9 /Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전계효과트랜지스터의 게이트로 이용하므로서 커패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET)기억소자를 제공한다.