公开(公告)号：KR1020050122342A

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：KR1020040047423

申请日：2004-06-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  서상희 ,  김영환 ,  정연식 ,  안세영 ,  정용철

IPC: G01J1/02

Abstract: 본 발명은 HgCdTe 반도체를 사용하여 광전압형 적외선 감지 소자를 제작할 때 ZnS, CdS 등 황(S) 원소를 포함하는 물질로 표면 보호막을 형성할 때 기판의 표면 처리를 통하여 양질의 전기적 특성을 갖는 표면 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 표면 보호막 형성 방법은 HgCdTe 반도체 표면을 습식 식각하여 반도체 표면 상의 자연 산화막을 제거하는 단계, 습식 식각 처리된 HgCdTe 반도체 표면을 황 함유 용액으로 표면 처리하여 표면에 황화물질층을 형성하는 단계 및 상기 황화물질층이 형성된 표면 상에 ZnS 또는 CdS를 증착시켜 표면 보호막을 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, HgCdTe를 이용한 광전압형 소자의 제작시 표면 누설전류를 크게 줄일 수 있는 양질의 표면 보호막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100543490B1

公开(公告)日：2006-01-23

申请号：KR1020040047423

申请日：2004-06-24

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김진상 ,  서상희 ,  김영환 ,  정연식 ,  안세영 ,  정용철

IPC: G01J1/02

Abstract: 본 발명은 HgCdTe 반도체를 사용하여 광전압형 적외선 감지 소자를 제작할 때 ZnS, CdS 등 황(S) 원소를 포함하는 물질로 표면 보호막을 형성할 때 기판의 표면 처리를 통하여 양질의 전기적 특성을 갖는 표면 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 표면 보호막 형성 방법은 HgCdTe 반도체 표면을 습식 식각하여 반도체 표면 상의 자연 산화막을 제거하는 단계, 습식 식각 처리된 HgCdTe 반도체 표면을 황 함유 용액으로 표면 처리하여 표면에 황화물질층을 형성하는 단계 및 상기 황화물질층이 형성된 표면 상에 ZnS 또는 CdS를 증착시켜 표면 보호막을 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, HgCdTe를 이용한 광전압형 소자의 제작시 표면 누설전류를 크게 줄일 수 있는 양질의 표면 보호막을 얻을 수 있다.
적외선 감지 소자, 표면 보호막, ZnS, CdS, HgCdTe, 황 함유 용액